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[会议论文] 作者:Guoguang Wu,Chunsheng Shen,Zhongjie Guo,Guotong Du, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[会议论文] 作者:Wang Zhao,Zhifeng Shi,Long Zhao,Guotong Du, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[会议论文] 作者:Jiming Bian,Jingchang Sun,Hongwei Liang,Guotong Du, 来源:2011年第三届微电子及等离子体技术国际会议 年份:2011
Short-wavelength light emitters have many applications,such as solid-state lighting,non-line-of-sight communications,and information storage....
[会议论文] 作者:Zhifeng Shi,Long Zhao,Wang Zhao,Xiaochuan Xia,Guotong Du, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[会议论文] 作者:Yan Ma,Guoguang Wu,Fubin Gao,Jingzhi Yin,Baolin Zhang,Guotong Du, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[期刊论文] 作者:Yunfeng Wu,Dongping Liu,Naisen Yu,Yuanda Liu,Hongwei Liang,Guotong Du,, 来源:Journal of Materials Science & Technology 年份:2013
ZnO thin films were grown on Si(111) substrates by low-pressure metal-organic chemical vapor deposition.The crystal structures and electrical properties of as-g...
[会议论文] 作者:Yinglan Sun,Chuanhui Cheng,Hongwei Liang,Yingmin Luo,Guotong Du,Jiming Bian,Jingchang Sun, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[会议论文] 作者:Shiwei Song,Yang Liu,Hongwei Liang,Xiaochuan Xia,Kexiong Zhang,Dechao Yang,Guotong Du, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
The green light emitting diode (LED) with an insertion layer between the multiple quantum wells and n-GaN layer was grown on c-plane sapphire substrate by metal organic chemical vapor deposition.We in...
[会议论文] 作者:Yinglan Sun,Jiming Bian,Jingchang Sun,Chuanhui Cheng,Hongwei Liang,Yingmin Luo,Guotong Du, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[会议论文] 作者:Xin Dong,Jin Wang,Hui Wang,Zhifeng Shi,Long Zhao,Bao lin Zhang,Guotong Du, 来源:第五届届全国氧化锌学术会议 年份:2011
[期刊论文] 作者:Chao Yang,Hongwei Liang,Zhenzhong Zhang,Xiaochuan Xia,Heqiu Zhang,Rensheng Shen,Yingmin Luo,Guotong Du, 来源:中国物理B(英文版) 年份:2019
A solar-blind photodetector is fabricated on single crystal Ga2O3 based on vertical structure Schottky barrier diode.A Cu Schottky contact electrode is prepared...
[会议论文] 作者:Zhankun Weng,Aimin Liu,Yanhong Liu,Zengquan Hu,Weifeng Liu,Feng Xu,Huijing Luo,Guotong Du, 来源:Fifth International Conference on Surface Engineering(第五届表面工 年份:2007
In the past several years,ZnO thin film fabricated by electrochemical deposition has attracted much attention for many researchers because electrochemical techniques have their own advantages,such as...
[会议论文] 作者:Yuantao Zhang,张源涛,Baolin Zhang,张宝林,Guotong Du,杜国同,Takashi Matsuoka,松岡隆志, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
本文采用加压MOCVD法在1600Torr压力下生长InN薄膜,研究了生长温度对薄膜特性的影响。研究表明,生长温度对薄膜的表面形貌产生很大影响。当生长温度低于或等于575°C时,可以观察到岛状的表面形貌。当生长温度高于575°c时,通过不同岛之间的合并形成连续薄膜。生......
[会议论文] 作者:Lu Xu,Hongwei Liang,Yuanda Liu,Chunye Li,Yang Liu,Jiming Bian,Guotong Du,Guoxing Li,Wangcheng Li,Guoguang, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[会议论文] 作者:Lu Xu,Guotong Du,Hongwei Liang,Yuanda Liu,Chunye Li,Yang Liu,Jiming Bian,Guoxing Li,Wangcheng Li,Guoguang, 来源:第六届国际氧化锌及相关材料研讨会 年份:2010
[会议论文] 作者:Dongsheng Wang,Yingmin Luo,Guotong Du,Wenping Guo,Kexiong Zhang,Hongwei Liang,Shiwei Song,Dechao Yang, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
High-performance 400 nm violet InGaN multi-quantum-wells light-emitting diodes (LED) with p-AlGaN electron blocking layer were fabricated on sapphire substrate by metal organic chemical vapor depositi...
[会议论文] 作者:Wang,王辉,武超,张金香,史志锋,张宝林,马艳,董鑫,杜国同,Chao Wu,Jinxiang Zhang,Zhifeng Shi,Baolin Zhang,Yan Ma,Xin Dong,Guotong Du, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜,从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料...
[会议论文] 作者:Hui Wang,王辉,武超,Chao Wu,Jinxiang Zhang,张金香,Zhifeng Shi,史志锋,Baolin Zhang,张宝林,Yan Ma,马艳,董鑫,Xin Dong,Guotong Du, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
本文采用磁控溅射法在n-GaN衬底上成功制备了NiO薄膜,从而制备了p-NiO/n-GaN异质结发光二极管。测试并分析了NiO薄膜材料的结构、光学、电学特性。研究结果显示了NiO材料具有良好的结晶质量并呈现p型导电特性。电流-电压(I-V)特性测试结果显示了该p-NiO/n-GaN异......
[会议论文] 作者:Xupu Cai,Jinxiang Zhang,Hui Wang,Xin Dong,Yuantao Zhang,Baolin Zhang,伍斌,史志锋,蔡旭浦,张金香,王辉,董鑫,张源涛,张宝林,Guotong Du, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  采用原位光辐照的MOCVD方法在c面蓝宝石衬底上制备ZnO薄膜。SEM表面照片表明,随着光辐照强度的增加,ZnO纳米柱的横向尺寸变大。从热力学和晶体生长动力学角度分析,认为光...
[会议论文] 作者:Yunjie Ke,Rensheng Shen,Shiwei Song,Xiaochuan Xia,Yang Liu,Kexiong Zhang,柯昀洁,梁红伟,申人升,宋世巍,夏晓川,柳阳,张克雄,Guotong Du, 来源:第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议 年份:2012
  在Aixtron 3×2 i近耦合喷淋式金属有机化学气相沉积反应室中,调节喷淋头与基座之间的距离,制备了7,13,18和25mm间距的四个lnGaN/GaN量子阱样品。利用原子力显微镜(AFM)...
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