【摘 要】
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作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展
【机 构】
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材料物理教育部重点实验室,郑州大学物理工程学院,郑州,450052
【出 处】
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第一届全国宽禁带半导体学术及应用技术会议
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作为新型的纳米结构,二维ZnO纳米墙网络具有较高的表面体积比,这非常有利于光子的逃逸和热量的散射,因此其作为发光层应用于LEDs和LDs有其先天的优势.基于此,首先系统地开展了二维ZnO纳米墙网络结构在可控制备、生长机制及其光学特性方面的研究,并通过构建n-ZnO纳米墙网络/p-GaN异质结器件验证该纳米结构材料作为发光层的应用可行性.实验发现,所制备的器件表现出优良的发光性能,在直流驱动(12.0mA)下,其光输出功率为1.38μW,并且该器件具有较高的工作稳定性,在8.5h的工作时间内其功率衰减仅为8.08％.
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