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[期刊论文] 作者：Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2009
A new analytical model of high voltage silicon on insulator (SOI) thin film devices is proposed, and a formula of silicon critical electric field is derived as...
,A new structure and its analytical model for the vertical interface electric field of a partial-SOI
[期刊论文] 作者：Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,Luo Xiao-Rong,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2010
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[期刊论文] 作者：Wu Li-Juan,Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Hu Sheng-Dong,Wu Xing-He,Zhu Zhi,Jin Jing-Jing,Chen Yin-Hui,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2014
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[期刊论文] 作者：Wu Li-Juan,Hu Sheng-Dong,Luo Xiao-Rong,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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[期刊论文] 作者：Wu Li-Juan,Hu Sheng-Dong,Zhang Bo,Luo xiao-Rong,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2011
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,Improvement on the breakdown voltage for silicon-on-insulator devices based on epitaxy-separation b
[期刊论文] 作者：Hu Sheng-Dong,Wu Li-Juan,Zhou Jian-Lin,Gan Ping,Zhang Bo,Li Zhao-Ji,
来源：中国物理B（英文版） 年份：2012
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[期刊论文] 作者：HU Sheng-Dong,JIN Jing-Jing,CHEN Yin-Hui,JIANG Yu-Yu,CHENG Kun,ZHOU Jian-Lin,LIU Jiang-Tao,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2015
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[期刊论文] 作者：HU Sheng-Dong,ZHANG Ling,CHEN Wen-Suo,LUO Jun,TAN Kai-Zhou,GAN Ping,ZHU Zhi,WU Xing-He,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2012
A 50-60 V class ultralow specific on-resistance (Ron,sp) trench power MOSFET is proposed.The structure is characterized by an n+-layer which is buried on the to...
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