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[期刊论文] 作者：彭志坚,谢茂浓,等,
来源：物理化学学报 年份：2003
设计了metal-polysilane-silicon（MPS）结构。首次发现MPS结构具有电容－电压（C－V）特性，许多MPS结构的C－V曲线平带电压为正，且其C－V特性与聚硅烷枝化度一致，即随着聚硅烷枝化度提高，MPS结构......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,彭志坚,等,
来源：四川大学学报：自然科学版 年份：2000
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备SiO2膜，由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065－1088cm^-1范围变化，XPS谱给出Si2p的结合能为103．3－10......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,文芳,
来源：半导体情报 年份：1998
对真空紫外光直接光ＣＶＤ法制备的ＳｉＯ２膜进行温度偏压处理，测量了处理前后的高频Ｃ－Ｖ特性曲线，计算出可动离子数为２×１０１１ｃｍ－２。处理后的特性曲线有明显的滞后效应，其滞后方向与极化效应的方向相同，其等......
[期刊论文] 作者：谢茂浓, 谭同余, 焦其书,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2004
本文对P型（100）无位错硅晶片的热氧化堆垛层错长度生长和收缩规律进行了研究.给出层错长度、氧化时间,氧化温度之间的关系为L=ktnexp（-E/KT）.对于干氧氧化,n和E分别为0.62和2.08...
[期刊论文] 作者：向少华,谢茂浓,张明高,
来源：怀化学院学报 年份：2003
利用剂量为1013 cm～1016 cm-2,能量为0.4 Mev～1.8 Mev的电子束辐照Poly-SiO2/Si结构,对辐照后样品进行了C-V特性曲线测试.测试结果表明,高能电子束辐照Poly-SiO2/Si结构引起的M...
[期刊论文] 作者：董会宁,杜开瑛,谢茂浓,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1995
非晶硅的二步快速退火固相晶化董会宁，杜开瑛，谢茂浓（物理系）我们采用二步退火法，对由等离子增强化学汽相淀积法（ＰＥＣＶＤ）制备的ａ－Ｓｉ：Ｈ膜进行退火处理，并观察了其晶化效果，由于二步快速退火方式与通......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,余仕诚,庞爱兵,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1988
由DZ宽度与退火时间和温度的关系曲线,测定了含氧硅在N_2、O_2、O_2~+5％HCI气氛中退火时硅中间隙氧的外扩散激活能。实验表明:在氧化气氛中退火,有利于原始硅片中潜在微缺陷的...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,石瑞英,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1999
根据光吸收定律和边界层理论 ,得到了直接光CVDSiO2 膜的沉积速率方程RSiO2 =∑ i,j,λKiDiNSiO2ρU0μLI0λ[1-e- (βj·PjCTPT·X) ],此方程与实验结果基本相符 .Accord...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,刘玉荣,
来源：微电子学 年份：1998
采用高频（１ＭＨｚ）Ｃ－Ｖ测试和红外谱，研究了工艺参数对Ｘｅ激发真空紫外光（ＶＵＶ）直接光ＣＶＤＳｉＯ２的ＳｉＯ２／Ｓｉ界面特性的影响。结果表明：衬底温度Ｔｓ对固定氧化物电荷密度ΔＮｏｔ、慢界面态密度ΔＮｓｔ的影响比反应室总气压Ｐｃ和ＳｉＨ２／Ｏ２分压比显著......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,杜开瑛,刘玉荣,
来源：半导体光电 年份：1998
研究了ＶＵＶ（真空紫外）光直接光ＣＶＤ（化学汽相淀积）ＳｉＯ２／Ｓｉ界面微结构缺陷与衬底温度（Ｔｓ）的关系。实验结果表明：在３２℃～１８０℃的温度范围内，与Ｓｉ－Ｏ－Ｓｉ伸缩模相对应的ＩＲ峰位随Ｔｓ的降低从１０６０ｃｍ－１增加至１０８０ｃｍ－１。固定氧化物电荷密度（ΔＮｏｔ）在Ｔｓ＞１２０℃后......
[期刊论文] 作者：石瑞英,龚敏,伍登学,谢茂浓,
来源：高等教育发展研究 年份：2008
为了培养微电子学本科创新人才，我们在“微电子器件原理”课堂教学过程中通过基础教学内容与现代前沿研究成果相结合，师生互动训练学生的参与交流意识和能力，让学生以研究式的眼......
