搜索筛选:
搜索耗时0.7859秒,为你在为你在102,285,761篇论文里面共找到 10 篇相符的论文内容
发布年度:
[期刊论文] 作者：张源涛,,
来源：小学生时空 年份：2015
今天早上,我兴高采烈地背着书包去上学,鸟儿的歌声伴着我轻快的步伐。今天要进行数学单元测试。我平静了一下心情开始提笔答题。可我写到一半时,不幸的事情发生了。我的钢笔...
[期刊论文] 作者：陈力,张源涛,蔡言覃,
来源：合成润滑材料 年份：2015
介绍了几种低成本矿物微粉作为润滑添加剂的应用情况。矿物微粉具有显著的抗磨作用。论述了矿物微粉作为润滑添加剂需要解决的几个关键问题。...
[会议论文] 作者：李鹏翀;刘明哲;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
AlxGa1-xN/GaN分布布拉格反射镜(DBR)是GaN基器件的重要组成部分,广泛应用于垂直腔面发射激光器(VCSEL),光电探测器和发光二极管(LED)等器件中.但是由于AlN和GaN具有较大的晶...
[会议论文] 作者：史志锋,张源涛,张宝林,李新建,杜国同,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展了二维ZnO纳米墙网络结构在可控制备、生长机制及其光学特性方面的研究,并通过构建n-ZnO......
[会议论文] 作者：黄振,邓高强,李宝珠,张源涛,张宝林,杜国同,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
本文使用AIXTRON公司生产的3×2"MOCVD设备,在6H-SiC衬底上,先后生长100nmAlN缓冲层,梯度AlxGa1-xN层,以及1.5μm GaN薄膜.为了验证梯度AlxGa1-xN层对GaN薄膜质量与应力的影...
[会议论文] 作者：闫龙;许恒;李玲;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
在GaN基光电子器件的研究中,N极性器件因具有更高的空穴注入效率、有利于制备高质量高In组分的InGaN/GaN量子阱等独特优势而受到广泛关注.但相比于Ga极性GaN薄膜,异质外延N极...
[会议论文] 作者：蒋俊岩;迟宸;闫龙;张源涛;张宝林;杜国同;,
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
虽然GaN基发光二极管已经实现了广泛的商业化应用,但其总体性能仍然难以达到人们预期的最好效果.其主要问题在于器件在大电流下发光效率会显著降低.研究表明,相比于传统的Ga...
[会议论文] 作者：史志锋[1]张源涛[2]张宝林[2]李新建[1]杜国同[2],
来源：第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议 年份：2015
作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展...
[期刊论文] 作者：崔夕军,庄仕伟,张金香,史志锋,伍斌,董鑫,张源涛,张宝林,,
来源：发光学报 年份：2015
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究。ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,...
[期刊论文] 作者：崔夕军,庄仕伟,张金香,史志锋,伍斌,董鑫,张源涛,张宝林,杜国同,
来源：发光学报 年份：2015
采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在Si衬底上进行了ZnO的成核与薄膜生长研究.ZnO薄膜的形貌和结晶特性由成核和后期生长过程共同决定,初期成核温度决定了其尺寸和密度,进...
相关搜索：
