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[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：电子元件与材料 年份：2001
利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积钛酸镧锶（Sr1-xLaxTiO3）膜，并制成平面型电阻器。研究了薄膜电阻器的光电流与照度、电压和电极间距的关系以及薄膜在调制光下的频率特...
[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,罗坚,李斌,黄美浅,
来源：电子元件与材料 年份：2004
利用氩离子束镀膜技术在SiO2/Si衬底上淀积BST薄膜,研究了氧气氛下退火对BST薄膜热敏特性的影响.结果表明,当退火温度不太高时(≤600℃),薄膜热敏特性随退火温度升高而变差;...
[期刊论文] 作者：黄钦文,李斌,黄美浅,刘仲明,刘芳,
来源：传感器技术 年份：2004
以微阵列电极为基础的电化学生物传感器近几年来发展迅速,是实现生物传感器微型化和集成化的一个重要途径.介绍了微阵列电极以及作为信号转换器在电化学生物传感器中应用的有...
[期刊论文] 作者：刘玉荣,李观启,黄美浅,曾绍鸿,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2001
利用氩离子束镀膜技术在SiO2 /Si衬底上淀积钛酸锶 (SrTiO3)膜 ,并制成平面型电阻器 .结果表明 :在实验温区 (2 8～ 150℃ )内 ,SrTiO3薄膜具有负温度系数电阻特性 ,且热敏特性...
[期刊论文] 作者：朱炜玲,黄美浅,章晓文,陈平,李观启,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：2003
研究热载流子效应对不同的沟道长度n-MOSFETs退化特性的影响.结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,当沟道长度小于1μm时退化加快更显著.这些结果可以用热载...
[期刊论文] 作者：黄美浅,朱炜玲,章晓文,陈平,李观启,
来源：微电子学 年份：2005
研究不同沟道长度n 沟道MOS场效应晶体管的热载流子效应对其退化特性的影响.实验结果表明,随着器件沟道长度的减小,其跨导退化明显加快,特别是当沟道长度小于1mm时更是如此....
[会议论文] 作者：黄美浅,张玉玺,廖奕水,翁文华,曾绍鸿,
来源：第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 年份：1999
用低能量（５５０ｅＶ）氩离子束轰击ｎ沟ＭＯＳＦＥＴ芯片的背面，能改善其阈值电压Ｖｒ、跨导ｇ〈，ｍ〉、沟道电导ｇ〈，ｄ〉、有效迁移率μ〈，ｅｆｆ〉等参数。结果表明，随着轰击时间的增加，阈值电压先减小，然后增大；而跨导、沟道电......
[期刊论文] 作者：李观启,吴英才,黄美浅,曾绍鸿,刘百勇,
来源：物理学报 年份：1995
利用氩离子束镀膜技术,在N型(100)硅单晶片上淀积钛酸钡膜,并制成MIS结构.在室温下测试其电容-相对湿度(C-RH)特性和电流-相对湿度(I-RH)特性.研究退火条件与固定电荷密度和...
[期刊论文] 作者：李观启,严东军,黄美浅,曾绍鸿,刘百勇,
来源：华南理工大学学报(自然科学版) 年份：1995
本文采用氩离子刻蚀法，将ＳｉＯｘＮｙ膜减薄成不同厚度的样片，并制成Ａｌ－ＳｉＯｘＮｙ－Ｓｉ系统的ＭＩＳ电容器。利用平带电压随膜厚度变化的关系和最小二乘法，测定有效功函数差和Ｓｉ－ＳｉＯｘＮｙ系统的固定电荷密度。结果表明，该系统的......
[期刊论文] 作者：李观启,曾勇彪,骆桂良,廖亦水,黄美浅,,
来源：半导体技术 年份：1986
本文提出一种用一次扩散获得不同硼杂质浓度和结深的器件制造方法,它是利用高浓硼杂质穿透二氧化硅层的选择扩散来实现的。采用这一方法,既能保证平面晶体管本征基区所要求的...
[期刊论文] 作者：李观启,曾勇彪,王剑飞,黄美浅,曾绍鸿,
来源：半导体学报 年份：1998
用低能量氩离子束轰击肖特基势垒二极管芯片背面，能有效减小反向电流和理想因子，增高势垒高度和减小势垒电容．对于较大的轰击能量和束流密度，特性改善的效果较显著．但过长的轰击时......
[期刊论文] 作者：黄美浅,黎沛涛,马志坚,郑耀宗,刘百勇,李观启,
来源：半导体学报 年份：1993
本文研究n沟金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET’s)的栅氧化层的击穿特性。由于受导电沟道横向电场产生的沟道大电流的影响,MOSFET’s的栅氧化层的动态击穿场强远低于有...
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