[期刊论文] 作者：向少华,谢茂浓,张明高,廖伟,
来源：半导体光电 年份：2002
氧等离子体处理高阻P型、〈100〉硅片上的聚硅烷涂层,制备了SiO2/Si结构.用C-V技术测量其MOS结构平带电压,结果表明平带电压随氧等离子体处理时间、反应室气压和射频功率等条...
[期刊论文] 作者：谢茂浓,唐琳,彭志坚,傅鹤鉴,,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2004
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层，成功地制备了SiO2膜．由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数，随氧等离子体处理时间的不同在1065～1088cm-1范围变化；XPS谱给出Si2p的结合能为103．3～1......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,向少华,傅鹤鉴,马洪,
来源：半导体光电 年份：1998
红外吸收谱分析表明，聚硅烷Ｐｏｌｙｍｅｔｈｙｌｐｈｅｎｅｔｈｙｌｓｉｌａｎｅ（ＰＭＰＥＳ）在氧等离子体处理后转变成ＰＳｉＯｘ膜，ＰＳｉＯｘ中的ｘ在１．５－２．０之间，其高频Ｃ－Ｖ特性曲线的平带电压为正，大小与氧等离子处理条件和ＰＭＰＥＳ厚度有关。Infrared absorption spectrum analysi......
[期刊论文] 作者：谢茂浓,彭志坚,唐琳,傅鹤鉴,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：2000
作者利用低温氧等离子体处理聚硅烷涂层 ,成功地制备了SiO2 膜 由IR谱给出的Si-O键的吸收峰波数 ,随氧等离子体处理时间的不同在 10 65～ 10 88cm- 1范围变化 ;XPS谱给出Si2 p...
[会议论文] 作者：谢茂浓,彭志坚,唐琳,傅鹤鉴,
来源：中国化学会全国第五届无机化学学术会议 年份：2000
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103.3-103.5eV,硅氧...
[会议论文] 作者：谢茂浓,彭志坚,唐琳,傅鹤鉴,
来源：中国化学会全国第五届无机化学学术会议 年份：2000
用低温等离子体处理聚硅浣涂层成功地制备了SiO膜.IR谱给出Si-O键的吸收峰波数随氧等离子体处理时间不同在1065-1088cm范围变化;XPS谱给出Si2p的结合能为103.3-103.5eV,硅氧原子比为1:1.99;激光椭圆偏振仪测得折射率在1.30-1.55范围;MOS电容的高频C-V特性曲线表......
[期刊论文] 作者：杜开瑛,石瑞英,谢茂浓,廖伟,张敏,
来源：半导体光电 年份：1999
以微波激励氙（Ｘｅ） 发射的真空紫外光（ＶＵＶ） 作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２） 作反应气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ） 工艺，在硅（Ｓｉ） 、钼（ Ｍｏ） 及玻璃衬底上，１２０ ℃的低温下进行了类金刚石碳（ＤＬＣ） 膜的试生长。用Ｘ 射线光电子能谱（ＸＰＳ）......
[期刊论文] 作者：石瑞英,杜开瑛,谢茂浓,张敏,廖伟,
来源：四川大学学报(自然科学版) 年份：1999
以微波激励氙（Ｘｅ）发射的真空紫外（ＶＵＶ）光作光源，乙炔（Ｃ２Ｈ２）作反应气体，氮（Ｎ２）、氩（Ａｒ）和氢（Ｈ２）气为稀释气体，采用直接光化学汽相淀积（ＣＶＤ）工艺，在硅（Ｓｉ）、钼（Ｍｏ）及玻璃衬底上进行了类金刚石碳（ＤＬＣ）膜的淀积生长．通过光电子能谱（ＸＰＳ）和......
[期刊论文] 作者：易春,谢茂浓,彭志坚,向少华,傅鹤鉴,
来源：广西师范大学学报(自然科学版) 年份：2000
用组合成的可溶性聚硅烷 1 71 0 A作涂膜材料 ,进行不同温度的真空热解或高纯氮下热解实验 .通过IR谱和 XPS谱分析 ,在 790～ 81 0 cm-1和 1 2 70 cm-1红外吸收特征峰分别对应...
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