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[期刊论文] 作者：冯淦,郑新和,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,孙元平,张泽洪,
来源：中国科学A辑 年份：2004
The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) onsapphire (0001) substrates was investigated by using double crystal X-ray...
[期刊论文] 作者：沈晓明,冯志宏,冯淦,付羿,张宝顺,孙元平,张泽洪,杨辉,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2004
对在GaAs (001) 衬底上用金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究.所用腐蚀液包括HCl、H3PO4、KOH水溶液以及熔融KOH,腐蚀温度为90～300℃.实验...
[期刊论文] 作者：沈晓明,冯志宏,冯淦,付羿,张宝顺,孙元平,张泽洪,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2002
对在GaAs (0 0 1)衬底上用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法生长的GaN薄膜的湿法腐蚀特性进行了研究 .所用腐蚀液包括HCl、H3PO4 、KOH水溶液以及熔融KOH ,腐蚀温度为 90～ 30 0...
[期刊论文] 作者：冯淦,郑新和,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,孙元平,张泽洪,
来源：中国科学：数学英文版 年份：2002
The crystallographic tilt in GaN layers grown by epitaxial lateral overgrowth (ELO) onsapphire (0001) substrates was investigated by using double crystal X-ray...
[期刊论文] 作者：张军,贾春蓉,吕威,张泽洪,曹鋆杰,黄瑜馨,余秋莲,
来源：西华师范大学学报(自然科学版 年份：2020
森林火灾影响地表覆被和土壤性质，改变土壤斥水性，而土壤斥水性被认为是影响土壤水文和侵蚀过程的直接原因。在凉山干旱河谷区土壤斥水性变化特征的研究相对较少。本文采集四川省凉山干旱河谷区表层原状森林土样，通过实验室加热实验，分析不同温度和时间土壤斥水性的......
[期刊论文] 作者：李哲,鞠涛,钮应喜,王嘉铭,张立国,范亚明,杨霏,张泽洪,张宝顺,,
来源：智能电网 年份：2016
化学气相沉积法(chemical vapor deposition,CVD)外延碳化硅是其面向高频率及大功率器件应用的关键技术,而传统的无氯体系4H-SiC外延生长速率只能达到5~10μm/h。采用氯基生...
[期刊论文] 作者：张学敏,张立国,钮应喜,鞠涛,李哲,范亚明,杨霏,张泽洪,张宝顺,,
来源：功能材料 年份：2015
石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体,具有诸多优异的特性,从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最...
[期刊论文] 作者：张学敏,张立国,钮应喜,鞠涛,李哲,范亚明,杨霏,张泽洪,张,
来源：功能材料 年份：2015
石墨烯作为一种碳原子所组成的二维蜂窝状结构晶体，具有诸多优异的特性，从而倍受全世界科学工作者的关注。在碳化硅衬底上外延生长石墨烯是实现石墨烯在微电子领域中应用的最有......
[期刊论文] 作者：鞠涛,李哲,钮应喜,王嘉铭,张立国,范亚明,杨霏,张泽洪,张宝顺,,
来源：智能电网 年份：2004
碳化硅同质外延过程中，反应室杂质浓度是外延片背景载流子浓度的决定因素。反应室内石墨部件外层进行碳化钽涂层处理，极大降低了反应室内的杂质浓度。目前对于涂层影响碳化硅外......
[期刊论文] 作者：王辉,钮应喜,杨霏,蔡勇,张泽洪,曾中明,王敏锐,曾春红,张宝顺,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2015
Inductively coupled plasma(ICP) etching of 4H-SiC using SF6/O2 gas mixture was studied systematically and the effect of etching was examined by metal field plat...
[期刊论文] 作者：张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨,
来源：半导体学报 年份：2020
...
[期刊论文] 作者：王辉,钮应喜,杨霏,蔡勇,张泽洪,曾中明,王敏锐,曾春红,张宝顺,
来源：null 年份：2015
...
[期刊论文] 作者：张泽洪,赵德刚,孙元平,冯志宏,沈晓明,张宝顺,冯淦,郑新和,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了金属有机物化学气相外延 (MOVPE)方法生长的非故意掺杂的立方相 Ga N的持续光电导效应 .在六方相 Ga N中普遍认为持续光电导效应与黄光发射有关 ,而实验则显示在立方 G...
[期刊论文] 作者：张泽洪,孙元平,赵德刚,段俐宏,王俊,沈晓明,冯淦,冯志宏,,
来源：半导体学报 年份：2004
在金属有机物气相外延(MOVPE)方法生长的非故意掺杂的n-GaN上用Pt制成了肖特基接触,并在250～650℃范围内对该接触进行退火.通过实验发现,Pt与非故意掺杂n-GaN外延薄膜可以形成...
[期刊论文] 作者：沈晓明,张秀兰,孙元平,赵德刚,冯淦,张宝顺,张泽洪,冯志宏,杨辉,
来源：半导体学报 年份：2002
研究了用金属有机物气相外延 (MOVPE)方法在 Ga As(0 0 1)衬底上生长的立方相 Ga N(c- Ga N)外延层的光辅助湿法腐蚀特性 ,并和生长在蓝宝石 (0 0 0 1)衬底上的六方相 Ga N (...
[期刊论文] 作者：冯淦,郑新和,朱建军,沈晓明,张宝顺,赵德刚,孙元平,张泽洪,王玉田,杨辉,梁骏吾,
来源：中国科学(A辑) 年份：2002
采用双晶X射线衍射（DC-XRD）研究蓝宝石（0001）衬底上横向外延GaN层中晶面倾斜的形成原因.发现横向生长区的GaN在垂直掩模方向上朝SiNx掩模层弯曲.采用选择性腐蚀逐渐去掉SiNx掩模层,发现XRD中GaN（0002）ω扫描衍射峰两侧存在与晶面倾斜有关的衍射信息.该衍射信息起初为......
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