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[期刊论文] 作者：颜永美,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2001
提出减低p-Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法,解释了其不同的作用机理.实验表明,经HF腐蚀处理过的p-Si单晶,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值...
[期刊论文] 作者：颜永美,
来源：半导体学报 年份：1991
本文采用统计方法,对40K下金过补偿的P型硅单晶的动态光伏问题进行处理.计算结果与实验符合很好,从而探讨了硅中金受主能级在光离化、载流子复合过程中的行为,进而估算了金受...
[期刊论文] 作者：颜永美,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
应用统计方法，研究了掺金型硅中各杂质能级上的电荷密度及载流子浓度随温度的变化，探讨了系统的静态电荷转移机制，所得结果支持了硅中金受主能级与施主能级本属同一金杂质的两个......
[期刊论文] 作者：颜永美,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
本文报导了采用变温光伏方法对不同真空度下的p型硅单晶的表面态参数进行非破坏性的测算。发现在不同真空度下,其表面能级E_S(或表面势垒高度ψ_BP)和单位能量间隔的表面态密...
[期刊论文] 作者：颜永美,
来源：半导体学报 年份：1990
本文应用等光强方法,在0.75μm至带边的波段内对无掺杂的n型InP单晶(n_0=2×10~(16)cm~(-3))分别测量了298K、77.4K、50K、20K、13.7K下的光伏谱。在微机上完成拟合计算,...
[期刊论文] 作者：颜永美,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1997
提出适用于可见光全波段的光伏测算ＧａＡｓ单晶表面复合速度的新方法。实验结果表明，对于掺Ｓｉ的Ｎ型弱简并ＧａＡｓ，其表面复合速度Ｓｐ＝１．６×１０＾５ｃｍ，ｓ＾－１，与有关报道基本一致。......
[期刊论文] 作者：颜永美,
来源：厦门大学学报(自然科学版) 年份：1990
本文报道了应用变温光伏方法对半导体表面能级,表面态密度的非破坏性测量原理。通过一定的模型简化,将Shockly-Read体复合理论应用于表面,建立起P型半导体表面态对少子电子的...
[会议论文] 作者：颜永美,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：颜永美,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：颜永美,
来源：第九届全国化合物半导体.微波器件.光电器件学术会议 年份：1996
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[期刊论文] 作者：丁小勇,颜永美,
来源：厦门大学学报：自然科学版 年份：2001
提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon 和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016 cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP...
[会议论文] 作者：颜永美,孙宜阳,
来源：第九届全国凝聚态光学性质学术会议 年份：1998
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[期刊论文] 作者：颜永美,孙宜阳,等,
来源：半导体学报 年份：2002
根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理，提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型，解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果，因此可以确认，硅单晶表面态对真空......
[期刊论文] 作者：颜永美,杨锦赐,
来源：半导体技术 年份：1992
本文报导了应用变温光伏方法无需制作特定样品结构而可以非破坏性地测定N型低阻GaAs单晶的表面势垒高度和表面态密度的研究。结合简并化影响的考虑,所得结果与有关报导一致。...
[期刊论文] 作者：颜永美,蔡玉霜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成分，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。...
[期刊论文] 作者：廖英豪,颜永美,刘士毅,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1989
We diffused gold into Si wafers of good quality (Ln≥324μm) and obtained 6 samples with NAa = 7.94×1012 -6.96×1015cm-3. The minority carrier lifetime of eac...
[期刊论文] 作者：颜永美,沈华,蔡玉霜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
通过Ｘ光衍射图分析，确认了较低温度下ＣＶＤ法生长的非掺杂ＳｎＯ２晶膜含有较多的偏离ＳｎＯ２配位的晶体成份，从而定性地解释了该晶膜具有较高的气体敏感度的现象。By X-ray diffraction analysis,......
[期刊论文] 作者：颜永美,孙宜阳,丁小勇,陈议明,
来源：物理学报 年份：2004
通过对p型和n型的同一硅单晶样品分别置于大气、氧气、氮气的不同氛围中所进行的各有关表面参量的光伏测算,分析了同一样品处于不同氛围中,以及不同导电类型的样品处于同一氛...
[期刊论文] 作者：颜永美,孙宜阳,丁小勇,周海文,
来源：半导体学报 年份：2002
根据光伏方法研究的半导体表面气体分子吸附机理 ,提出了硅单晶表面态真空敏感效应的机理模型 ,解释了表面态敏感型的真空传感器的各有关观测结果 .因此可以确认 ,硅单晶表面...
[期刊论文] 作者：杨锦赐,连世阳,张声豪,颜永美,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1992
用共振喇曼散射研究半导体的能带结构,实验观察了Ga_(1-x)Al_xAs直接带隙单声子和GaP在间接带隙(г_(3v)—X_(3c))附近的双声子共振特性。阐述了由喇曼光谱测量确定Ⅲ—V族半...
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