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[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：激光与红外 年份：1992
本文给出了近十年来各种波长的激光在超大规模集成电路(VLSI)的精细化加工中的应用领域,重点介绍了激光在VLSI制备中应用的新进展。包括激光金属平坦化,激光载带自动键合,激...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：激光与红外 年份：1993
激光烧蚀聚合物技术在微电子学器件的图形加工和医学的显微外科中有极其广阔的应用前景。本文概述了激光烧蚀聚合物的动力学模型、能量传递过程及其反应附产物的形式,同时介...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：微电子学与计算机 年份：1991
本文概述了Ⅲ-Ⅴ族化合物分子束外延的新进展——原子层分子束外延(ALMBE).介绍了它的基本原理、生长方法和应用.This paper presents an overview of new advances in mol...
[期刊论文] 作者：宋登元,,
来源：激光与光电子学进展 年份：1993
光电子学的迅速发展使科学界对金刚石(带隙为5.5eV)和SiC(3C-SiC和6H-SiC的带隙分别为2.2和2.9eV)等宽禁带半导体材料的研究和应用日趋活跃。近来,某些宽禁带Ⅲ-Ⅴ族氮化物...
[期刊论文] 作者：宋登元,,
来源：激光与光电子学进展 年份：1993
自1990年英国皇家信号与雷达研究院的Canham发现多孔硅膜可见光发光后,由于这种现象可使Si光电子器件与常规Si器件集成,使芯片间能用光学法传输信号,避免了由于电学法信号传...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体技术 年份：1989
光诱导化学汽相淀(?)(LCVD)技术是一种新的低温化薄膜制备技术.本文首先评述了LCVD技术的特点、原理和装置,然后着重讨论了利用这种技术制备金属、半导体与化合物和介质薄膜...
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：半导体光电 年份：1994
介绍了采用ＭＯＣＶＤ或ＨＶＰＥ技术高质量异质外延生长ＧａＮ薄膜的发展状况。分析和比较了以不同材料为衬底或过渡层生长ＧａＮ的工艺过程和薄膜质量，对生长动力学机理也作了简要介绍。The development......
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：光学技术 年份：1991
光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的...
[会议论文] 作者：宋登元,
来源：第十二届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2016
目录P型硅PERC电池N型硅PERT电池英利N-PERT技术电池技术发展方向P型硅PERC电池产业化高效太阳电池太阳电池高光电转换效率、低制造成本,是可产业化的前提.以目前190um厚度硅...
[会议论文] 作者：宋登元,
来源：SNEC 第九届(2015)国际太阳能产业及光伏工程(上海)论坛 年份：2015
为降低光伏发电的成本，在过去几年中极大的研究努力已经被投入到新型结构的太阳电池和组件。双面电池能够把从电池前面和背面进入的太阳光转化成电力，用高效双面电池制造的......
[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：激光与光电子学进展 年份：1991
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[期刊论文] 作者：宋登元,
来源：激光与光电子学进展 年份：1992
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[会议论文] 作者：宋登元,
来源：2018 年第十四届中国太阳级硅及光伏发电研讨会 年份：2018
YINGLI PADAN N-PERT bifacial cells have already reachedefficiency of 22.81％, and 20.63% on rear side.YINGLI PANDA module with excellent anti-LID performanceprovides 10% - 30% output gain compared to m...
[期刊论文] 作者：宋登元,王小平,
来源：半导体技术 年份：1998
论述了相移光刻掩模技术和１９３ｎｍ准分子激光光刻技术的有关理论、实现方法、光学系统设计、透镜材料、光致抗蚀剂以及应用方面的研究进展。...
[期刊论文] 作者：宋登元,王小平,
来源：半导体技术 年份：2000
论述了激光全息光刻技术的基本原理、发展状况和在制备衍射光栅及场发射平板显示器等光电子器件方面的应用。...
[期刊论文] 作者：宋登元,王小平,
来源：半导体技术 年份：2000
介绍了雪崩光电二极管（ＡＰＤ）和光电倍增管（ＰＭＴ）的工作原理，结构及其特性；论述了为提高它们的竞争力在改善性能方面的新进展；介绍了将半导体哗啦与真空电子器件结合在一起制成的新型光电探测......
[期刊论文] 作者：宋登元,王小平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1999
超大规模集成电路（ＶＬＳＩ）线宽的不断缩小，促进了光刻技术的发展和分辨率的提高，使分辨率已进入到深亚微米区域。光学光刻分辨率的提高是依靠缩短曝光波长，增大透镜系统的数值孔径（ＮＡ），采用新......
[期刊论文] 作者：宋登元, 孙同文,,
来源：中国仪器仪表 年份：1999
光电倍增管（ＰＭＴ）的独特优点，尤其是它极高的光探测灵敏度、低噪声和大的光敏区面积，使它作为高技术测量设备中的首选先传感器，近年来得到了快速发展和广泛的应用。本文在简要地介绍了......
[期刊论文] 作者：王秀山,宋登元,
来源：传感器世界 年份：1997
光传感器是光信息检测中的关键部件.本文着重介绍了半导体雪崩光电二极管(APD)的研究现状和应用,以及一种新型的单光子探测器—真空雪崩光电二极管(VAPD)的结构,原理和特性....
[期刊论文] 作者：宋登元, 郑小强,,
来源：半导体技术 年份：2013
高效率晶体硅太阳电池研究及产业化已成为世界各国光伏技术研究的重点和大力发展的战略性新兴产业。2012年晶体硅太阳电池占全球光伏市场约90%的份额,已经成为光伏行业的主流...
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