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[期刊论文] 作者：宋炳文,,
来源：红外与激光技术 年份：1990
本文把各种碲镉汞晶体生长技术分成体晶体生长和薄膜晶体生长两大类.着重叙述了一些目前采用较多的体晶体生长技术,简要说明组分均匀度、电学特性等参数已达到的水平和这些方...
[期刊论文] 作者：宋炳文,
来源：红外技术 年份：1989
在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,...
[期刊论文] 作者：宋炳文,
来源：第五届全国分子束外延学术会议 年份：1999
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[期刊论文] 作者：宋炳文,
来源：激光与红外 年份：1998
回顾了金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的发展历程，简要叙述了ＭＯＶＰＥＨｇＣｄＴｅ薄膜的三种主要技术，与ＨｇＣｄＴｅ晶格匹配和失配的衬底材料，各种金属有机物源和掺杂研究的新近进展。还介绍了ＭＯＶＰＥ－ＨｇＣｄＴｅ薄膜和探测器......
[期刊论文] 作者：宋炳文,
来源：红外技术 年份：1999
简要介绍了主要的红外探测器材料，包括半导体光电探测器材料，热释电材料和热敏电阻材料，回顾了ＨｇＣｄＴｅ材料的发展历史和现状，液相外延，分子束外延和金属有机物汽相外延是目前生长ＨｇＣｄＴｅ薄膜的３种......
[会议论文] 作者：宋炳文,
来源：1989年全国碲镉汞技术交流会 年份：1989
该文把碲镉汞晶体生长技术分成体晶体生长和薄膜晶体生长二大类。叙述了加速坩锅旋转的Bridgman技术（ACRBT）、垂直底吹淬火-再结晶技术、增量淬火-再结晶技术、Te溶剂技术和移...
[期刊论文] 作者：宋炳文,,
来源：红外技术 年份：1987
本文回顾了制备碲镉汞块晶的主要技术及与晶体品质密切相关的杂质、掺杂和缺陷研究的概况。This paper reviews the main techniques for the preparation of HgCdTe bulk...
[期刊论文] 作者：M.W.Kcott,宋炳文,
来源：红外技术 年份：1982
随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、大的熔体分凝效应,以及晶体的密度会随熔体...
[期刊论文] 作者：王跃,宋炳文,
来源：半导体光电 年份：2000
金属有机化合物汽相沉积（ＭＯＣＶＤ）技术是制备用于红外焦平面阵列（ＩＲＦＦＰＡ）的高质量碲镉汞（ＨｇＣｄＴｅ）薄膜材料的重要手段。文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺（ＩＭＰ）等因素在ＭＯＣＶＤ外延生长碲镉汞......
[期刊论文] 作者：唐小惠,宋炳文,
来源：红外技术 年份：1990
第四届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1989年9月17日至22日在联邦德国西柏林的柏林技术大学举行,这是一次大型的国际学术会议,约有20个国家和地区的300余人参加。会议交流的论文约2...
[会议论文] 作者：杨彦,宋炳文,
来源：第七届红外技术会议 年份：1986
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[会议论文] 作者：王跃,宋炳文,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
热壁外延是一项很有前途的薄膜生长技术。其主要特点是:薄膜在尽可能接近热力学平衡的条件下进行外延生长,材料源损失极少。在生长系统中,衬底与材料源之间的温度差,是衡量...
[期刊论文] 作者：王跃,宋炳文,,
来源：红外技术 年份：1987
利用热壁外延技术在CdTe衬底的(111)A面和B面生长了CdTe薄膜。源温度和衬底温度分别在670～800℃和600～760℃之间,生长速率为0.8～1.3μm/h。X射线衍射和荧光分析表明,CdTe外延层...
[期刊论文] 作者：王跃,宋炳文,
来源：红外技术 年份：1986
近年来,虽然有越来越多的研究者在努力寻找适合外延Hg_(1-∞)Cd_∞Te(简写MCT)的衬底材料,然而,由于CdTe晶体和MCT都是闪锌矿结构,其晶格常数相当匹配,这样,CdTe块晶仍是外...
[期刊论文] 作者：杨彦,宋炳文,
来源：红外研究(A辑) 年份：1986
为了从富碲的碲镉汞[(Hg_(1-z)Cd_(?))_(1-y)Te_v,y>0.5]熔体中用液相外延法生长碲镉汞薄膜,研究富碲的碲镉汞合金的相图是十分必要的。本文用适合于富碲碲镉汞合金体系的规...
[期刊论文] 作者：杨彦,宋炳文,
来源：红外技术 年份：1986
对碲镉汞这种重要的红外探测器材料的相图已进行了很多研究工作,其中大多是出于液相外延工艺的需要研究富碲的碲镉汞合金的相图。然而,到目前为止,很少见到冷却速率对凝固点...
[期刊论文] 作者：王跃,宋炳文,
来源：人工晶体 年份：1985
Hg_(1-x)Cd_xTe(简写 MCT)是一种重要的红外材料。由于具有特殊的半导体性能,优质MCT 材料的制备是人们所关心的主要问题。本文报道在 CdTe 衬底上用单一的 MCT 源生长MCT...
[会议论文] 作者：王跃,宋炳文,
来源：第三届中国功能材料及其应用学术会议 年份：1998
碲镉汞（MCT）是一种重要的红外半导体材料。第二代热象仪-红外焦平面的制作需要性能优良的MCT薄膜：MCT薄膜的外延生长是发展红外焦平面的基础。该文简单介绍了采用液相外延（LPE）技术、分子束外延（MBE）技术和有机金属化学汽相沉积（MOCVD）技术生长MCT薄膜的情况，并将三种外延......
[期刊论文] 作者：刘朝旺,宋炳文,
来源：红外技术 年份：1995
用ＸＰＳ研究了多晶纯镉置于空气中形成的表面化学态。结果表明，Ｃｄ表面上除有大量吸附碳、氧外，还形成了ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２。Ｏ１ｓ谱的最佳曲线拟合表明有三个Ｏ１ｓ分量存在，其结合能分别为５３２．７ｅＶ，５２９．６ｅＶ，５３１．３ｅＶ。他们分别是吸附氧，ＣｄＯ和Ｃｄ（ＯＨ）２中......
[期刊论文] 作者：唐家钿,宋炳文,
来源：红外技术 年份：1994
采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Ｈｇ１－ｘＣｄｘＴｅ晶体的结构性质进行了研究，结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶体的主要缺陷，而位错和亚晶界的形态与分布则......
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