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[期刊论文] 作者：A.范德赛尔,李浩模,,
来源：半导体情报 年份：1972
在较高频率下,场效应晶体管的栅噪声随频率的上升迅速增加。这种影响可以归结为导电沟道的热噪声,是由沟道和栅间的电容耦合引起的。这种噪声可以分别由栅和漏的噪声电流发生...
[期刊论文] 作者：A.范德赛尔,方寿森,,
来源：半导体情报 年份：1972
场效应晶体管的限制噪声机构是导电沟道的热噪声。这噪声可以用一个与输出并联的电流发生器(i~2)/(1/2)来表示。(?)值已计算出,对于零漏电压,这噪声相应于漏导的热噪声,而对...
[期刊论文] 作者：W.C.布朗克,A.范德赛尔,行军,,
来源：半导体情报 年份：1972
报导了结栅场效应晶体管器件参数和噪声性能的测量,并将结果与理论作了比较。发现高频输入电导 g_(11)和高频栅漏电导 g_(12)随频率的平方而变化,实际上显示出全部热噪声。与...
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