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[期刊论文] 作者：曾一平,,
来源：大舞台 年份：2010
鼓楼区中小学合唱比赛,是学校艺术工作中重要的一项。小学工作繁杂,任务一项又一项。音乐教师接到比赛通知,最多两个月排练时间。扣除节假休息日和学校其他活动,坚持每天...
[会议论文] 作者：曹国华,关敏,李林森,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
本文采用氧化钼掺杂有机给体材料酞菁铜(MoO3:CuPc)做为缓冲层制备了一种有机太阳能电池。采用该缓冲层后,器件的稳定性得到改善,在空气中放置30分钟后,器件的效率降低了20％,...
[会议论文] 作者：李弋洋,李成基,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
建立了高阻GaN薄膜材料的电学性质测量装置。开展了高阻GaN薄膜材料的欧姆接触制作与检测技术的研究工作。进行了高阻GaN薄膜材料的薄层电阻、高温变温霍尔及光霍尔等测量工...
[期刊论文] 作者：阳章友,曾一平,张丹,魏文静,,
来源：河南化工 年份：2010
目前科学家对汞的分析研究越来越感兴趣，越来越多的检测方法被用于到汞的分析研究中，本文综述了近年来关于汞分析研究方法。...
[会议论文] 作者：赵杰,刘超,崔利杰,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
以ZnCl2为掺杂源,采用MBE工艺在SI—GaAs衬底上生长了一系列不同ZnCl2源炉温度T(ZnCl2)和VI/II束流压强比的n—CdSe薄膜。所有样品均具有立方相闪锌矿结构。掺入适量的Cl能提高外延层的结晶质量和光学质量,但掺杂过饱和以后薄膜质量迅速下降。T(Zncl2)等于140℃......
[会议论文] 作者：刘超;孙莉莉;李建明;徐嘉东;曾一平;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
采用离子注入法在MOCVD外延生长的GaN薄膜上制备了稀土元素Sm、Eu、Tb、Dy两种离子共注入或单一离子双能态注入的GaN基稀磁半导体(DMSs)材料样品,并对上述样品的微结构、表面...
[期刊论文] 作者：李彦波,刘超,张杨,赵杰,曾一平,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2010
InAs／InGaSb超晶格具有特殊的能带结构，优越的材料性能，被认为是第三代红外探测器的首选材料。对InAs／InGaSb超晶格的材料性能、材料生长、探测器结构和探测器研究进展进行了介绍......
[会议论文] 作者：关敏,李林森,曹国华,李弋洋,曾一平,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
我们研究了MoO3掺杂CuPc薄膜作为空穴注入层对有机电致发光器件性能的改善,得到了低压、高流明效率的发光器件.其中器件ITO/50％MoO3:CuPc 5nm/NPB 75nm/296 C545T:Alq3 30nm/A...
[期刊论文] 作者：吴巨,金鹏,曾一平,王宝强,王占国,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
首先简短地综述了人们关于外延薄膜材料层状(layer-by-layer)生长机制的认识;给出了作者关于自组装量子点外延生长过程的评价和观点,强调了量子点自组装生长过程的复杂性和非...
[期刊论文] 作者：刘祯,王晓峰,杨华,段垚,曾一平,,
来源：半导体学报 年份：2010
An 8μm thick Ga-doped ZnO(GZO) film grown by metal-source vapor phase epitaxy was deposited on a GaN-based light-emitting diode(LED) to substitute for the conv...
[期刊论文] 作者：张丹, 阳章友, 曾一平, 魏文静, 黄正勇,,
来源：河南化工 年份：2010
总磷是水质检测中的一项重要指标，传统的检测方法过程复杂，耗时耗能，随着科学技术的发展，出现了许多新方法，使得总磷检测更加简便，快速。...
[期刊论文] 作者：李越强,刘雯,王晓东,陈燕凌,杨富华,曾一平,,
来源：功能材料与器件学报 年份：2010
研究了内嵌InAs量子点的异质结场效应晶体管在室温和低温下的电学特性,获得了量子点影响下器件的输出特性曲线。在室温下,通过分别测试在近红外光照和量子点充电条件下器件的...
[期刊论文] 作者：周文政,代娴,林铁,商丽燕,崔利杰,曾一平,褚君浩,,
来源：广西大学学报(自然科学版) 年份：2010
用分子束外延（molecular beam epitaxy,MBE）方法在半绝缘InP衬底上生长In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱样品。在In0.52Al0.48As势垒层中进行元素Si的δ掺...
[期刊论文] 作者：胡强,魏同波,段瑞飞,羊建坤,霍自强,卢铁城,曾一平,,
来源：稀有金属材料与工程 年份：2010
采用镀Ti插入层在氢化物外延设备中制备了高质量自支撑GaN厚膜。X射线衍射测试发现(0002)峰摇摆曲线的半高宽为260arcsec;5K下样品带边发光峰的半高宽为3meV,室温下样品的带...
[会议论文] 作者：刘兴昉;李晋闽;孙国胜;吴海雷;闫果果;王雷;赵万顺;董林;郑柳;曾一平;,
来源：第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2010
使用国产低压化学气相沉积设备(LPCVD)在小偏角(朝方向偏4°)碳化硅衬底上进行了厚膜同质外延生长研究。通过优化外延工艺,我们获得了高质量、低缺陷密度的同质厚膜外延生长...
[期刊论文] 作者：杨挺,孙国胜,吴海雷,闫果果,宁瑾,赵永梅,刘兴昉,罗木昌,王雷,赵万顺,曾一平,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
主要介绍了近年来国内外出现的有市场推广潜力的立方相碳化硅(3C-SiC)MEMS器件,详细描述了其中一些典型器件的基本结构、加工工艺及初步测试结果,并指出了要想提高器件的可靠...
[期刊论文] 作者：孙国胜,刘兴昉,王雷,赵万顺,杨挺,吴海雷,闫果果,赵永梅,宁瑾,曾一平,李晋闽,,
来源：Chinese Physics B 年份：2010
Epitaxial growth of semiconductor films in multiple-wafer mode is under vigorous development in order to improve yield output to meet the industry increasing de...
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