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[期刊论文] 作者：信科,,
来源：高师理科学刊 年份：2015
复变函数与积分变换是一门与计算科学、通信、电子工程、力学以及控制理论等联系非常密切的交叉学科,但是传统教学注重知识的传授,忽略了学科中的交叉点.就如何把握复变函数...
[期刊论文] 作者：科信,
来源：太空探索 年份：2015
2014年12月7日，太原卫星发射基地，群山巍巍，残雪点点。11时26分，随着一声巨响，烈焰喷吐，长征四号乙运载火箭携着中巴地球资源卫星04星直上蓝天。这次发射，让中国成为继美、俄之后世......
[期刊论文] 作者：信科,,
来源：单片机与嵌入式系统应用 年份：2015
为了解决Mean Shift算法基于浮点运算计算复杂、难以实时实现及跟踪窗固定的问题,提出一种适合在FPGA上实现的改进的Mean Shift算法。实验结果表明,本文提供的算法能自适应地更新跟踪窗的大小,在4ms内实现对目标的稳定跟踪,程序执行效率比用DSP实现提高5倍左右......
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
这项突破是向下一代光集成电路技术迈出了重要一步。Imec和Ghent大学首次在CMOS试点工艺线上在300mm硅衬底上进行InP激光器阵列的单片集成。这项发表在自然光子学杂志上...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Lockheed Martin公司近期宣布推出新一代雷达技术,即采用氮化镓基收发组件的数字阵列行收发器(DART)。公司称,此次基于氮化镓基的设计会为Lockheed Martin公司目前的雷达产品...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Raytheon公司Patriot Air and Missile Defence系统作战雷达近日完成了产品升级,很快将投入生产。新系统将能够提供360度方位的防御保护。产品改进方面包括,将氮化镓基有源电...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,英飞凌科技公司(Infineon)首次推出其碳化硅基氮化镓射频功率晶体管产品。英飞凌公司表示,作为氮化镓产品系列的组成...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
射频绝缘体上硅公司Peregrine Semiconductor近期宣布在微波频率段实现集成相位和幅值控制,这是其下一阶段智能集成能力的发展重点。去年秋天,Peregrine宣布利用Ultra CMOS技...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
在成功完成了多功能相控阵雷达原型系统的场地实验后,Macom收到了麻省理工学院林肯实验室的首批订单,针对全尺寸的多功能相控阵雷达系统预定可升级的平面阵列组件(SPAR)。SPA...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Macom是一家从事射频、微波以及光电子产业的公司,近日和美国麻省理工学院林肯实验室联合进行了新型多功能相控阵雷达(MPAR)的外场测试。首个基于MPAR的系统已经被美国俄克拉...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
9月6-11号在法国巴黎举办的欧洲微波会议周(EuMW 2015)上,美国CREE公司的子公司Wolfspeed of Raleigh,展示了最新的雷达应用产品,包括行业内目前最高功率的C波段和S波段的氮...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
调查机构YOLE表示,目前碳化硅和氮化镓材料正在与传统硅材料激烈竞争,占据从低功率到高功率应用的巨大市场。目前,宽禁带器件市场并不像预期的那样发展迅猛。器件应用的四大...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
麻省理工学院将旗下的Cambridge Electronics(CEI)公司独立出来,在近期发布了一条氮化镓晶体管和功率电子电路生产线,据称能有效减少数据中心、电能源车、消费类产品的能源消...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
Qorvo公司一直是射频产业的领军供应商,为移动、基础设施、航空和国防应用领域提供产品,近日发布了一款新型输入匹配的氮化镓晶体管,新产品采用低成本的塑料封装,以更高的性...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
美国QEOS公司是一个CMOS毫米波低功率连接和传感解决方案提供商,而Global Foundries是世界上最大型的半导体代工厂之一,在新加坡、德国、美国有超过250家客户和运营商。两家...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
日本Toyoda Gosei公司研发总部的研究人员近日在《应用物理快讯》杂志上发表了研究报告,称最新研发出垂直取向的氮化镓基晶体管,其阻断电压超过1kV。这一研究进展对氮化物器...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
KTH是位于瑞典的皇家科技研究院,近日采用波纹面横向外延过生长(CELOG)方式研制出了由n型InP和p型silicon材料构成的异质结。通常情况下,8%的晶格失配会导致异质结具有较高的...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
纽约州长Andrew Cuomo近日表示,通用电气全球研发中心将成为计算机芯片商业化中心的重要成员。该中心位于美国Utica市SUNY纳米科学和工程研究院内。以GE公司的碳化硅技术为基...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
中国内地和香港的研究者们近日称在4GHz条件和脉冲状态下,最新推出的氮化镓基增强型金属绝缘半导体高电子迁移率晶体管中(MIS-HEMTs)可获得最高的输出功率密度和功率附加效率...
[期刊论文] 作者：科信,,
来源：半导体信息 年份：2015
EPC公司一直专注于功率管理应用领域,生产增强型硅基氮化镓功率场效应晶体管,近期公司发布了一款增强型单片氮化镓晶体管半桥,型号EPC2106。据称,通过将两个加强型氮化镓功率...
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