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[期刊论文] 作者：L.Jastrzebski,张成方,
来源：微电子学 年份：1987
比较了典型双极、CMOS和CCD工艺中的内吸除。由于这三种工艺涉及到不同的处理温度、沾污程度和对硅片翘曲的敏感程度,直接的比较相当困难。此外,双极、CMOS和CCD电路的性能对...
[期刊论文] 作者：L.Jastrzebski,莫铭,
来源：微电子学 年份：1991
外延侧向附晶生长(ELO)技术是在单晶硅上面的氧化岛的边缘引晶并在氧化层上附晶生长CVD硅来形成SOI层; ELO技术用常规的外延反应炉来生长外延硅;与别的SOI方法相比,这种SOI膜...
[期刊论文] 作者：L.Jastrzebski,赖宗声,
来源：微电子学 年份：1985
本文研究了I~2L和线性双极电路内吸除工艺对电路性能的影响。这种吸除技术是在工艺过程中通过控制氧在硅片中的沉淀而引入的。已测量出这种影响会使电路的漏电流减少,并反映...
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