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[期刊论文] 作者：王晓伟,王立,马忠元,鲍云,徐骏,黄信凡,陈坤基,
来源：中国激光 年份：2002
利用准分子激光干涉结晶法使a Si∶H/a SiNx∶H多层膜中的超薄a Si∶H层定域晶化 ,成功地制备出三维有序分布的nc Si阵列。原子力显微镜 (AFM )、微区拉曼 (micro Raman)光谱...
[会议论文] 作者：黄信凡;王晓伟;王立;马忠元;鲍云;徐骏;陈坤基;,
来源：第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会 年份：2001
利用准分子脉冲干涉激光晶化技术使非晶硅/非晶氮化硅(a-Si:H/a-SiNX:H)多层膜中的超薄a-Si:H层定域晶化,成功地在超晶格结构的生长平面内定域制备出有序分布的纳米硅(nc-Si)...
[期刊论文] 作者：黄信凡,陈坤基,徐骏,
来源：中国激光 年份：1994
我们利用Ar 激光辐照a-Si:H/a-SiNx:H多量子阱结构材料,使a-Si:H阱层晶化。在该样品中成功地观察到室温可见光致发光现象,研究了阱层厚度和激光辐照功率对光致发光峰峰位及半高宽的影响。......
[期刊论文] 作者：徐岭,马忠元,徐骏,黄信凡,陈坤基,
来源：半导体学报 年份：2006
用两种不同尺寸的CdTe纳米晶体与明胶溶液生长出均匀稳定的CdTe纳米晶体-明胶复合薄膜.研究了这种复合体系中两种尺寸的CdTe纳米晶体之间的共振能量迁移过程.荧光光谱显示:当...
[期刊论文] 作者：陈坤基,黄信凡,
来源：物理学进展 年份：1993
在晶化的α-Si:H/α-SiN_x:H多层膜结构中,当α-Si:H子层厚度L_s≤40A时,我们首次观察到室温下可见光致发光现象。72层多层异质结构是采用计算机控制等离子体增强化学汽相淀...
[期刊论文] 作者：陈坤基,黄信凡,徐骏,冯端,
来源：自然科学进展 年份：1994
本文报道一种能在室温下具有可见光致发光特性的硅(si)量子晶粒的制备方法和光物理特性.利用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)和激光晶化技术相结合,使非晶态Si:H/SiN_x:H多...
[期刊论文] 作者：黄信凡,陈坤基,徐骏,冯端,
来源：中国科学(A辑 数学 物理学 天文学 技术科学) 年份：1994
在晶化a-Si:H/a-SiN_x:H多量子阱(MQW)结构中,观察到室温可见光致发光现象,72层MQW异质结构是采用计算机控制等离子体增强化学汽相淀积法(PECVD)制备的,晶化是用Ar~+激光退火技术完成的。使用XRD,Raman及X-TEM技术分析了晶化MQW样品的结构特性,研究了激光功率、......
[期刊论文] 作者：马忠元,王立,陈坤基,李伟,张林,鲍云,王晓伟,徐俊,黄信凡,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
报道了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中用交替淀积a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了a-Si:H/SO2多层膜.随着a-Si:H子层的厚度从3.8 nm减小到1.5 nm,a-Si:H/...
[期刊论文] 作者：马忠元,王立,陈坤基,李伟,张林,鲍云,王晓伟,徐俊,黄信凡,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
报道了在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)系统中用交替淀积a-Si对其进行原位等离子体氧化的方法制备了a-Si:H/SO2多层膜.随着a-Si:H子层的厚度从3.8 nm减小到1.5 nm,a-Si:H/...
[会议论文] 作者：黄少云,石建军,徐骏,黄信凡,陈坤基,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：黄少云,石建军,徐骏,黄信凡,陈坤基,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：王旦清,姚尧,陈坤基,黄信凡,徐骏,马忠元,
来源：第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会 年份：2010
纳米硅(nc-Si)薄膜作为半导体材料中的重要一员，其制备方法及性能研究已经成为国际上的热点之一。本文利用一种激光干涉诱导结晶的方法，由激光光源与二维(2D)移相光栅掩模(PSGM...
[期刊论文] 作者：高翔,黄信凡,陈坤基,
来源：中国激光 年份：1997
利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料的热退火处理，分析了膜厚、激光能量密......
[期刊论文] 作者：隋妍萍,马忠元,陈坤基,李伟,徐骏,黄信凡,
来源：物理学报 年份：2003
在等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)系统中 ,采用a Si∶H层淀积与原位等离子体氧化相结合的逐层生长的方法成功制备出a Si∶H SiO2 多层膜 (ML) ;利用限制性结晶原理通过两...
[期刊论文] 作者：鲍云,蒋明,李伟,马忠元,黄少云,王立,黄信凡,陈坤基,
来源：半导体学报 年份：2001
利用等离子体氧化方法在单晶硅片上制备了厚度小于 10 nm的超薄 Si O2 层 .通过傅里叶红外光谱 (FTIR)、X射线光电子谱 (XPS)、透射电子显微镜 (TEM)、椭圆偏振法和电流电压...
[期刊论文] 作者：陈坤基,徐骏,
来源：薄膜科学与技术 年份：1991
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[会议论文] 作者：何勇,徐岭,李健,徐骏,黄信凡,陈坤基,
来源：第十二届全国半导体物理学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：王立,陈坤基,黄信凡,殷江,黄少云,徐骏,刘治国,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2001
The travelling wave method has been used to measure the drift mobility in the paramagnetic-insulator state of La0.75Sr0.11 Ca0.14MnO3 films. The thermal activat...
[期刊论文] 作者：朱乐仪,黄信凡,王立,王晓伟,马忠元,李伟,陈坤基,
来源：微纳电子技术 年份：2002
利用相移光栅模板使KrF准分子激光形成强度周期分布的激光束,定域晶化a-Si:H(4 nm)/a-SiNx:H(10 nm)多层膜中的超薄a-Si:H层,成功地制备出了三维有序分布的nc-Si阵列.原子力...
[期刊论文] 作者：徐伟, 严敏逸, 许杰, 徐骏, 黄信凡, 陈坤基,,
来源：中国激光 年份：2012
采用等离子体化学气相沉积技术制备了两种不同非晶硅层厚度的氮化硅/氢化非晶硅/氮化硅三明治结构,研究了不同能量激光退火对薄膜晶化的影响。通过拉曼分析,发现在激光能量为...
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