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[期刊论文] 作者：WU Jun,ZHAO F H,Ito Y,Yoshida,
来源：发光学报 年份：2001
用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。...
[期刊论文] 作者：WU Jun ZHAO F H Ito Y Yoshida,
来源：发光学报 年份：2001
用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN.在生长了一个20nm厚的缓冲层后,外延生长了1μm厚的立方GaN外延层.利用二次离子质谱测定了掺杂的程度.并用X射线...
[期刊论文] 作者：WU Jun,ZHAO F H,Ito Y,Yoshida,
来源：发光学报 年份：2001
为探究吕家坨井田地质构造格局,根据钻孔勘探资料,采用分形理论和趋势面分析方法,研究了井田7...
[期刊论文] 作者：WU Jun,ZHAO F H,Ito Y,Yoshida S,Onabe,Shiraki Y,
来源：发光学报 年份：2004
用MOVPE方法采取一种两步生长过程生长了未掺杂和Si掺杂的GaN。在生长了一个 2 0nm厚的缓冲层后 ,外延生长了 1 μm厚的立方GaN外延层。利用二次离子质谱测定了掺杂的程度。...
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