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[会议论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,马武英,崔江维,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
选取三款R-2R梯形网络架构混合工艺数模转换器作为研究对象,三款样品分别采用LC2MOS、CBCMOS 和BiCMOS工艺制作,使用60Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电离辐射响应特性研究,本次研究重点为三款器件的剂量率效应特性的差异及产生原因.试验结......
[会议论文] 作者：李培;郭红霞;郭旗;文林;崔江维;王信;张晋新;,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文设计了一种通过在版图布局中引入伪集电极的方法来提高SiGe HBT抗单粒子性能的方法.利用半导体器件模拟工具,针对加固前后的SiGe HBT开展了单粒子效应仿真模拟,分析了伪...
[会议论文] 作者：王信,陆妩,郭旗,吴雪,刘默涵,姜柯,崔江维,
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功能参数及功率参数均表现出了潜在的低剂量率损伤增强效应，这有别于传统CMOS工艺DAC表现......
[会议论文] 作者：周航,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,郑齐文,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
对深亚微米PD型SOI NMOS进行了辐射环境下的热载流子效应研究.通过对照试验,定性的分析了氧化物陷阱电荷和界面态对器件敏感参数的影响.得出了氧化物陷阱电荷和界面态随着时...
[会议论文] 作者：郑齐文;余学峰;崔江维;郭旗;任迪远;周航;,
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
本文通过分析器件功能失效与静态功耗电流上升的关系,结合加入辐射影响因素的HSPICE电路仿真,研究了不同工艺尺寸静态随机存储器(SRAM)的总剂量辐射损伤特征及机制.研究结果...
[期刊论文] 作者：王信,陆妩,吴雪,马武英,崔江维,刘默寒,姜柯,,
来源：物理学报 年份：2014
为从工艺角度深入研究航空航天用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺混合信号集成电路总剂量辐射损伤机理,选取国产CMOS工艺制作的NMOS晶体管及寄生双极晶体管进行了60Coγ射线...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,周航,,
来源：发光学报 年份：2014
对商用三极管和MOS场效应晶体管进行了不同环境温度下的总剂量辐照实验,对比了不同辐照温度对这两种器件辐射效应特性的影响.实验结果表明,对于同一辐照总剂量,三极管的基极...
[会议论文] 作者：王信[1]陆妩[2]郭旗[2]吴雪[1]马武英[1]崔江维[2],
来源：第一届全国辐射物理学术交流会(CRPS`2014) 年份：2014
选取三款R-2R梯形网络架构混合工艺数模转换器作为研究对象,三款样品分别采用LC2MOS、CBCMOS 和BiCMOS工艺制作,使用60Coγ射线源对其进行了不同剂量率、不同偏置条件下的电...
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories induced by total dose irradiatio
[期刊论文] 作者：郑齐文,余学峰,崔江维,郭旗,任迪远,丛忠超,周航,,
来源：Chinese Physics B 年份：2014
Pattern imprinting in deep sub-micron static random access memories(SRAMs) during total dose irradiation is investigated in detail. As the dose accumulates, the...
[会议论文] 作者：王信[1]陆妩[2]郭旗[2]吴雪[1]刘默涵[1]姜柯[1]崔江维[2],
来源：2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2014
本文选取了两究所的Co60y射线源环境中对两款器件进行不同剂量率条件下的辐照试验。通过研究发现:BiCMOS工艺DAC的剂量率效应不同于传统单一工艺DAC，本次研究中的两款样品的功...
3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in silicon–germanium heterojunct
[期刊论文] 作者：张晋新,郭红霞,文林,郭旗,崔江维,王信,邓伟,郑齐文,范雪,肖尧,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
This paper presents 3-D simulation of angled strike heavy-ion induced charge collection in domestic silicon–germanium heterojunction bipolar transistors(SiGe H...
[期刊论文] 作者：崔江维,郑齐文,余学峰,丛忠超,周航,郭旗,文林,魏莹,任迪远,,
来源：Journal of Semiconductors 年份：2014
We investigate how γ exposure impacts the hot-carrier degradation in deep submicron NMOSFET with different technologies and device geometries for the first tim...
[期刊论文] 作者：丛忠超,余学峰,崔江维,郑齐文,郭旗,孙静,汪波,马武英,玛丽娅,周航,,
来源：物理学报 年份：2014
以静态随机存储器为研究对象,对其在线和离线测试下的总剂量辐射损伤规律进行了研究,探寻了两种测试条件下总剂量损伤的差异并对造成差异的物理机制进行了分析和讨论,研究结...
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