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[期刊论文] 作者：孙道云,,
来源：半导体情报 年份：1975
一、器件研究 1.1 引言本实验的主要目的是研究一种新的器件工艺,用以制作高效率的电子转移振荡器。我们在这方面的努力已经获得成功,已经研究出一种集成热沉工艺,所得器件...
[期刊论文] 作者：W.C.Petersen,孙道云,,
来源：半导体情报 年份：1982
在低频FET放大器中,电阻反馈是一种卓有成效的方法,采用这种方法能同时获得好的超宽带增益平坦度和输入、输出电压驻波比。与简单的匹配电路相结合,这种电阻反馈电路可以设计...
[期刊论文] 作者：J.culp,孙道云,,
来源：半导体情报 年份：1984
电子系统通常要求成本低、体积小、多功能的组合件。本文将描述一个4GHz全单片接收机,它作为集成电路组合件适用于各种微波系统。单片接收机做在1.6mm~2的GaAs片上,其中包括...
[期刊论文] 作者：中田真琴,孙道云,,
来源：半导体情报 年份：1979
由于同时采用了两种电介质对温度补偿量进行最佳设计,并且采用了除湿机构,从而使X波段耿振荡器在不稳定腔体中,获得了10~(-6)/度的频率稳定度。Since both dielectrics are...
[期刊论文] 作者：康长琦,朱毓铭,孙道云,,
来源：半导体情报 年份：1980
一、前言目前研制的 X 波段宽脉冲、大工作比体效应脉冲振荡器件用于远程导航雷达应答器中作固体微波发射源。该整机是解决船舶在可见度极差等恶劣气候条件下导航的有力工具,...
[期刊论文] 作者：张卫红,邓先灿,孙道云,,
来源：半导体情报 年份：1988
本文阐述了等离子增强化学汽相淀积(PECVD)氮化硅膜的生长原理和方法;对于在不同衬底,如Si,特别是GaAs和金属膜上淀积氮化硅膜的各种影响因素进行了理论和实验分析;针对GaAs...
[期刊论文] 作者：相岛亚洲雄,西村彰,佟振声,孙道云,,
来源：半导体情报 年份：1979
本文对肖特基势垒耿二极管随不同的势垒高度而产生不同的振荡模式以及在大信号下工作的宽频带特性进行了模拟。In this paper, Schottky barrier Geng diodes with differe...
[期刊论文] 作者：孙道云,康长琦,胡成烈,梁春广,,
来源：半导体情报 年份：1982
本文论述了混频二极管的关键参数之一——串联电阻对器件微波参数的重要影响;较详细地叙述和计算了影响串联电阻r_s的各种主要因素。叙述了为减小串联电阻所采取的工艺方法和...
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