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[会议论文] 作者：张文俊,崔立奇,武一宾,陈昊,阎发旺,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[会议论文] 作者：苗振林,武一宾,陈昊,齐国虎,商耀辉,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
我们用分子束外延(MBE)方法在GaAs衬底上通过变质缓冲层生长了AlInAs/GaInAs变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)结构材料.详细讨论了变质缓冲层的生长机理,通过实验研究了生长条件和残余应力对表面形貌和电性能的影响.并且设计生长了InAs组分线性增加至匹配的常规型......
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子工艺技术 年份：2007
对GaAs基共振隧穿二极管（RTD）进行了研究，首先用分子束外延（MBE）方法进行AlAs／GaAs／InGaAs双势垒单势阱材料结构的生长。接着用常温光致荧光（PL）方法对结构材料进行了测试分析，其结果显......
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：电子器件 年份：2007
用分子束外延技术（MBE）生长了GaAs基共振隧穿二极管（RTD）的材料结构,利用X射线双晶衍射（XRD）方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17″,GaAs层与In0.1......
[期刊论文] 作者：杨瑞霞,陈宏江,武一宾,杨克武,杨帆,
来源：电子器件 年份：2007
用α台阶仪和原子力显微镜(AFM)研究了不同体积比的柠檬酸(50%)/双氧水溶液对GaAs/AlxGa1-xAs系统的选择湿法腐蚀特性,对AlxGa1-xAs停止层的组分和腐蚀液体积比进行了优化.当...
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,,
来源：半导体学报 年份：2007
用分子束外延技术在半绝缘GaAs衬底上生长制备了不同结构的AlAs/GaAs/InGaAs两垒一阱RTD单管.经过材料生长设计和工艺的改进,测得室温下器件的最高PVCR为2.4,峰值电流密度达...
[期刊论文] 作者：卜夏正,武一宾,商耀辉,牛晨亮,王健,,
来源：微纳电子技术 年份：2015
开发出一种适用于3mm功率器件的新沟道结构的GaAs PHEMT外延材料。分析了提高电子迁移率的途径,讨论了InGaAs电子有效质量和In组分的关系,参考InP HEMT结构的迁移率和沟道电...
[期刊论文] 作者：王建峰,商耀辉,武一宾,牛晨亮,卜夏正,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
为了获得波长长、均匀性好和发光效率高的量子点,采用分子束外延（MBE）技术和S-K应变自组装模式,在GaAs（100）衬底上研究生长了三种InAs量子点。采用MBE配备的RHEED确定了工艺参数：A......
[期刊论文] 作者：李若凡,武一宾,马永强,张志国,杨瑞霞,,
来源：半导体技术 年份：2008
从正-逆压电极化效应对GaN材料的影响出发，通过自洽求解一维Poisson-Schrtidinger方程，研究了逆压电极化效应对AlGaN／GaN异质结中2DEG浓度的影响。计算结果显示，逆压电极化明显影...
[期刊论文] 作者：郭荣辉,赵正平,郝跃,刘玉贵,武一宾,
来源：物理学报 年份：2004
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点,制作出多岛结构的单电子晶体管.在77 K温度下对源漏特性进行了测试,得到了库仑阻塞特性.并且成功抑制了单岛单电...
[期刊论文] 作者：武一宾,杨瑞霞,商耀辉,牛晨亮,王健,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
利用Airy函数和传输矩阵方法计算了不对称势垒厚度的InP基AlAs/InGaAs/AlAs DBS结构在偏压情况下的共振透射系数,并通过材料生长和器件工艺制作得到了共振隧穿二极管的直流I-...
[期刊论文] 作者：卜夏正,武一宾,商耀辉,牛晨亮,赵辉,崔琦,,
来源：微纳电子技术 年份：2009
设计并用分子束外延（MBE）法制备了不同沟道结构的GaAs PHEMT材料，采用高分辨率X射线双晶衍射仪（DCXRD）、应力测试仪和霍尔测试仪对样品的结晶质量、薄层组分和厚度偏差、应力以及......
[期刊论文] 作者：张磊,杨瑞霞,武一宾,商耀辉,高金环,NIU Chen-liang,,
来源：电子器件 年份：2007
用分子束外延技术(MBE)生长了GaAs基共振隧穿二极管(RTD)的材料结构,利用X射线双晶衍射(XRD)方法对材料进行了测试分析.结果表明,材料的双晶衍射峰半峰宽达到16.17",GaAs层与...
[期刊论文] 作者：郭荣辉,赵正平,刘玉贵,武一宾,吕苗,杨拥军,
来源：微纳电子技术 年份：2003
随着电子器件的小型化,器件的尺寸已经到了介观尺寸,传统的器件日益接近其物理机理的禁区,一些新的介观器件随之出现.本文根据介观系统的新特点,介绍了几种典型的纳电子器件,...
[期刊论文] 作者：郭荣辉,赵正平,郝跃,刘玉贵,武一宾,吕苗,
来源：物理学报 年份：2005
在淀积有纳米间隙栅电极、源电极和漏电极的衬底上生长量子点 ,制作出多岛结构的单电子晶体管 .在 77K温度下对源漏特性进行了测试 ,得到了库仑阻塞特性 .并且成功抑制了单岛...
[期刊论文] 作者：李若凡, 武一宾, 杨瑞霞, 马永强, 商耀辉, 牛晨亮,,
来源：半导体技术 年份：2007
电化学C-V法是当前测量化合物半导体载流子浓度纵向分布的非常重要的方法。用电化学C-V测试仪对外高内低、有较大浓度梯度的外延样品进行载流子浓度纵向分布测量时发现，内层低...
[期刊论文] 作者：高金环,杨瑞霞,武一宾,刘岳巍,商耀辉,杨克武,,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了InP衬底AlAs／In0.53Ga0.47As／AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管（RTD）器件的研制．结构材料由分子束外延制备，衬底片为（001）半绝缘InP单晶片，器件制作选用台面结构．测得室温下的峰值......
[期刊论文] 作者：李若凡,杨瑞霞,武一宾,张志国,许娜颖,马永强,
来源：物理学报 年份：2004
通过自洽求解一维Poisson-Schrodinger方程,模拟了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管在工作时等效外电场对AlGaN/GaN异质结沟道处二维电子气(2DEG)浓度的影响.分析了逆压电极化效...
[期刊论文] 作者：武一宾,张文俊,张允清,柏亚青,崔立奇,李明杰,周章文,,
来源：半导体情报 年份：1991
分析了在-196～660℃范围内温度及其变化速度对PBN坩埚和Al的机械性能的影响,进而分析了Al坩埚的热应力分布及变化。确定了Al坩埚的维持温度,指明了常用的升温和降温速度对Al坩...
[期刊论文] 作者：周章文,张允清,柏亚青,李明杰,崔立奇,张文俊,武一宾,,
来源：半导体情报 年份：1991
采用MBE工艺,研究在AlGaAs中δ掺硅,并生长了单δ层和多δ层两种结构。用电化学C-V和SIMS测量离化硅浓度和硅原子浓度分布。SIMS测量结果表明升高硅源温度比延长硅注入时间对...
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