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[会议论文] 作者：Yingxia Yu,于英霞,Zhaojun Lin,林兆军,Chongbiao Luan,栾崇彪,Hong Chen,陈弘,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
本文考虑到电场对AlGaN/AlN/GaN HFETs中二维电子气(2DEG)迁移率的影响,对低场迁移率模型进行了修正。基于quasi-2-D模型,对AlGaN/AlN/GaN HFETs的I-V特性进行了模拟计算,结果表明,使用修正后的迁移率模型计算得到的I-V特性与测试曲线拟合得较好。对线性区内2DE......
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,Zhaojun Lin,Zhifang Cao,Chongbiao Luan,高三垒,林兆军,曹芝芳,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表...
[会议论文] 作者：Sanlei Gao,高三垒,Zhaojun Lin,林兆军,Zhifang Cao,曹芝芳,Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
当In组分为0.18时,由于InAlN和GaN晶格匹配,InAlN/A1N/GaN HFET成为新一代HFET的研究热点,本文通过平行电导法计算界面缺陷态,发现存在快慢两种缺陷态,分别来自于HFET表面和InAlN和GaN界面。界面缺陷能级为低于导带底0.3ev左右,时间常数T～0.5-0.6us,界面缺陷态密......
[会议论文] 作者：Jingtao Zhao,Zhaojun Lin,Chongbiao Luan,赵景涛,林兆军,栾崇彪,Zhihong Feng,Yuanjie Lv,冯志红,吕元杰,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起...
[会议论文] 作者：Jingtao Zhao,赵景涛,Zhaojun Lin,林兆军,Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhihong Feng,冯志红,Yuanjie Lv,吕元杰,Zhanguo Wang,王占国,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的方形和圆形ln0.18Al0.82N/AlN/GaN异质结场效应晶体管(HFETs)不同面积的肖特基电容-电压特性和低漏源电压下的电流-电压特性，发现由欧姆接触工艺和栅偏压所引起的In0.18Al0.82N/AlN界面极化电荷的不规则分布产生了极化库仑场。同AlGaN/AlN/GaNHFET器件......
[会议论文] 作者：Chongbiao Luan,Zhaojun Lin,Jingtao Zhao,栾崇彪,林兆军,赵景涛,Zhihong Feng,Yuanjie LV,冯志红,吕元杰,Hong Chen,陈弘,Zhanguo,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷...
[会议论文] 作者：Chongbiao Luan,栾崇彪,Zhaojun Lin,林兆军,Zhihong Feng,冯志红,Yuanjie LV,吕元杰,Jingtao Zhao,赵景涛,Hong Chen,陈弘,Zhanguo,
来源：第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份：2012
利用测得的通过边欧姆接触工艺制作的方形和圆形AlGaN/AlN/GaN场效应晶体管不同面积的肖特基电容电压特性和低漏源电压下的电流电压特性，发现由AlGaN/AlN/GaN界面极化电荷密度变化引起的极化库仑场散射与欧姆接触工艺息息相关，而且边欧姆接触大大降低了AlGaN/AlN/......
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