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[期刊论文] 作者：崔江维, 郑齐文, 余徳昭, 周航, 苏丹丹, 马腾, 郭旗,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2017
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[期刊论文] 作者：马腾, 崔江维, 郑齐文, 魏莹, 赵京昊, 梁晓雯, 余学,
来源：现代应用物理 年份：2017
利用10MeV 质子对130nm 部分耗尽SOIMOS器件进行辐照,测试了在不同辐照 吸收剂量下,器件的辐射诱导泄漏电流和栅氧经时击穿寿命等参数,分析了质子辐照对器件 TDDB可靠性的影...
[期刊论文] 作者：魏莹,崔江维,郑齐文,马腾,孙静,文林,余学峰,郭旗,
来源：现代应用物理 年份：2017
利用 TCAD 仿真技术,研究了电离总剂量辐射陷阱电荷对0.18μm N 沟道 MOSFET 转移特性的影响.构建了0.18μm N 沟道MOSFET的三维仿真结构,获得了在电离总 剂量（total ionizin...
[期刊论文] 作者：崔江维,薛耀国,余学峰,任迪远,卢健,张兴尧,,
来源：半导体学报 年份：2012
Total dose irradiation and the hot-carrier effects of sub-micro NMOSFETs are studied.The results show that the manifestations of damage caused by these two effe...
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,刘刚,王义元,孙静,崔江维,,
来源：半导体学报 年份：2010
Total dose effects and annealing behavior of domestic n-channel VDMOS devices under different bias conditions were investigated.The dependences of typical elect...
[期刊论文] 作者：崔江维, 余学峰, 刘刚, 李茂顺, 兰博, 赵云, 费武雄,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
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[期刊论文] 作者：郑齐文,崔江维,王汉宁,周航,余徳昭,魏莹,苏丹丹,,
来源：物理学报 年份：2016
对0.18μm互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺的N型金属氧化物半导体场效应晶体管（NMOSFET）及静态随机存储器（SRAM）开展了不同剂量率下的电离总剂量辐照试验研究.结果表明：在相同累积剂......
[期刊论文] 作者：王保顺,崔江维,郑齐文,席善学,魏莹,雷琪琪,郭旗,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2020
为了解FinFET在辐射环境下的可靠性,对22 nm体硅N型FinFET热载流子注入效应及电离总剂量效应进行了研究。试验结果表明,本批次nFinFET热载流子效应显著,鳍数越少参数退化越多...
[期刊论文] 作者：张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫,
来源：物理学报 年份：2013
对一款商用串口I2C型铁电存储器进行了60Coγ辐射和退火实验,研究了铁电存储器的总剂量效应和退火特性.使用了超大规模集成电路测试系统测试了铁电存储器的DC,AC,功能参数,分...
[期刊论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,席善斌,邓伟,崔江维,张晋新,,
来源：原子能科学技术 年份：2013
为了研究数模转换器在电离辐射环境中的可靠性，选取12位LC2MOS工艺的数模转换器作为研究对象，使用60Co7射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的总剂量电离辐射效应研究...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,周航,,
来源：发光学报 年份：2014
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极...
[期刊论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,席善斌,邓伟,崔江维,张晋新,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2013
A digital-to-analog converter(DAC) in CBCMOS technology was irradiated by 60Co-rays at various dose rates and biases for investigating the ionizing radiation re...
Dose-rate effects of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors at various biasing
[期刊论文] 作者：兰博,郭旗,孙静,崔江维,李茂顺,陈睿,费武雄,赵云,,
来源：半导体学报 年份：2010
The total-dose response and annealing effect of p-channel metal oxide semiconductor field-effect transistors (PMOSFETs) were investigated at various dose rates...
Total dose ionizing irradiation effects on a static random access memory field programmable gate arr
[期刊论文] 作者：高博,余学峰,任迪远,李豫东,孙静,崔江维,王义元,李明,,
来源：半导体学报 年份：2012
SRAM-based FPGA devices are irradiated by ~(60)Coγrays at various aose rates 10 investigate total dose effects and the evaluation method.The dependences of typ...
[期刊论文] 作者：张兴尧, 郭旗, 陆妩, 张孝富, 郑齐文, 崔江维, 李豫东,,
来源：物理学报 年份：2013
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[期刊论文] 作者：卢健,余学峰,李明,张乐情,崔江维,郑齐文,胥佳灵,,
来源：核技术 年份：2012
通过对CMOS SRAM器件在7种不同的偏置条件(包括静态偏置和动态读写偏置)下进行电离辐射总剂量效应的研究,获得了不同偏置条件下SRAM器件功耗电流和功能出错数随累积剂量的响...
[期刊论文] 作者：兰博,郭旗,孙静,崔江维,李茂顺,费武雄,陈睿,赵云,,
来源：核技术 年份：2010
对比研究了国内外五种不同型号的PMOSFETs,在不同剂量率、不同偏置条件下的辐照响应特性;并对高剂量率辐照后的器件进行了与低剂量率辐照等时的室温退火。结果表明,随着辐照...
[期刊论文] 作者：马腾,苏丹丹,周航,郑齐文,崔江维,魏莹,余学峰,郭旗,
来源：红外与激光工程 年份：2018
研究了γ射线辐照对130 nm部分耗尽(Partially Depleted, PD)绝缘体上硅(Silicon on Insulator, SOI)工艺MOS器件栅氧经时击穿(Time-Dependent Dielectric Breakdown, TDDB)寿命的影响。通过测试和对比辐照前后NMOS和PMOS器件的转移特性曲线、阈值电压、关态泄......
[期刊论文] 作者：马腾, 崔江维, 郑齐文, 魏莹, 赵京昊, 梁晓雯, 余学峰,,
来源：现代应用物理 年份：2017
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[期刊论文] 作者：崔江维,余学峰,刘刚,李茂顺,兰博,赵云,费武雄,陈睿,,
来源：原子能科学技术 年份：2010
对国产工艺的部分耗尽SOIMOSFET^60Coγ射线的总剂量辐照效应及其可靠性进行了研究。结果表明：辐照引入的氧化物陷阱电荷是阈值电压漂移的主要因素;背栅对总剂量辐照更为敏感,...
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