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[期刊论文] 作者：吴俊辉,邹建平,朱青,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1999
本文报道用自组织法在硅片上制备纳米多孔氧化铝列阵的技术．在Ｐ型〈１００〉晶向，电阻率为０．５Ω·ｃｍ的清洁硅片上，用电子束蒸发一层４００ｎｍ厚的９９．９９％高纯铝膜，然后将其作为阳极，浸入１５ｗｔ％Ｈ２ＳＯ４溶液中，在直流恒压４０Ｖ、恒温......
[期刊论文] 作者：鲍希茂, 嵇福权, 黄信凡,,
来源：半导体学报 年份：1982
本文用样品表面对(111)晶面的小角度偏离解释了高温退火和热氧化过程中出现的弧形和弓形OSF,分析了它们的形貌特征,并确定了弧形OSF的成核位置.讨论了表面弓形OSF的宽长比.发...
[期刊论文] 作者：茅保华,盛永喜,鲍希茂,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
对于金属-半导体欧姆接触,本文介绍了两种接触电阻率的测量方法:两直径法和回归分析法,测量结果较准确.对同一样品,用多种方法测显,比较其结果并对各种测量方法进行了评述....
[期刊论文] 作者：盛永喜,茅保华,鲍希茂,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
本文对金属—n型Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体欧姆接触的接触电阻进行了理论分析,研究了AuGeNi/n-InP欧姆接触的电学特性、冶金性质和组分分布,其最佳工艺条件已用于器件制造....
[期刊论文] 作者：杨阳,陈健斌,陈慧兰,鲍希茂,
来源：无机化学学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：吴俊辉,邹建平,朱青,鲍希茂,
来源：发光学报 年份：2000
报道了用电子束蒸发技术在硅衬底上沉积 ,并于 1 5wt% H2 SO4 ,温度 2 5℃和 4 0 V直流电压条件下阳极氧化铝薄的制备 (膜厚约 4 0 0 nm)。研究了该阳极氧化铝膜的红外吸收光...
[期刊论文] 作者：顾沂,吴兴龙,唐宁,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：2000
在４８８ｎｍ 的Ａｒ＋ 激光激发下，Ｓｉ覆盖的部分氧化多孔硅（ＰＯＰＳ）的光致发光谱（ＰＬ）在１．７８ｅＶ 处展示了一个稳定的ＰＬ峰，它的强度达到刚制备多孔硅的发光强度．使用Ｘ 射线衍射、Ｒａｍ ａｎ 散射、傅里叶变换红外吸收和电子自旋共振......
[期刊论文] 作者：唐宁,吴兴龙,顾沂,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：2001
使用 5 14 .5 nm Ar+激光检测了 Ge覆盖多孔硅结构的光致发光谱 (PL) ,观察到峰位 2 .2 5 e V,半峰宽约 0 .1e V的一个新的桔绿发光峰 .随着覆盖 Ge薄膜的加厚 ,这个桔绿发光...
[期刊论文] 作者：吴俊辉,邹建平,朱青,鲍希茂,
来源：化学物理学报 年份：1999
目前，有关阳极氧化法生长氧化铝多孔结构的机制，比较流行的看法是电场支持下的溶解模型[1]。根据这种模型的观点，阳极氧化铝首先生成一层致密的非晶氧化铝阻挡层，当阻挡层达到某......
[期刊论文] 作者：吴俊辉,邹建平,朱青,鲍希茂,
来源：电化学 年份：1999
将电子束蒸发在硅衬底（Ｐ型，〈１００〉晶向，０－５ Ω·ｃｍ） 上厚度４００ ｎｍ 、纯度９９－９９ ％的铝膜，浸入具有中等溶解能力的１５ ｗｔ％ Ｈ２ＳＯ４ 中，ＤＣ恒压６０ Ｖ、恒温０ ℃条件下，进行多孔型过度阳极氧化处理，从而在Ｓｉ 基上得到包含空隙层的多......
