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[期刊论文] 作者：李晶晶,赵以贵,贾锐,李冬梅,牛洁斌,柯导明,陈军宁,,
来源：微细加工技术 年份：2008
提供了采用电子束光刻、X射线光刻和金属剥离技术制作亚微米尺寸的声表面波叉指换能器的方法。首先利用电子束光刻和微电镀技术制作X射线光刻的掩模,然后利用X射线光刻和剥离...
[期刊论文] 作者：张海英,刘训春,尹军舰,陈立强,王润梅,牛洁斌,刘明,
来源：半导体学报 年份：2005
毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础．从优化器件结构的角度，提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件．实验证明，采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的影响，......
[会议论文] 作者：朱效立,谢常青,牛洁斌,陈宝钦,刘明,曹磊峰,魏来,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
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[会议论文] 作者：牛洁斌[1]陈菁菁[2]刘明[1]陈宝钦[1]王云翔[1],
来源：第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会 年份：2003
随着移动通讯系统的迅速发展,声表面波器件(SAW)使用频率不断提高,从最初的几MHz到现在的几GHz,其线宽也进入亚微米、深亚微米阶段,如何制得精细的叉指换能器电极成为声表器...
[期刊论文] 作者：张海英,刘训春,尹军舰,陈立强,王润梅,牛洁斌,刘明,
来源：半导体学报 年份：2005
毫米波晶体管的制作技术是微波电路设计和制造的基础.从优化器件结构的角度,提出了一种锯齿型源漏的新型InP基HEMT器件.实验证明,采用这种结构可以减少光刻过程中临近效应的...
[会议论文] 作者：朱效立,谢常青,曹磊峰,魏来,牛洁斌,陈宝钦,刘明,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
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[期刊论文] 作者：黄杰,郭天义,张海英,徐静波,付晓君,杨浩,牛洁斌,,
来源：半导体学报 年份：2010
A new PMMA/PMGI/ZEP520/PMGI four-layer resistor electron beam lithography technology is successfully developed and used to fabricate a 120 nm gate-length lattic...
[期刊论文] 作者：黄杰,郭天义,张海英,徐静波,付晓君,杨浩,牛洁斌,,
来源：半导体学报 年份：2010
120 nm gate-length In_(0.7)Ga_(0.3)As/In_(0.52)Al_(0.48) As InP-based high electron mobility transitions(HEMTs) are fabricated by a new T-shaped gate electron b...
[会议论文] 作者：谢常青,牛洁斌,王德强,董立军,陈大鹏,伊福廷,张菊芳,
来源：北京同步辐射装置2005年学术年会暨学术委员会 年份：2005
经过三十多年的研发,接近式X射线光刻技术已经非常成熟,其具有分辨率高、焦深大、工艺宽容度大、产量高等诸多优点.对于X射线掩模吸收体材料,如果选择金,只能采用电镀工艺,而...
[期刊论文] 作者：刘亮,张海英,尹军舰,李潇,徐静波,宋雨竹,牛洁斌,刘训春,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管，这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管，器件直流特性也很优异：跨导...
[期刊论文] 作者：朱效立,马杰,曹磊峰,杨家敏,谢常青,刘明,陈宝钦,牛洁斌,,
来源：半导体学报 年份：2007
采用电子束光刻、X射线光刻和微电镀技术,成功制作了面积为10mm×0.5mm,周期为500nm,占空比为1∶1,金吸收体厚度为430nm的可用于X射线衍射的大面积透射光栅。首先利用电...
[期刊论文] 作者：陈宝钦,赵珉,吴璇,牛洁斌,刘键,任黎明,王琴,朱效立,徐秋,
来源：微纳电子技术 年份：2008
电子束光刻技术是推动微米电子学和微纳米加工发展的关键技术,尤其在纳米制造领域中起着不可替代的作用。介绍了中国科学院微电子研究所拥有JEOLJBX5000LS、JBX6300FS纳米电...
[期刊论文] 作者：朱效立,谢常青,赵珉,陈宝钦,叶甜春,牛洁斌,张庆钊,刘明,,
来源：微细加工技术 年份：2008
为了制备高线密度X射线透射光栅掩模，分析了电子束光刻中场拼接对高线密度光栅图形的影响；利用几何校正技术和低灵敏度的950k的PMMA电子束抗蚀剂，克服了电子束的邻近效应对厚胶......
[会议论文] 作者：朱效立,谢常青,牛洁斌,陈宝钦,刘明,叶甜春,易涛,刘慎业,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
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[期刊论文] 作者：刘亮,张海英,尹军舰,李潇,徐静波,宋雨竹,牛洁斌,刘训春,,
来源：半导体学报 年份：2007
报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨...
[期刊论文] 作者：谢常青,朱效立,牛洁斌,李海亮,刘明,陈宝钦,胡媛,史丽娜,,
来源：光学学报 年份：2011
微纳光学结构制备技术一直是微纳光子学器件发展的技术瓶颈。针对微纳光学结构制备技术向小尺寸、高精度和广泛应用发展的趋势,报道了基于电子束、X射线和接近式光学的混合光...
[期刊论文] 作者：徐静波,张海英,王文新,刘亮,黎明,付晓君,牛洁斌,叶甜春,,
来源：科学通报 年份：2008
电子束光刻(electron beam lithography)技术是实现微细栅长的光刻技术之一,利用电子束光刻技术制备出200nm栅长GaAs基MHEMT器件.同时为了减少栅寄生电容和寄生电阻,采用3层...
[会议论文] 作者：朱效立,谢常青,易涛,刘慎业,牛洁斌,陈宝钦,刘明,叶甜春,
来源：2013‘全国半导体器件技术、产业发展研讨会暨第六届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2013
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[会议论文] 作者：陈宝钦,赵珉,王其祥,顾长志,杨海方,牛洁斌,吴璇,朱效立,
来源：第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会 年份：2010
文章重点介绍应用于标准参考物质样品制造的线曝光图形处理技术、电子束与光学曝光混合光刻技术、高反差高分辨率电子抗蚀剂HSQ工艺技术、邻近效应校正技术等，同时介绍探索性...
[期刊论文] 作者：陈宝钦,赵珉,吴璇,牛洁斌,刘键,任黎明,王琴,朱效立,徐秋霞,,
来源：微纳电子技术 年份：2020
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