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[学位论文] 作者：朱仁江,
来源：重庆师范大学 年份：2006
氧化锌(ZnO)是一种宽带隙(室温下3.3eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,激子结合能为60meV,具有六方纤锌矿结构,其空间群为P63mc。晶格常数a =0.325nm ,c = 0.521nm。ZnO薄膜具有良好的...
[期刊论文] 作者：朱仁江,,
来源：Journal of Chongqing University 年份：2006
The phosphorus-doped ZnO films were prepared on glass substrate by radio-frequency (RF) magnetron sputtering at different temperature. The properties of ZnO fil...
[期刊论文] 作者：朱仁江,,
来源：中学数学杂志 年份：2006
教学片段设计我的设计是以我昨天傍晚从椒江(浙江省台州市椒江区)轮渡码头坐车回家(书生中学)为情境,配上那段非常优美的萨克斯演奏的《回家》,使得情境引入更具有人情味.同...
[期刊论文] 作者：朱仁江,
来源：中学数学杂志(初中版) 年份：2006
教学片段设计 我的设计是以我昨天傍晚从椒江(浙江省台州市椒江区)轮渡码头坐车回家(书生中学)为情境，配上那段非常优美的萨克斯演奏的《回家》，使得情境引入更具有人情味.同时，也很自然地进入到今天所要讲述的主题.......
[期刊论文] 作者：朱仁江,孔春阳,马勇,王万录,廖克俊,
来源：材料导报 年份：2006
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料，高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜Ⅴ族元素氮、磷、砷（N、P、As）p型掺杂的研究进展，分析对比了3种元素的掺杂和p型转变......
[期刊论文] 作者：朱仁江,孔春阳,马勇,王万录,廖克俊,,
来源：材料导报 年份：2006
ZnO薄膜作为第三代半导体功能材料,高质量的p型掺杂是基于光电器件应用的关键。概述了ZnO薄膜V族元素氮、磷、砷(N、P、As)p型掺杂的研究进展,分析对比了3种元素的掺杂和p型...
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