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[期刊论文] 作者：徐志荣, 方能新, 曾一平, 张健, 钱梅, 颜莉,,
来源：安徽医科大学学报 年份：2002
目的 比较米力农在心肺转流心脏瓣膜置换手术的麻醉中对血流动力学的影响。方法 随机、双盲将择期换瓣手术患者 2 0例分为 2组 ,1组为米力农组 (M组 ) ,另 1组为控制组 (C...
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1998
本文研究了ＩｎｘＧａ１－ｘＡｓ／ＩｎＰ应变多量子阱中激子跃迁能量随Ｉｎ组分的变化。用国产ＧＳＭＢＥ设备生长了五个样品，这五个样品的阱宽均为５ｎｍ，垒宽均为２０ｎｍ，唯一的不同之处是阱层中的Ｉｎ组分不同，Ｉｎ组分从０．３９变化到０．６８。用Ｘ射线双晶衍......
[会议论文] 作者：曾一平,周宏伟,李歧旺,王宝强,孔梅影,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：孔梅影,孙殿照,梁基本,黄运衡,曾一平,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1988
利用国产MBE没备,选择合适的生长参数,获得优质的GaAs/Al_xGa(1-x)As量子阱结构。对共性能和结构参数进行了光荧光测量,荧光峰的形状和温度特性是衡量量子阱质量的重要判据。...
[期刊论文] 作者：梁基本,孔梅影,孙殿照,曾一平,黄运衡,
来源：半导体学报 年份：1988
利用国产分子束外延设备研制出高质量GaAs-AlGaAs量子阱结构材料.经光荧光测量分析,其n=1的电子-重空穴自由激子复合发光的谱线很窄,半峰宽仅1.2MeV(阱宽141A,温度10.5K),表...
[期刊论文] 作者：范缇文,张永航,曾一平,陈良惠,徐统,
来源：半导体学报 年份：1990
对GaAs/Al_xGa_(1-x)As量子阱材料进行的光致发光(PL),横断面透射电子显微镜(XTEM)和反射电子显微镜(REM)的研究结果表明量子阱材料的结构质量对其光电性能有一定影响。另外,...
[期刊论文] 作者：王春艳,孔梅影,王玉田,郑海群,曾一平,,
来源：半导体情报 年份：1991
利用光荧光和x射线双晶衍射分析方法,研究了MBE GaAs/GaP(001)外延层的能带结构和晶格参数。在外延层厚度大于监界厚度的情况下,GaAs外延层主要受到热膨胀系数不同所引起的张...
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,候洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
在国产CBE设备上，用GSMBE方法首次在国内成功地生长出了具有不同阱宽（1～18nm）的高质量的In0.53Ga0.47As／InP匹配量子阱结构材料，低温光致发光谱测试结果表明：量子阱材料发光谱峰强且......
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
我们对用GSMBE技术生长的In0.63Ga0.37AS／lnP压应变单量子阱样品进行了变温光致发光研究，In0.63Ga0.37As阱宽为1nm到11nm，温度变化范围为10K到300K．发现不同阱宽的压应变量子阱中...
[期刊论文] 作者：王晓亮,孙殿照,孔梅影,侯洵,曾一平,
来源：半导体学报 年份：1997
在国产CBE设备上，用GSMBE技术在国内首次生长出了一系列高质量的阱层具有不同In组分的InxGa1-xAs／InP应变多星子阶P-i-N结构材料，阶层中的设计In组分从0．39变化到0．68．用X射线双晶...
[会议论文] 作者：张昉昉,曾一平,李晋闽,王保强,朱战平,
来源：第六届全国分子束外延学术会议 年份：2001
本文采用分子束外延设备,实现了在Si衬底上直接生长InAs量子点.在生长过程中,通过RHEED观察到了S-K生长模式....
[期刊论文] 作者：徐惠君,曾一平,赵洪进,夏森定,徐金良,
来源：棉纺织技术 年份：2001
0 前言 分梳辊是转杯纺、摩擦纺、涡流纺、静电纺等新型纺纱设备中的关键件，它是将喂入半制品 (纤维 条)进行开松、梳理、排杂，使连续的纤维条尽量分离成平行伸直的单纤维......
[会议论文] 作者：徐惠君,曾一平,赵洪进,夏森定,徐金良,
来源：第十次全国新型纺纱学术会 年份：2000
该文公开了一种新型纺纱机械装备上的主要专件－－齿片式分梳辊。它与现有各种转杯纺纱机的分梳辊的主要区别在于突破了传统分梳辊采用齿条包卷辊体的老工艺，而是采和许多齿片、梳......
[期刊论文] 作者：杨沁清,高俊华,曾一平,孔梅影,孙殿照,
来源：半导体学报 年份：1990
本文介绍一种有别于GaAs MESFET又相似于HEMT结构的器件。采用MBE技术生长i-GaAs/i-GaAlAs/i-GaAs结构,用溅射技术淀积WSi_x,用自对准离子注入形成源-漏区来制备MISHFET。这...
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,李歧旺,卫微,王红梅,孔梅影,
来源：传感器技术 年份：1998
利用分子束外延（ＭＢＥ）生长的高迁移率ＩｎＡｓ外延层成功制备了的薄膜Ｈａｌ器件。这种Ｈａｌ器件具有灵敏度高、温度特性好等优点。室温下的积灵敏度和电压相关的灵敏度分别为１１ｍＶ／ｍＡ·ｋＧｓ和４０ｍＶ／Ｖ·ｋＧｓ（灵敏度比相同掺杂的......
[期刊论文] 作者：周宏伟,曾一平,李歧旺,王红梅,潘量,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1999
利用ＧａＡｓ 衬底上的ＩｎＡｓ薄膜制备的Ｈａｌｌ器件，具有灵敏度高（在相同的电子浓度、室温附近灵敏度是ＧａＡｓ Ｈａｌｌ器件的１．５ 倍），不等位电压温漂小等优点．可用于电流传感器、无刷电机等磁敏传感器中，具有广阔的应......
[期刊论文] 作者：潘栋,曾一平,吴巨,王红梅,李晋闽,孔梅影,
来源：半导体学报 年份：1997
在本文，我们用一个低组分的InxGa(1-x)As缓冲层（x～0．01），有效地限制了50周期的In0.3Ga0．7As／GaAs应变超晶格本身弛豫所产生的位错，X射线双晶衍射测量结果表明使用这样缓冲层的超晶格质......
[会议论文] 作者：庄乾东,李晋闽,曾一平,张方方,王玉田,吴巨,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
利用光荧光(PL)和双晶X射线(DCXRD)技术，研究了快速退火对MBE生长的量子点超晶格的弛豫机制和光学性质的影响。随着退火温度的提高，PL光谱的半高宽减小了28meV，而且峰位兰移86me...
[期刊论文] 作者：刘尧,肖绪瑞,曾一平,孙殿照,阎春辉,郑海群,
来源：电化学 年份：1995
用阻抗谱研究了晶格匹配型单、多量子阱ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ电极在二茂铁乙腈溶液中的界面性能。得到了空间电荷层电容及表面态电容与电极电位的依赖关系。空间电荷电容与量子阱电极的结构有关，而......
[期刊论文] 作者：刘尧,肖绪瑞,林原,曾一平,孙殿照,郑海群,
来源：电化学 年份：1995
多量子阱ＧａＡｓ／Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ电极的瞬态光电流行为刘尧，肖绪瑞，林原（中国科学院感光化学所，北京１００１０１）曾一平，孙殿照，郑海群（中国科学院半导体研究所，北京１０００８３）由于半导体超晶格（量子阱）能带的量子化，使其具有许多完全......
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