搜索筛选:
搜索耗时1.2907秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 15 篇相符的论文内容
发布年度:
[学位论文] 作者:张兴良,,
来源: 年份:2010
CuInS2(CIS)作为一种Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2型无机三元半导体化合物,是直接带隙的半导体,吸收系数较大,大约为104-105cm-1,其光学禁带宽度为1.50 eV左右,非常接近太阳能电池材料的最佳禁...
[期刊论文] 作者:张兴良,,
来源:企业家天地(理论版) 年份:2010
据职业能力培养规律,以真实工作任务及其工作过程为依据整合教学内容,设计学习性工作任务,基于工作过程的秘书写作教学是秘书写作课堂教学改革的趋势所在。高职院校学生的写...
[期刊论文] 作者:田青,张兴良,,
来源:楚雄师范学院学报 年份:2010
本文通过对云南少数民族中学生心理上存在的问题进行分析,结合中学生身心发展规律,对少数民族中学生心理健康教育的重要性进行论述,并根据少数民族地区的实际情况提出更加有...
[期刊论文] 作者:张兴良,吴良杰,,
来源:楚雄师范学院学报 年份:2010
高等院校体育课教学的主要任务之一就是根据大学生心理和身体的不同特征,促进学生的身体机能和活动能力全面提高。本文通过分析我院大学生身体素质现状,根据分析结果提出相应...
[期刊论文] 作者:张兴良,张宏鹏,,
来源:中国石油企业 年份:2010
人力资源是通过企业文化的积淀、显现、发挥、开发出来的,人力资源管理离不开企业的文化背景,石油企业文化建设与人力资源管理有机地融合起来,可以有效推动石油企业的管理创...
[期刊论文] 作者:张兴良,刘小康,杨伟杰,,
来源:中国石油企业 年份:2010
加强基于核心竞争力培育的体制机制创新,将是油田企业未来管理的核心内容。为了应对未来的能源挑战,油田公司必须进一步转变发展方式,提升发展质量,通过体制机制创新,增强企...
[期刊论文] 作者:张兴良,李承春,赵桢,,
来源:中国石油企业 年份:2010
长庆油田公司通过内控体系运作,有效地提高了工程结算效率。长庆油田公司在内控体系运行中,高度重视重点风险领域的管理和控制。近两年来,抓住工程结算这一管理薄弱Changqi...
[期刊论文] 作者:张兴良,阮怀林,王树亮,,
来源:雷达与对抗 年份:2010
分析了圆阵列MUSIC算法二维测向的原理。圆阵列MUSIC算法分辨性能与多种因素有关。定义两种衡量分辨性能的参数,即分辨力和可分辨概率,并给出计算方法。两种参数均需要从方位...
[期刊论文] 作者:毛为会,张兴良,谢亚菲,
来源:中国实用神经疾病杂志 年份:2010
长期以来会阴侧切技术广泛应用于临床,为避免会阴过度扩张,减少可能导致的软产道严重裂伤,在需要行阴道手术助产如产钳、胎头吸引术、臀产、肩难产、会阴条件差或为缩短第二产程......
[期刊论文] 作者:夏冬林,王慧芳,石正忠,张兴良,,
来源:建材世界 年份:2010
以氢稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后在非晶硅薄膜上磁控溅射沉积金属铝膜。在外加横向电场的条件下,利用快速热处理炉对薄膜样品进行......
[期刊论文] 作者:冉新权,杨华,李安琪,张兴良,沈复孝,,
来源:中国石油企业 年份:2010
长庆油田是世界著名的超低渗透油气田。2008年2月长庆油田公司重组整合后,正式把超低渗透油藏开发列入工作日程,超低渗透油藏开发规划通过了中国石油股份公司审查。Changqi...
[期刊论文] 作者:夏冬林,王慧芳,石正忠,张兴良,刘俊,,
来源:影像科学与光化学 年份:2010
以高氢稀释的硅烷(Si H4)为反应气体,硼烷(B2H6)为掺杂气体,利用RF-PECVD方法,在玻璃衬底上制备出掺硼的氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜,研究了硼掺杂量对氢化非晶硅(a-Si∶H)薄膜的光学性......
[期刊论文] 作者:夏冬林,石正忠,张兴良,王慧芳,刘俊,,
来源:人工晶体学报 年份:2010
采用电沉积方法在氧化铟锡(ITO)导电玻璃上沉积了ZnS薄膜,利用X射线衍射仪(XRD)、紫外-可见光(UV-VIS)分光光度计对薄膜的微结构和光学性能进行了表征,研究了热处理条件对薄膜的相......
[期刊论文] 作者:夏冬林,王慧芳,石正忠,张兴良,李蔚,,
来源:人工晶体学报 年份:2010
以氢气稀释的硅烷和氢气为反应气体,利用PECVD法先在玻璃衬底上生长非晶硅薄膜,然后利用磁控溅射法在非晶硅薄膜上镀制铝膜,最后将镀有铝膜的非晶硅薄膜样品置于快速热处理炉...
[期刊论文] 作者:夏冬林,张兴良,宋明霞,石正忠,王慧芳,刘俊,,
来源:武汉理工大学学报 年份:2010
采用溶胶-凝胶法,以CuCl2.2H2O和InCl3.4H2O为阳离子反应物,硫脲为硫源,去离子水为溶剂在玻璃衬底上制备CuInS2薄膜,在Ar气氛条件下400℃退火1 h。利用XRD衍射仪、扫描电子显...
相关搜索: