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[期刊论文] 作者：陈艾,高能武,
来源：电子学报 年份：1998
本文介绍了单掺杂Ｍｏ＾６＋及双掺杂Ｍｏ＾６＋、Ｃｒ＾６＋的溶胶－凝胶膜α－ＷＯ３的电致变色特性，实验结果与价间电荷跃迁理论所预言的复合膜透射率谱吸收峰移动规律一致，文章还采用晶体结构的离子配位场理论，解释了......
[期刊论文] 作者：陈艾,高能武,
来源：地质科技管理 年份：1995
从电致变色显示器（ＥＣＤ）向灵巧窗（ＳＷ）发展，阐述了电致变色材料的应用研究趋势，并根据灵巧窗的基本结构部分，介绍了电致变色材料的应用及其主要发展趋势。...
[会议论文] 作者：卢肖,高能武,
来源：四川省电子学会2007年学术年会 年份：2007
随着微电子器件小型化要求的日益迫切，作为3D封装技术之一的堆叠芯片技术得到广泛应用。本文介绍和综述了堆叠芯片互连方式、典型工艺流程、技术现状和发展趋势。...
[会议论文] 作者：贺钲,高能武,
来源：中国电子学会可靠性分会第十三届学术年会 年份：2006
通过数据分析寻找制约因素,制定管理措施,经过实践总结完善,形成了受控区域提高一次送检合格率的质量管理方法.该方法经过推广使用,对提高一次送检合格率取得了明显的改进效果....
[期刊论文] 作者：高能武,秦跃利,
来源：电子元件与材料 年份：2000
ＴｉＷ－Ａｕ膜系结构可用于混合集成电路。ＴｉＷ与Ａｕ的附着力对浅射气产敏感，采用合适的纯所对气路加热抽真空，清洗真空腔，增加管路气阀等方法，可确保合适的溅射气氛，解决Ａｕ层剥离的问题，真空腔体是否需......
[期刊论文] 作者：高能武,陆吟泉,
来源：电子元件与材料 年份：1999
讨论了ＡｌＮ基片的薄膜金属化。通过试验，确定了有效的清洗方法及优化溅射参数。实验证明，ＴｉＷ－Ａｕ是ＡｌＮ的优良金属化体系。ＡｌＮ材料经激划片后出现导电物质，经稀盐酸处理可去掉导电物质。......
[期刊论文] 作者：黄鉴前,高能武,
来源：电子元件与材料 年份：2000
介绍了应用低温共烧陶瓷技术 ,扩散成图技术以及 Fodel光刻成图技术等先进厚膜技术所研制的MCM。应用这些先进的厚膜技术制造出来的 MCM成本低、可靠性高、集成度高 ,研制期...
[期刊论文] 作者：高能武,秦跃利,
来源：功能材料 年份：2000
Ｔａ２Ｎ／ＴｉＷ／Ａｕ是目前国际上普遍采用的耐高温电阻／导带复合结构，对电阻温度系数（ＴＣＲ）的分析右确定溅射系统的工作点。总泄漏计算和驻贸气体分析（ＲＧＡ）可有效评价溅射气氛，提高ＴｉＷ／Ａｕ的可靠性，通过腐蚀液的比较，确......
[期刊论文] 作者：秦跃利,高能武,
来源：电子元件与材料 年份：2000
薄膜制作 技术在混合集成电路中扮演十分重要的角色。附着力的强弱是影响薄膜电路质量是最关键的因素，通过，查明了膜系结构，金属相间扩散，燕射金属化气逮逋 洗等方面导致薄膜起......
[期刊论文] 作者：秦跃利,高能武,
来源：电子元件与材料 年份：2004
介绍了LTCC腔体和微流道的用途、结构形式以及腔体的制作方法。详细分析了LTCC空腔在层压和共烧时产生变形的原因。介绍了采用碳基牺牲材料以及无牺牲材料形成内埋置通道的方...
[会议论文] 作者：石磊,胡海年,高能武,
来源：第十二届全国混合集成电路学术会议 年份：2001
本文阐述了用厚膜工艺集成正交移相器的一种研制性探索,并对其工艺过程、产品性能进行了讨论....
[期刊论文] 作者：曾策,高能武,林玉敏,,
来源：电子工艺技术 年份：2010
针对传统微波印制电路制造中面临的对位和图形精度困难,分析了应用LDI(Laser Direct Imaging,激光直接成像)技术的技术优势。同时对LDI技术的关键特性进行了验证,表明LDI技术...
[期刊论文] 作者：秦跃利,高能武,谢飞,,
来源：电子工艺技术 年份：2015
杜洛埃有机介质广泛应用于高频微波集成电路，由于材料表面固有特性而增加了集成薄膜电阻的难度。通过改变杜洛埃介质表面的形貌获得良好的平滑表面，并采用薄膜电路制造工艺，实现......
[期刊论文] 作者：秦跃利,高能武,吴云海,
来源：电子元件与材料 年份：2000
薄膜制作技术在混合集成电路中扮演十分重要的角色。附着力的强弱是影响薄膜电路质量最关键的因素。通过实验 ,查明了膜系结构、金属相间扩散、溅射金属化气氛、清洗等方面导...
[期刊论文] 作者：曾策,高能武,林玉敏,,
来源：电子与封装 年份：2010
液晶聚合物(LCP)在微波/毫米波频段内介电常数低,损耗小,并且其热稳定性高、机械强度大、吸湿率低,是一种适合于微波/毫米波电路应用、综合性能优异的聚合物材料。LCP基板可...
[期刊论文] 作者：高能武,曾策,秦跃利,,
来源：电子元件与材料 年份：2009
介绍了微波印制电路板制造工艺中的钻孔、孔金属化和图形制作等主要步骤以及电阻集成的方法．通过在微波印制电路板基材表面涂覆低介电常数的材料，改变了基材表面形貌和特性，采用......
[期刊论文] 作者：毛小红,崔西会,高能武,,
来源：电子信息对抗技术 年份：2009
小型化和一体化是未来电子装备的主流发展方向。电子装备的小型化和一体化离不开高密度集成技术，三维芯片堆叠、芯片倒装焊接、高密度多层布线基板和SIP封装等高密度集成技术...
[期刊论文] 作者：谢飞,李维佳,高能武,
来源：焊接 年份：2000
介绍了激光密封焊接工艺的优越性，并分析了铝腔体激光密封焊接的影响因素及提高焊接质量的措施。通过实验证明了铝腔体激光密封焊接的可行性，并对焊接过程中裂缝、气孔的出现原......
[会议论文] 作者：谢飞,秦跃利,高能武,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
本文从工艺的角度讨论了在MCM-D制作过程中应当着重注意的问题.并对MCM-D的优越性及其在微波领域的应用进行了讨论....
[会议论文] 作者：谢飞,高能武,秦跃利,
来源：第十二届全国混合集成电路学术会议 年份：2001
孔金属化技术在混合集成电路中的应用十分广泛,它对减小电路串扰和插入损耗、增加电路散热和可靠性方面具有较大的价值.笔者从工艺的角度出发,应用薄膜制造技术对孔金属化的...
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