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[学位论文] 作者：戴明志,
来源：中国科学院上海微系统与信息技术研究所 年份：2008
作为如液晶显示屏集成电路等的先进集成电路驱动器件，高压器件由于其特殊的结构与工艺，面临其特殊的热载流子注入效应，所以研究高压器件结构、工艺与热载流子注入效应的关系，不仅......
[期刊论文] 作者：戴明志,刘韶华,程波,李虹,叶景良,王俊,江柳,廖宽仰,,
来源：半导体学报 年份：2008
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流(ISUB)的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入(HCI)效应和ISUB相关.因此,IS...
[期刊论文] 作者：戴明志,刘韶华,程波,李虹,叶景良,王俊,弗江柳,廖宽仰,
来源：半导体学报 年份：2008
基于泊松方程和幸运电子模型,推出了适用于高压n型器件衬底电流（ISUB）的公式,并且为模拟和实验测量的结果所验证.普通n型低压器件的热载流子注入（HCI）效应和ISUB相关.因此,ISUB特......
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