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[期刊论文] 作者：钮利荣,徐筱乐,蒋幼泉,杨端良,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
对移动通信用单刀双掷开关制作工艺中的GaAs全离子注入技术进行了实验比较和讨论,认为76 mmGaAs圆片经光片注入Si离子后包封40 nm SiO2+60 nm SiN进行快速退火再进行B离子...
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,许正荣,黄子乾,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2006
在微波功率发射系统中,为防止高灵敏接收机前置低噪声放大器(LNA)被发射的泄漏功率烧毁,需在前置低噪声放大器前面安置PIN二极管限幅器。通过控制PIN二极管的工作状态,在...
[期刊论文] 作者：吴振海,郝西萍,蒋幼泉,陈新宇,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试 ,对参数进行统计分析 ,能判断成品率是否正常 ,并帮助找出影响成品率的原因。本文介绍了行之有效的测试统计和...
[期刊论文] 作者：陈新宇,蒋幼泉,黄念宁,陈效建,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
报道了K波段的PHEMTMMIC的设计与研制。PHEMT器件采用0.5μm栅长的3inchGaAs标准工艺制作。三级的MMIC放大器在18GHz处,线性增益17dB,输出功率P－1=19dBm。Reported the desi...
[会议论文] 作者：吴振海,郝西萍,蒋幼泉,陈新宇,
来源：全国化合物半导体.微波器件和光电器件学术会议 年份：2000
成品率高低是批量生产能否进行的关键。采用全自动在片直流测试，对参数进行统计分析，能判断成品率是否正常，并帮助找出影响成品率的原因。该文介绍了行之有效的测试统计和分析技......
[会议论文] 作者：钮利荣,徐筱乐,蒋幼泉,杨端良,
来源：2001全国微波毫米波会议 年份：2001
对手机用砷化镓射频开关制作工艺中的离子注入及其退火技术进行了实验,认为φ76mm砷化镓圆片经光片注入Si离子后包封40nm SiO+60nm SiN进行快速退火的工艺方法先进,表面物理...
[期刊论文] 作者：顾炯,陈克金,蒋幼泉,李祖华,陈堂胜,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1997
简介了移动电话单片功率放大器的设计、制作，给出了电路拓扑和版图．该三级放大电路在800－900MHz内，小信号增益＞35dB，饱和输出功率＞32dBm，效率＞34%。采用50mm全高于注入全平面干法工艺，......
[期刊论文] 作者：柏松,陈刚,李哲洋,张涛,汪浩,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
分别在导通和半绝缘4H-SiC衬底上外延生长了MESFET结构并制成器件.两种衬底上的SiC MESFET具有类似的直流特性,饱和电流为350mA/mm,最大跨导为25～30mS/mm,击穿电压大于120V.导...
[期刊论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2007
介绍了制作4H-SiC MESFET器件的关键工艺.通过改进工艺,采用半绝缘衬底的国产SiC三层外延片,制造出总栅宽为1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET...
[期刊论文] 作者：彭龙新,蒋幼泉,黄子乾,杨立杰,李建平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2009
功率GaAsPIN限幅器已广泛地应用于微波系统中，以保护接收支路中的低噪声放大器。现有工程大多只进行小信号设计，而输入耐功率和输出漏功率只能通过实验不断调整，限幅器的综合性......
[会议论文] 作者：冯忠,王雯,陈刚,李哲洋,柏松,蒋幼泉,
来源：全国第十二届微波集成电路与移动通信学术会议 年份：2008
本文详细描述了4H-SiC功率MESFET台面光刻技术,利用光刻胶阻挡离子束台面刻蚀,其工艺简单,重复性好,获得良好的4H-SiC刻蚀表面,有利于器件的性能提高.SiC的台面刻蚀需要较长...
[会议论文] 作者：陈刚,柏松,张涛,汪浩,李哲洋,蒋幼泉,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
本文介绍制作4H-SiC MESFET器件中的总栅宽1mm,2GHz连续波下输出功率大于4W,小信号增益大于10dB的SiC MESFET管....
[期刊论文] 作者：陈新宇, 蒋幼泉, 许正荣, 黄子乾, 李拂晓,,
来源：半导体学报 年份：2006
采用GaAspin二极管,完成了15~40GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.GaAspin二极管SPST开关单片具有低插损、高隔离、高功率的特点,在15~20GHz带内插损0·6dB,驻波优于1·5,...
[期刊论文] 作者：彭龙新, 周正林, 蒋幼泉, 林金庭, 魏同立,
来源：稀有金属 年份：2004
报道了X波段0.5 μm GaAs PHEMT 全单片低噪声放大器芯片.该放大器芯片由四级级联放大电路构成.芯片面积为2.43×1.85 mm2.该放大器芯片在通带内测试结果为: 在工作条件V...
[期刊论文] 作者：陈新宇,陈效建,郝西萍,李拂晓,蒋幼泉,
来源：半导体学报 年份：2002
采用基于测量 S参数和直流参数的工程模型与微波在片测试技术 ,建立与76 mm Ga As工艺线直接结合的Ga As器件 (MESFET,PHEMT)的 MMIC CAD适用器件模型及模型库 ,并通过对不...
[会议论文] 作者：蒋东铭,陈新宇,蒋幼泉,黄子乾,冯欧,
来源：2009年全国微波毫米波会议 年份：2009
采用3英寸圆片GaAsPIN工艺设计和制作了非反射型毫米波单刀单掷开关单片。GaAsPIN二极管SPST开关具有低插损、高隔离度、高功率的优点，工作频段25～40GHz，输入端在关断态下采用非...
[会议论文] 作者：李拂晓;蒋幼泉;高建峰;黄念宁;徐中仓;,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
砷化镓PHEMT功率器件具有工作频率高,输出功率密度大,效率高,功率效益高等特点.本文研制的0.5um栅长GaAs PHEMT小功率晶体管,栅宽1mm,直流跨导250ms/mm,栅漏反向击穿电压大于...
[会议论文] 作者：陈新宇,许正荣,蒋幼泉,黄子乾,李拂晓,
来源：第六届全国毫米波亚毫米波学术会议 年份：2006
本文采用GaAs PIN二极管,完成1～40 GHz的单刀单掷开关单片的设计、制作.砷化镓PIN二极管SPST开关单片具有低插损,高隔离,高功率的特点,在1～10 GHz带内插损0.3 dB,驻波优于1.1,隔离度大于24 dB,在10～40 GHz,带内插损小于0.8 dB,驻波优于1.2,隔离度大于30 dB.PIN二极......
[会议论文] 作者：陈新宇;许正荣;蒋幼泉;张斌;李拂晓;邵凯;,
来源：2003中国国际集成电路研讨会 年份：2003
本文采用GaAs集成电路的设计和工艺技术，研制开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关集成电路，电路拓扑采用串并结构，在0.9GHz，插入损耗小于0.9dB，隔离度典型值为50dB，产品性能指标......
[会议论文] 作者：许正荣,陈新宇,蒋幼泉,张斌,李拂晓,邵凯,
来源：2003全国微波毫米波会议 年份：2003
基于成熟的GaAs集成电路的设计和工艺技术,采用准确的控制电路模型,开发移动通讯用的GaAs MMIC单刀双掷开关芯片电路,电路拓扑采用串并型结构,在0.9GHz,插入损耗小于0.9dB,隔离度典型值为50dB,产品性能指标达到国外同类产品.GaAs开关电路采用3英寸GaAs圆片标准......
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