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[学位论文] 作者：高见头,
来源：中国科学院大学(工程管理与信息技术学院) 年份：2015
...
[期刊论文] 作者：宁瑾,刘忠立,高见头,
来源：半导体学报 年份：2005
在n型4H-SiC外延层上,采用H2,O2合成的办法,热生长30nm的SiO2层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO2与4H-SiC外延层的界面特性,并计...
[会议论文] 作者：宁瑾,刘忠立,高见头,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
本文在n型4H-SiC外延层上,采用H、O合成的办法,热生长300A的SiO层,并制备出Al栅MOS电容,完成了C-V特性的测试和分析工作,根据测试结果得出了SiO与4H-SiC外延层的界面特性,并计算出n型4H-SiC外延层的掺杂浓度.结果表明H、O合成热生长的SiO与4H-SiC外延层之间具有......
[期刊论文] 作者：刘忠立,李宁,高见头,于芳,
来源：半导体学报 年份：2005
利用注硅固相外延的方法对0．2μm SOS薄硅膜材料进行改性，并制作了单管pMOSFET，nMOSFET及54HC04电路，测量了单管的迁移率，并对样品进行了瞬态辐射实验和总剂量辐射实验，发现用改性......
[会议论文] 作者：宁瑾,刘忠立,孙国胜,高见头,
来源：第八届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 年份：2005
本文讨论了高电压4H-SiC肖特基二极管的辐射效应,制备出肖特基接触金属为Ti金属的二极管,并对其抗总剂量辐照特性进行了研究.样品在经过1×106rad(Si)总剂量辐照以后,直流I-V...
Total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator pMOSFETs
[期刊论文] 作者：赵星,郑中山,李彬鸿,高见头,于芳,,
来源：Chinese Physics C 年份：2015
The total dose radiation and annealing responses of the back transistor of Silicon-On-Insulator(SOI)pMOSFETs have been studied by comparing them with those of t...
[期刊论文] 作者：李彩,王义元,高见头,崔帅,陈斌,王春林,,
来源：核技术 年份：2020
双极线性稳压器广泛应用于空间设备,中子辐射效应不容忽视.对国产双极线性稳压器在不同负载偏置下的中子辐射效应开展研究.试验过程中发现,负载越大,位移损伤效应越明显.试验...
[期刊论文] 作者：赵凯,刘忠立,于芳,高见头,肖志强,洪根深,,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PDSOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和...
[期刊论文] 作者：杨婉婉,刘海南,高见头,罗家俊,滕瑞,韩郑生,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2021
为满足种类繁多、功能复杂集成电路的单粒子效应评估需求,克服目前国内地面单粒子辐照实验环境机时紧张、物理空间有限等方面的限制,设计实现了一款高效通用的集成电路单粒子...
[会议论文] 作者：赵凯,刘忠立,于芳,高见头,肖志强,洪根深,
来源：第九届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2007
在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的128K静态随机存储器的抗总剂量率(TID)水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45x10rad(Si)/s。本文重点介绍该抗辐射SRAM在加固方面的设计方法,并给出其封装后的电学及辐照测试结果。......
[期刊论文] 作者：李振涛,于芳,刘忠立,赵凯,高见头,杨波,李宁,,
来源：信息与电子工程 年份：2011
为简单快速模拟静态随机存储器（SRAM）~单粒子效应，在二维器件数值模拟的基础上，以经典的双指数模型为原型，通过数值拟合得到了单粒子效应瞬态电流脉冲的表达式，考虑晶体管偏压对瞬......
[期刊论文] 作者：高闯,赵星,赵凯,高见头,解冰清,于芳,罗家俊,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2016
A double silicon on insulator(DSOI) structure was introduced based on fully depleted SOI(FDSOI)technology.The circuit performance could be adjusted dynamically...
[期刊论文] 作者：吴旭景, 王蒙军, 吴建飞, 李彬鸿, 郝宁, 高见头, 李,
来源：电波科学学报 年份：2021
考虑到芯片实际应用环境的复杂性,针对体硅(silicon,Si)和绝缘体上硅(silicon on insulator,SOI)两种工艺的静态随机存储器(static random-access memory,SRAM),测试研究温度...
[期刊论文] 作者：赵凯,高见头,杨波,李宁,于芳,刘忠立,肖志强,洪根深,,
来源：信息与电子工程 年份：2010
提高静态随机存储器（SRAM）的抗单粒子能力是当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一。体硅CMOS SRAM不作电路设计加固则难以达到较好抗单粒子能力，作电路设计加固则要在芯......
[会议论文] 作者：赵凯,高见头,杨波,李宁,于芳,刘忠立,肖志强,洪根深,
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
单粒子事件成为影响航天器的在轨寿命和可靠性的重要因素，提高SRAM的抗单粒子能力，正成为当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一.商用体硅SRAM的抗SEU水平相对较低，难以满足单粒子加固的要求。采用SOI技术，能够将SRAM产品的抗单粒子性能提高2～5倍。文中比较了......
[期刊论文] 作者：郝宁,罗家俊,刘海南,李彬鸿,吴利华,于芳,刘忠利,高见头,,
来源：宇航学报 年份：2018
为提升SRAM型FPGA电路块存储器和配置存储器抗单粒子翻转性能,本文提出一种脉冲屏蔽SRAM单元结构。该结构通过在标准的六管单元中加入延迟结构,增大单元对单粒子事件响应时间...
[期刊论文] 作者：倪涛,杜川华,曾传滨,高林春,王娟娟,高见头,赵发展,罗家俊,
来源：太赫兹科学与电子信息学报 年份：2020
瞬时剂量率辐射效应模拟测试存在着试验资源有限、环境电磁干扰强、重复性不高等不利因素。本文开发了瞬时剂量率效应脉冲激光模拟测试技术,以1064 nm激光构建完整精细的剂量...
[期刊论文] 作者：吴旭景,王蒙军,吴建飞,李彬鸿,郝宁,高见头,李宏,张红丽,
来源：电波科学学报 年份：2019
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[会议论文] 作者：巩全成,宁瑾,孙国胜,高见头,王雷,李国花,曾一平,李晋闽,李思渊,
来源：第十三届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2005
本文采用ICP等离子体刻蚀工艺,以CHF3、SF6和O2作为刻蚀气体,对生长在SiO2上的多晶3C-SiC膜进行了刻蚀工艺研究,得出来优化的刻蚀条件,该刻蚀条件具有较快的刻蚀速率并且可以获得较陡直的侧墙.不同的刻蚀气体对刻蚀速率有明显的影响,用纯CHF3或CHF3与O2的混合气......
[会议论文] 作者：赵凯[1]高见头[1]杨波[1]李宁[1]于芳[1]刘忠立[1]肖志强[2]洪根深[2],
来源：第十届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术年会 年份：2009
单粒子事件成为影响航天器的在轨寿命和可靠性的重要因素，提高SRAM的抗单粒子能力，正成为当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之一.商用体硅SRAM的抗SEU水平相对较低，难以满......
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