【摘 要】
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AlGaN材料因在紫外光电子器件领域具有广泛的应用前景而越来越受到人们的重视,但是由于AlGaN材料质量存在的问题严重限制了其紫外光电子器件的应用与发展。本报告中将介绍采用"两步法"高温MOCVD生长高质量AlN/sapphire模板,并以此为基础制备了高质量的AlGaN紫外器件结构材料。系统研究了不同生长参数,如缓冲层生长温度、厚度、Ⅲ/Ⅴ比以及及高温层的生长温度、生长压强等对AlN模板结晶质量
【机 构】
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发光学及应用国家重点实验室,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林长春,130033
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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AlGaN材料因在紫外光电子器件领域具有广泛的应用前景而越来越受到人们的重视,但是由于AlGaN材料质量存在的问题严重限制了其紫外光电子器件的应用与发展。本报告中将介绍采用"两步法"高温MOCVD生长高质量AlN/sapphire模板,并以此为基础制备了高质量的AlGaN紫外器件结构材料。系统研究了不同生长参数,如缓冲层生长温度、厚度、Ⅲ/Ⅴ比以及及高温层的生长温度、生长压强等对AlN模板结晶质量的影响,并探讨了其生长机理。同时,研究了外延材料中缺陷对紫外探测器性能的影响,并提出基于微纳结构来改善紫外探测性能的思路。
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与第一代和第二代半导体材料相比,氮化镓(GaN)具有更宽的禁带宽度、更高的临界击穿电场强度以及更高的电子迁移率.由于Ⅲ-Ⅴ族氮化物材料的极化效应,在AlGaN/GaN异质结界面处可形成高浓度、高迁移率的二维电子气.总之基于AlGaN/GaN的电力电子器件具有高击穿电压、低导通电阻、低开关损耗、耐高温等显著优势,成为近年来电力电子领域研究的热点.目前GaN基电力电子器件的研究取得了很大进展,器件的击
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近年来,随着科学界和工业界不断增强对宽禁带半导体氮化物材料和器件特性研究的科研投入,基于宽禁带半导体氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件发展迅速,并以其优异的发光特性迅速填补了光电子器件在蓝光领域的空白,2014度的三位诺贝尔获奖者也正是因为在此领域中的突出贡献而获奖.研究并进一步促进基于氮化物的半导体激光器和LED等光电子器件的实际应用对中国科技发展和经济建设都具有重要意义.氮化物脉冲激光器
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