[期刊论文] 作者：鲍希茂,嵇福权,黄信凡,
来源：半导体学报 年份：1982
本文用样品表面对(111)晶面的小角度偏离解释了高温退火和热氧化过程中出现的弧形和弓形OSF,分析了它们的形貌特征,并确定了弧形OSF的成核位置.讨论了表面弓形OSF的宽长比.发...
[期刊论文] 作者：郭强,鲍希茂,严勇,冯端,
来源：半导体学报 年份：1989
本工作用不同的Si~+预注入能量,改变注入损伤分布与离子注入硼杂质分布的相对位置,观察快速热退火中注入损伤对硼异常扩散的影响.结果表明,引起注入硼异常扩散的是点缺陷,而...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,嵇福权,黄信凡,
来源：半导体学报 年份：1980
本文讨论了硼在硅中的扩散运动对氧化层错生长和收缩动力学的影响.一方面,硼的扩散运动降低氧化层错的激活能,使层错的生长速度增加;另一方面,却又抑制层错的产生和促使层错...
[期刊论文] 作者：廖良生,鲍希茂,闵乃本,
来源：半导体学报 年份：1995
对单晶硅进行Ｃ＋注入，注入能量为５０ｋｅＶ，注入剂量为１×１０１５～１０１７／ｃｍ２．在Ｎ２中经９５０℃退火１小时后，注入层形成尺寸为１～３μｍ的β－ＳｉＣ沉淀．进而采用电化学腐蚀方法将样品制成多孔结构．在紫外光激发下，样品可以发射强度较大的蓝......
[期刊论文] 作者：蒋锡平,鲍希茂,华雪梅,
来源：中国激光 年份：1990
本文用两种波长不同的激光——Ar 激光和CO2激光,对以石英为衬底的a-Si SOI进行了激光结晶。两者的结晶机理不同,得到了不同的结晶形貌。...
[期刊论文] 作者：阎锋,鲍希茂,吴晓薇,陈慧兰,
来源：半导体学报 年份：1995
在室温下观察到嵌于多孔硅中的Ｃ６０分子有强可见光发射。除观察到了多晶状态的Ｃ６０分子峰位在７３０ｎｍ的特征谱外，还检测到了与多孔硅毗连或偶联的Ｃ６０分子的发射光谱，其主峰分别出现在６２０ｎｍ和６３０ｎｍ。嵌于多孔......
[期刊论文] 作者：柳承恩,郑祥钦,阎峰,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1993
采用电化学和化学溶蚀法在体单晶硅上制备了高孔度多孔硅;室温下测量了蓝光激发的光致可见光谱,发现样品在大气环境中保存时光致发光谱随时间有显著“蓝移”,并渐趋稳定,谱峰...
[期刊论文] 作者：杨阳,邹建平,陈慧兰,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：2001
用化学沉积法制备了 C6 0 /多孔硅以及 C6 0 /硅基多孔氧化铝两种硅基介孔复合物 ,并研究了它们的发光性质 .结果表明 C6 0 的毗联可以影响多孔硅的发光性质 ,但对硅基多孔氧...
[期刊论文] 作者：鲍希茂,黄信凡,郭禾,张梅,
来源：半导体学报 年份：1983
我们用CWCO_2激光对注B~+硅片从背面进行辐照,注入的样品受到激光退火的同时,在背面附近的体内引入了大量的晶格损伤.这些损伤可以作为有害杂质的非本征吸杂源.We use CWCO...
[期刊论文] 作者：杨海强,阎锋,官浩,鲍希茂,
来源：半导体学报 年份：1994
本文首次报道离子注入对一系列多孔硅性质的影响．离子辐照引入多孔硅成孔中心，影响多孔硅的形成．随辐照剂量增加，ＰＬ谱峰波长红移，强度下降，半高宽变窄，使制备多孔硅发光图形成为可能．......
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