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[会议论文] 作者：郑一阳,卫薇,刘增敏,
来源：第一届中国交流电机调速传动学术会议 年份：1989
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[期刊论文] 作者：郑一阳,张进昌,刘衍,
来源：半导体学报 年份：1985
本文讨论了用GaAs液相和汽相材料制备的Hall器件.在内阻为1kΩ时得到的灵敏度为30mV/mA·kG,温度系数为0.01％/℃,并可工作在-50-+250℃的温区.还讨论了掺Cr高阻衬底、外延层质...
[期刊论文] 作者：王守武,郑一阳,刘朝中,
来源：中国科学 年份：1975
为了寻找一个高效率的固体振荡器,我们研究了Gunn二极管中的雪崩弛豫振荡。本文描述有源区比较短的平面Gunn器件,在数倍于阚值的强场下工作时出现的雪崩弛豫振荡,这种振荡现象归结于畴雪崩后的电子空穴对的周期性出现和消失。它的振幅可以比Gunn振荡大得多,而频......
[期刊论文] 作者：宋海明,韩海,赵柏秦,郑一阳,,
来源：微计算机信息 年份：2008
研究了锑化铟（InSb）霍尔罗盘中的椭圆误差补偿问题。文中详细分析了基于椭圆假设的罗盘误差补偿算法,使罗盘具备了自动误差补偿和自动校准功能。实验结果表明,利用这种算法的霍......
[期刊论文] 作者：王守武,郑一阳,郗小林,张进昌,
来源：半导体学报 年份：1983
本文讨论在GaAs n~+-n-n~+夹层结构的Cunn器件中畴的静止-渡越-静止模式,进行了实验观察和计算机模拟,指出在超过阈值的偏置电压下,当畴的耗尽层进入阳极附近的高掺杂区后,会...
[期刊论文] 作者：宋海明,韩海,郑一阳,赵柏秦,,
来源：电子测量技术 年份：2008
本文研究了锑化铟（InSb）霍尔器件在电子罗盘系统中的应用前景。假设误差的形成为从圆到椭圆的变化过程，并利用该假设推导了椭圆误差补偿算法。证明了利用这种算法可以实现电子罗......
[会议论文] 作者：陈学磊;赵柏秦;郑一阳;韩海;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
针对霍尔元件响应迅速而灵敏度较低的特点,结合目前工程应用中广泛使用的采样保持及AD转换的数据处理方式,讨论了采用脉冲方式驱动霍尔元件,在峰值电压时取样的方式增加霍尔...
[期刊论文] 作者：王守武,郑一阳,郗小林,潘国雄,张进昌,
来源：半导体学报 年份：1983
本文研究具有几何扩展结构的平面Gunn器件.实验上观察到静止畴的形成以及当外加电压升高时转变为渡越畴的现象,用计算机模拟研究也得到了上述过程.根据计算结果,讨论了影响静...
[期刊论文] 作者：郑一阳,张进昌,刘衍芳,彭少近,卢文宏,沈桂贤,张颖竹,苏桂祥,贾奎友,
来源：电子学报 年份：2004
本文首次报导了用InGaAs材料制备的Hall器件。该器件具有输出灵敏度高(比GaAs高50％),功耗小,欧姆接触好以及在较宽的温区(4K到480K)内工作等特点。在4K温度时,可以工作到80kG...
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