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[期刊论文] 作者：徐岳生,
来源：青岛轻工科技 年份：1992
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[期刊论文] 作者：徐岳生,,
来源：酿酒 年份：1985
编辑同志:1983年4月初寄去“酵母培菌工作浅见”一稿,按三个月未收回信作者可自行处理的常例,我将该稿稍事修改后投寄《山东轻工科技》,并刊用于12月出版的第4期。后见贵刊1...
[会议论文] 作者：徐岳生,王红梅,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：稀有金属 年份：1991
本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火即可完成内吸杂(IG)处理,并进行了简单的解...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：稀有金属 年份：1992
原始电阻率不同的NTD CZ-Si单晶,消除辐照损伤、恢复电参数所需的最低退火温度不同。原始电阻率越低,恢复电学性能所需的温度也越低。当掺杂比大于5时,这种差异变得不明显了...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：稀有金属 年份：1989
介绍了用于功率器件的 NTD CZ-Si 原始晶体导电类型和电阻率测量精度对 NTD CZ-Si 目标电阻率准确性和均匀性的影响,提出了原始 CZ-Si 热处理的方法及中照后的 NTD CZ-Si 的...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,,
来源：功能材料 年份：1991
采用四探针法测电阻率、正电子湮灭法和DLTS法测缺陷和缺陷能级变化,研究了NTDCZ Si在350～1200℃等温退火时辐照缺陷的变化,确定了用于制造LSI、压敏器件等的NTDCZ Si消除辐照...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：电子科学学刊 年份：1991
中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除机理与直拉硅不同,它是辐照缺陷与硅中氧杂质相互作用的结果。在1100℃、热退火4h即可完成中子嬗变掺杂直拉硅的内吸除处理。...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：电子科学学刊 年份：1993
利用快中子辐照在ｐ型硅片中产生辐照缺陷，利用其作为热处理时硅中氧沉淀的成核中心，在硅片表面层形成洁净区和在体内形成吸杂区，能有效地抑制硅片表面氧化雾缺陷的形成。提出了较......
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区....
[期刊论文] 作者：徐岳生,李养贤,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
论述了砷化镓晶体的等效微重力生长的原理和所采用的方法，并讨论了主要结果。...
[会议论文] 作者：王文襄,徐岳生,
来源：第三届全国敏感元件与传感器学术会议 年份：1993
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[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,,
来源：稀有金属 年份：1991
本文研究了直拉硅单晶和中子嬗变掺杂直拉硅单晶在1000℃、1100℃和1200℃不同恒温时间的退火行为,发现NTD CZ-Si在1100℃、4h退火即可完成内吸杂(IG)处理,并进行了简单的解...
[会议论文] 作者：刘彩池,徐岳生,
来源：第九届全国半导体集成电路、中国有色金属学会硅材料学术会议 年份：1995
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[期刊论文] 作者：李伟,刘彩池,徐岳生,
来源：科学通报 年份：1992
一、引言 近年来,随着缺陷工程的发展,有关CZ硅辐照缺陷的研究得到了极大的关注。中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中...
[期刊论文] 作者：刘彩池, 李养贤, 徐岳生,,
来源：科学通报 年份：1994
近年来,随着半导体缺陷工程的发展,人们极其关注对辐照缺陷的研究.中子辐照缺陷,一方面可起到提高半导体器件抗辐射能力的作用;另一方面可抑制器件加工过程中有害缺陷的...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,任丙彦,,
来源：河北工学院学报 年份：1990
单晶硅退火处理时,往往造成外来杂质的沾污,降低少子寿命,造成质量下降.采用含氯氧化气氛清洗石英管和作保护气氛可以有效地避免外来杂质沾污晶体,明显地提高退火质量....
[会议论文] 作者：徐岳生,李养贤,刘彩池,
来源：1998年全国半导体硅材料学术会议 年份：1998
...
[会议论文] 作者：徐岳生,张维连,任丙彦,
来源：中国有色金属学会第二届学术会议 年份：1991
...
[期刊论文] 作者：张维连,徐岳生,李养贤,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1990
利用中子嬗变掺杂(NTD)技术制备的CZSi(NTDCZSi)片在高温退火时,由于辐照缺陷与直拉硅中杂质氧的相互作用,可以加速内吸除(IG)效应的实现,获得理想的表面清洁区和体内吸杂区....
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