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[期刊论文] 作者：孙同年,程祺祥,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
自1980年在英国召开首届半绝缘Ⅲ-Ⅴ族材料会议以来,研制适用于GaAs FET和IC的材料已取得很大的进展.半绝缘单晶材料的生长,尤其是非掺杂高纯热稳定的半绝缘GaAs单晶材料的制...
[期刊论文] 作者：赵有文,刘思林,孙同年,高书增,,
来源：半导体情报 年份：2004
介绍了在高压单晶炉内每次直接合成1000g InP的新工艺。对合成的InP进行测试表明,非掺杂InP的载流子浓度一般为3～6×10~(15)cm~(-3),迁移率4200cm~2/V.s以上,最高可达4700～4900...
[期刊论文] 作者：梁仁和, 曾周末, 孙聂枫, 王书杰, 孙同年,,
来源：仪器仪表学报 年份：2004
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[期刊论文] 作者：刘志国, 杨瑞霞, 杨帆, 王阳, 王书杰, 孙同年, 孙聂,
来源：半导体技术 年份：2004
采用P注入原位合成液封直拉生长法制备了富磷的3英寸(1英寸=2.54 cm)〈100〉InP单晶锭,对晶体中气孔的形成机理做了初步分析。采用场发射扫描电子显微镜(SEM)对样品进行表面...
[期刊论文] 作者：毛卫东,王少阶,王柱,孙聂枫,孙同年,赵有文,,
来源：武汉大学学报(自然科学版) 年份：2004
在10～300 K 的温度范围内,测量了用液封直拉法(LEC)生长的n-InP经高温退火后形成的未掺杂SI-InP 晶体的正电子寿命谱. 用PATFIT和MELT两种技术分析了正电子寿命谱. 常温下的结...
[期刊论文] 作者：赵有文,董宏伟,焦景华,赵建群,林兰英,孙聂枫,孙同年,
来源：半导体学报 年份：2004
对液封直拉(LEC)非掺磷化铟(InP)进行930℃ 80h的退火可重复制备直径为50和75mm的半绝缘 (SI)衬底.退火是在密封的石英管内纯磷(PP)或磷化铁(IP)两种气氛下进行的.测试结果表...
[期刊论文] 作者：徐永强,李贤臣,孙聂枫,杨光耀,周晓龙,谢德良,刘二海,孙同年,
来源：半导体技术 年份：2004
InP以其众多的优越特性使之在许多高技术领域有广泛应用。掺硫n型InP材料用于激光器、LED、光放大器、光纤通信等光电领域。为了降低成本和适应新型器件制造的要求,本文进行...
[会议论文] 作者：孙聂枫,周晓龙,陈秉克,杨光耀,付建德,赵彦军,杨克武,孙同年,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
磷化铟(InP)是一种重要的半导体材料.本工作用一种快速直接磷注入合成和高压液封直拉晶体生长方法制备InP多晶.用这种方法可以在60—70分钟内合成3800克InP并生长在2—4英寸I...
[会议论文] 作者：周晓龙,孙聂枫,赵彦军,杨克武,杨光耀,谢德良,刘二海,孙同年,
来源：第十三届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议暨第九届全国固体薄膜学术会议 年份：2004
采用国际通用的方法,测定了不同类型的用高压LEC法生长的Φ50mmInP单晶样品的整片位错分布,直观显示位错密度在晶片上的分布情况,分析了EPD分布结果和原因,说明单晶生长工艺和掺杂剂等因素对其产生影响,为今后进一步开展晶体完整性研究,改进工艺,提高单晶质量打......
[期刊论文] 作者：周晓龙,安娜,孙聂枫,徐永强,杨光耀,谢德良,刘二海,李光平,周智慧,董彦辉,孙同年,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
采用原位磷注入合成法在高压单晶炉内合成富磷的磷化铟 (In P)熔体 ,并利用液封直拉法 (LEC)生长出了 1 0 0 mm In P掺硫单晶材料。对富磷单晶分别用快速扫描光荧光谱技术、...
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