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[期刊论文] 作者：马利行,,
来源：中国慢性病预防与控制 年份：2013
目的观察中西医结合治疗慢性盆腔炎的临床疗效,为临床治疗提供参考。方法选取我院2011年10月至2012年10月收治的慢性盆腔炎患者135例,随机分成中西医结合治疗组68例和对照组6...
[期刊论文] 作者：马利行,,
来源：海峡药学 年份：2013
目的探讨甲硝唑联合外洗药治疗细菌性阴道炎的临床效果。方法将145例细菌性阴道炎患者随机分为甲硝唑治疗组（对照组）、甲硝唑＋外洗药治疗组（实验组）,对两组患者治疗2周后进行临床......
[期刊论文] 作者：王向武,马利行,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
研制了Ｎ＾－／Ｐ＾＋异型，高阻，厚层硅外延材料，并对厚层外管及高阻异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。...
[会议论文] 作者：王向武,马利行,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：千马利行,宋旭安,,
来源：国外金属矿山 年份：1989
1.前言关于井下粉尘浓度测定,由于测定方法没有确立,故一直未作为一种义务规定下来。但自1987年2月以来,矿山安全技术研究委员会粉尘防治部会一直在研究这个问题,结果指...
[会议论文] 作者：高涛;谭卫东;马利行;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本论文针对电子元器件生产厂商的需求,研制开发P型重掺衬底高阻厚层硅外延片,解决了批生产工艺中参数控制的稳定性、均匀性和可重复性.本文讨论了影响硅外延片外延层电阻率稳...
[会议论文] 作者：高涛,谭卫东,马利行,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
介绍了一种高阻厚层硅外延工艺。通过控制电阻率小于0.02Ωcm的重掺P型衬底的自掺杂，得到了P型高阻厚外延层，外延层的电阻率大于60Ωcm，厚度大于60μm。该工艺技术已经应用到硅外延片生产中，结果表明：外延片能够满足先进器件制作的需要。......
[会议论文] 作者：张文清,骆红,马利行,徐非,
来源：第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：2007
某些特种半导体器件，采用重掺As衬底，要求的外延层厚度很薄，浓度较低，外延层和衬底之间的过渡区宽度要求尽可能的窄。本文主要论述了在重掺As衬底上生长-薄层N型外延，通过降低......
[期刊论文] 作者：王向武,陆春一,马利行,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1995
叙述了一种减小硅外延自掺杂影响的改进的二步外延法：减压－常压二步法。采用该方法所生长的外延层，其过渡区明显小于常规二步法的结果，和单纯减压方法所得的结果相当，外延层晶格质......
[期刊论文] 作者：肖健,周德兵,任凯,马利行,
来源：科学技术创新 年份：2020
分析企业特殊气体管理现状和需求,开发了基于PLC的特殊气体管理系统。其核心是通过以太网通讯技术,将特殊气体供气气柜、质量分析仪器、气体泄露侦测器的实时运行参数进行传...
[期刊论文] 作者：唐有青,谭卫东,马利行,杨帆,张文清,
来源：电子与封装 年份：2009
硅外延是一种性能优良的半导体材料，在IGBT、大功率器件等领域中有着广泛的应用。FTIR（Fourier—Transform Infrared Spectrophotometry）技术是目前普遍采用的测量硅外延层厚度...
[期刊论文] 作者：王向武,马利行,徐红钢,陆春一,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
研制了N－／P+异型、高祖、厚层硅外延材料，并对厚层外延及高用异型外延中出现的问题进行了讨论，提出了提高外延材料质量的方法。The N- / P + shaped, ancestral and thick sili...
[期刊论文] 作者：马利行,王银海,邓雪华,骆红,谭卫东,,
来源：电子与封装 年份：2014
根据绝大多数分立器件的技术要求,常规硅外延层电阻率的数值会小于厚度的数值。介绍了一种外延层电阻率数值接近甚至大于厚度数值的高阻薄层硅外延材料的实用生产技术,即在PE...
[会议论文] 作者：谭卫东,马利行,骆红,唐有青,张文清,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在常压外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率＜0.02Ωcm的P型低阻衬底上实现了高阻厚层N型外延生长....
[期刊论文] 作者：谭卫东,唐有青,马利行,骆红,张文清,高涛,
来源：半导体学报 年份：2006
介绍了高阻厚层反型外延片的一种实用生产技术,即在PE-2061S外延设备上,采取特殊的工艺控制在电阻率小于0.02Ω·cm的p型低阻衬底上实现了高阻厚层n型外延生长,外延层电...
[会议论文] 作者：谭卫东,马利行,唐有青,张文清,骆红,王霄,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文介绍了一种毫米波IMPATT二极管外延材料的研制,该器件为P+/P/N/N+的双漂移结构,对外延层与衬底之间的过渡区宽度以及外延之间的宽度和掺杂浓度有特殊要求,通过外延工艺的...
[期刊论文] 作者：谭卫东,郭锐,骆红,杨帆,金龙,马利行,张文清,王霄,,
来源：微电子学 年份：2009
为了满足一种3mm雪崩渡越二极管的技术要求，改进了常压外延工艺，在PE-2061S硅外延设备上，实现了100mm硅片超薄外延层的生长。外延层厚度为0．45～0．55μm，外延层与衬底之间的过渡区宽......
[会议论文] 作者：谭卫东,陆春一,骆红,刘六亭,马林宝,马利行,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文介绍了采用常压方式外延的方法,在3英寸重掺砷衬底上生长出了电阻率＞80Ωcm,厚度＞30μm的高质量硅外延层,从而使器件获得较为理想的结果,顺利通过设计定型....
[会议论文] 作者：谭卫东,刘六亭,骆红,马林宝,陆春一,马利行,
来源：第十二届全国半导体集成电路硅材料学术会议 年份：2001
本文讨论了影响P/P高阻厚层硅外延片外延层电阻率稳定控制的主要因素,采取立式常压外延,利用背面封闭技术,充分抑制了高温状态下低阻重掺硼衬底的杂质自掺杂效应,使得外延层...
[期刊论文] 作者：谭卫东，唐有青，马利行，骆红，张文清，高涛，TanWeidong，TangYouqing，MaLixing，LuoHong，ZhangWenqing，GaoTao,
来源：城市道桥与防洪 年份：2006
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
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