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[学位论文] 作者：黎大兵,
来源：中国科学院半导体研究所 年份：2004
Ⅲ族氮化物半导体材料由于在绿、蓝光至紫外光波段的发光器件领域有广泛的应用前景而成为研究热点,研制大功率,高亮度和长寿命的器件一直是人们追求的目标.该文从控制Ⅲ族氮...
[学位论文] 作者：黎大兵,
来源：吉林大学 年份：2001
近年来,掺杂的CeO引起了广泛的关注,因它在中低温下(400℃~800℃)具有高的离子电导率,将成为替代钇稳定的ZrO基电解质材料用于固体氧化物燃料电池.然而,采用传统的固相法合成...
[会议论文] 作者：黎大兵,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
AlGaN材料因在紫外光电子器件领域具有广泛的应用前景而越来越受到人们的重视，但是由于AlGaN材料质量存在的问题严重限制了其紫外光电子器件的应用与发展。本报告中将介绍采用"两步法"高温MOCVD生长高质量AlN/sapphire模板，并以此为基础制备了高质量的AlGaN紫外器......
[期刊论文] 作者：刘祥林,董逊,黎大兵,
来源：液晶与显示 年份：2004
研究了用MOCVD方法生长lnGaAlN四元合金材料的生长规律，发现生长温度在800～880℃．其In组分随生长温度升高而降低。用变温光致发光谱和时间分辨谱研究了InGaAlN的光学性质。光致...
[会议论文] 作者：刘祥林,董逊,黎大兵,
来源：中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议 年份：2003
本文系统地研究了InGaAlN在不同温度下的生长规律.用光致光谱(PL)和时间分辨光谱(TRPL)分析了InGaAlN的光学性质.我们发现:在高温GaN过渡层上生长的InGaAlN,呈现零维发光性质...
[期刊论文] 作者：徐科,王新强,黎大兵,
来源：人工晶体学报 年份：2020
作为微电子和光电子的关键支撑材料,半导体晶体无疑是当今最重要的功能材料之一。以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石(Diamond)、氧化镓(Ga2O3)和氮化铝(AlN)...
[期刊论文] 作者：王新强,黎大兵,刘斌,孙钱,张进成,,
来源：发光学报 年份：2016
高质量氮化镓（GaN）材料是发展第三代半导体光电子与微电子器件的根基。大失配、强极化和非平衡态生长是GaN基材料及其量子结构的固有特点,对其生长动力学和载流子调控规律的研......
[期刊论文] 作者：陈雷锋,宋航,蒋红,赵海峰,李志明,黎大兵,
来源：人工晶体学报 年份：2010
本文采用CNT与纳米银颗粒混合球磨的方法,改善了CNT与衬底电极的电学接触性能。并比较了球磨和电泳两种方法分别获得的CNT的场发射特性,结果表明：采用球磨法所获得的CNT场发射...
[期刊论文] 作者：黎大兵,董逊,刘祥林,王晓晖,王占国,
来源：人工晶体学报 年份：2004
在不同的生长温度和载气的条件下，采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜，通过能量色散谱(EDS)，高分辨X射线衍射(mixRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与分析...
[期刊论文] 作者：黎大兵,董逊,刘祥林,王晓晖,王占国,,
来源：人工晶体学报 年份：2004
在不同的生长温度和载气的条件下,采用低压金属有机物气相外延方法生长了系列的InAlGaN薄膜,通过能量色散谱(EDS),高分辨X射线衍射(HRXRD)和光致发光谱(PL)对样品进行表征与...
[期刊论文] 作者：李昱峰,韩培德,陈振,黎大兵,王占国,
来源：半导体学报 年份：2003
为了得到高性能的 Ga N基发光器件 ,有源层采用 MOCVD技术和表面应力的不均匀性诱导方法生长了 In-Ga N量子点 ,并通过原子力显微镜 (AFM)、透射电子显微镜 (TEM)和光致发光...
[期刊论文] 作者：关庆丰,黎大兵,刘亦丰,胡建东,关晶,
来源：应用激光 年份：2000
对常规烧结的铁基粉末冶金制品进行表面激光熔覆处理 ,用 SEM和 TEM对熔覆样品的显微组织进行了观察 ,测试并分析了其孔隙度和显微硬度 ,结果表明 :熔覆层组织为 γ+M7C3 共...
[期刊论文] 作者：董逊,黄劲松,黎大兵,刘祥林,徐仲英,王占国,
来源：人工晶体学报 年份：2003
用变温光致发光谱和时间分辨光谱研究了AlInGaN合金的发光机制.实验结果表明,发光强度随时间并不是呈指数衰减关系,而可以用伸展指数哀减函数来描述,表明材料中存在明显的无...
[期刊论文] 作者：黎大兵,陆沅,董逊,刘祥林,郑文莉,王占国,
来源：北京同步辐射装置年报 年份：2002
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[会议论文] 作者：蒋红,孙晓娟,黎大兵,宋航,陈一仁,李志明,缪国庆,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：黎大兵,宋航,蒋红,缪国庆,李志明,孙晓娟,陈一仁,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：孙晓娟,陈一仁,黎大兵,宋航,蒋红,缪国庆,李志明,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[期刊论文] 作者：陈一仁,宋航,黎大兵,孙晓娟,李志明,蒋红,缪国庆,,
来源：半导体学报 年份：2011
Based on the principles of metal-semiconductor-metal Schottky barrier photodetectors(MSM-PD), using the carrier rate equations,the circuit simulation model of a...
[会议论文] 作者：黎大兵,孙晓娟,宋航,蒋红,缪国庆,陈一仁,李志明,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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[会议论文] 作者：孙晓娟,黎大兵,宋航,蒋红,缪国庆,陈一仁,李志明,
来源：第十二届全国MOCVD学术会议 年份：2012
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