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[期刊论文] 作者：张雯,徐岳生,
来源：材料导报 年份：2005
设计制作了由永磁材料构成的，能提供均匀磁场的环形磁场。在锗熔体范围内引入此磁场提供的垂直譬场，采用旋转转子法，测定了不同温度不同磁场强度条件下锗熔体的粘度。结果表明，不......
[期刊论文] 作者：张雯，徐岳生，ZHANGWen，XuYuesheng,
来源：城市道桥与防洪 年份：2005
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[会议论文] 作者：刘福贵;杨庆新;徐岳生;,
来源：2005年中国固体科学与新材料学术研讨会 年份：2005
本文设计并研制出了钕铁硼三环永磁磁体结构并应用于3英寸直拉单晶炉，克服了电磁线圈和超导磁体拉晶的缺点。使得磁力线在径向有辐射式合理分布，有利于单晶中氧、碳含量的控制，......
[会议论文] 作者：徐岳生;张雯;王海云;刘彩池;,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
用魔环结构的钕铁硼永磁体,向半导体硅熔体所在空间,引入磁感应强度(0～0.27特斯拉连续可调),采用回转振荡法测量熔硅的粘度,结果表明,熔硅粘度随着磁场强度的增加而增加,二者...
[期刊论文] 作者：朱军山,徐岳生,刘彩池,洪在地,
来源：家电科技 年份：2005
本文介绍一种实用的太阳能冰箱.通过光伏电池转换,把太阳能转换成电能.我们在吸取国内外已有研究成果的基础上优化整个系统,使这种冰箱完全不用电网电能,并且可以连续工作.将...
[期刊论文] 作者：朱军山,徐岳生,刘彩池,赵丽伟,滕晓云,,
来源：人工晶体学报 年份：2005
用高温AlN作缓冲层在Si(111)上外延生长出GaN薄膜.通过对薄膜表面扫描电子显微镜(SEM)和高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)的分析,确定缓冲层对外延层形貌的影响,分析解释了表面...
[会议论文] 作者：徐岳生,刘彩池,王海云,赵丽伟,孙世龙,
来源：中国有色金属学会第六届学术年会 年份：2005
本文综述了制造集成电路(IC)用直拉硅的现状与发展.对大直径生长用磁场拉晶技术;硅片中缺陷的控制与利用(缺陷工程);大直径硅中新型原生空洞型缺陷;硅外延片与SOI片;太阳电池...
[期刊论文] 作者：徐岳生,付生辉,刘彩池,王海云,魏欣,郝景臣,
来源：半导体学报 年份：2005
研究了LEC法生长SI-GaAs衬底上的AB微缺陷对相应的MESFET器件性能(跨导、饱和漏电流、夹断电压)的影响．用AB腐蚀液显示AB微缺陷(AB-EPD：10^3～10^4cm^-2量级)，用KOH腐蚀液显示位错...
[期刊论文] 作者：朱军山,徐岳生,郭宝平,刘彩池,冯玉春,胡加辉,
来源：半导体学报 年份：2005
利用LP-MOCVD技术在Si（111）衬底上，用不同温度生长AlN缓冲层，再在缓冲层上外延GaN薄膜．采用高分辨率双晶X射线衍射（DCXRD）技术和扫描电子显微镜（SEM）分析这些样品，比较缓冲层生长温度对......
[期刊论文] 作者：朱军山,胡加辉,徐岳生,刘彩池,冯玉春,郭宝平,
来源：稀有金属 年份：2005
利用金属有机物化学金相沉积MOCVD在Si(111)衬底上, 以高温AlN和低温GaN为缓冲层生长的GaN薄膜, 得到GaN(0002)和(10-12)的双晶X射线衍射(DCXRD)半高宽(FWHM)分别为721和840...
[会议论文] 作者：赵丽伟,刘彩池,滕晓云,郝秋艳,孙世龙,徐岳生,
来源：华北地区硅酸盐学会第八届学术技术交流会 年份：2005
本文研究了在硅衬底上生长的GaN中位错的分布与传播.利用湿法腐蚀有效地显示了GaN中的位错,表面的六角腐蚀坑即为位错露头.在KOH溶液中腐蚀,腐蚀时间越长,蚀坑密度越高,...
[期刊论文] 作者：徐岳生,杨新荣,王海云,唐蕾,刘彩池,魏欣,覃道志,
来源：物理学报 年份：2005
通过AB腐蚀 (由Abrahams和Buiocchi发明的腐蚀方法 ,简称AB腐蚀 )、KOH腐蚀 ,经金相显微镜观察、透射电子显微镜能谱分析、电子探针x射线微区分析 ,对液封直拉法生长的非掺半...
[期刊论文] 作者：胡加辉,朱军山,冯玉春,张建宝,李忠辉,郭宝平,徐岳生,
来源：发光学报 年份：2005
利用LP-MOCVD在S i(111)衬底上,以高温A lN为缓冲层,分别用低温GaN(LT-GaN)和偏离化学计量比富Ga高温GaN(HT-GaN)为过渡层外延生长六方相GaN薄膜。采用高分辨率双晶X射线衍射...
[会议论文] 作者：赵丽伟,郭宝平,刘彩池,郝秋艳,滕晓云,朱军山,孙世龙,王海云,徐岳生,冯玉春,
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)观测样品的腐蚀形貌,研究了腐蚀时间、腐蚀液温度......
[会议论文] 作者：赵丽伟[1]郭宝平[2]刘彩池[1]郝秋艳[1]滕晓云[1]朱军山[1]孙世龙[1]王海云[1]徐岳生[1]冯玉春[2],
来源：第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会 年份：2005
本文采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)在Si(111)衬底上生长GaN外延片.双晶X射线衍射(DCXRD)测定晶体质量后进行湿法腐蚀,腐蚀液为KOH:H2O=3:20～1:25(质量比)的KOH溶液.通过原...
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