InP衬底AlAs／In0．53Ga0．47As RTD的研制

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：pengwei000

【摘要】

：

报道了InP衬底AlAs／In0.53Ga0.47As／AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管（RTD）器件的研制．结构材料由分子束外延制备，衬底片为（001）半绝缘InP单晶片，器件制作选用台面结构．测得室温下的峰值

【作者】

：

高金环杨瑞霞武一宾刘岳巍商耀辉杨克武

【机构】

：

中国电子科技集团公司第十三研究所,河北工业大学信息工程学院,石家庄铁道学院电气分院

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2007年4期

【关键词】

：

共振隧穿二极管分子束外延台面结构 INP衬底峰-谷电流比 resonant tunneling diode molecular beam epitaxy

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报道了InP衬底AlAs／In0.53Ga0.47As／AlAs两垒一阱结构共振隧穿二极管（RTD）器件的研制．结构材料由分子束外延制备，衬底片为（001）半绝缘InP单晶片，器件制作选用台面结构．测得室温下的峰值电流密度为1．06×10^5A／cm^2，峰．谷电流比为7．4，是国内报道的首例InP材料体系RTD器件．

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