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[期刊论文] 作者：赵以贵,刘明,牛洁斌,陈宝钦,,
来源：压电与声光 年份：2010
电子束光刻（EBL）具有高的分辨率,能制备具有亚微米尺寸的声表面波（SAW）器件。一种采用EBL技术制备用于气体传感器的具有亚微米尺寸的SAW延迟线的方法：首先利用EBL在压电衬底上获得......
[期刊论文] 作者：赵珉,陈宝钦,谢常青,刘明,牛洁斌,,
来源：微纳电子技术 年份：2010
准确提取电子散射参数是确保纳米级电子柬光刻邻近效应校正精度的关键。采用了一种不基于线宽测量和非线性曲线拟合的电子散射参数提取的方法。邻近效应校正的近似函数采用双...
Optimization of inductively coupled plasma etching for low nanometer scale air-hole arrays in two-di
[期刊论文] 作者：彭银生,叶小玲,徐波,金鹏,牛洁斌,贾锐,王占国,,
来源：半导体学报 年份：2010
This paper mainly describes fabrication of two-dimensional GaAs-based photonic crystals with low nanometer scale air-hole arrays using an inductively coupled pl...
[期刊论文] 作者：黄杰,郭天义,张海英,徐静波,付晓君,杨浩,牛洁斌,,
来源：半导体学报 年份：2010
A new PMMA/PMGI/ZEP520/PMGI four-layer resistor electron beam lithography technology is successfully developed and used to fabricate a 120 nm gate-length lattic...
[期刊论文] 作者：黄杰,郭天义,张海英,徐静波,付晓君,杨浩,牛洁斌,,
来源：半导体学报 年份：2010
120 nm gate-length In_(0.7)Ga_(0.3)As/In_(0.52)Al_(0.48) As InP-based high electron mobility transitions(HEMTs) are fabricated by a new T-shaped gate electron b...
[会议论文] 作者：陈宝钦,赵珉,王其祥,顾长志,杨海方,牛洁斌,吴璇,朱效立,
来源：第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会 年份：2010
文章重点介绍应用于标准参考物质样品制造的线曝光图形处理技术、电子束与光学曝光混合光刻技术、高反差高分辨率电子抗蚀剂HSQ工艺技术、邻近效应校正技术等，同时介绍探索性...
[会议论文] 作者：陈宝钦,谢常青,刘明,赵珉,吴璇,牛洁斌,任黎明,王琴,朱效立,史丽娜,徐秋霞,
来源：2010(第三届)中国微纳电子技术交流与学术研讨会 年份：2010
自从1958年美国德克萨斯公司试制了世界上第一块平面集成电路开始算起,在短短的五十余年中,微电子技术及微纳米技术以令世人震惊的速度突飞猛进地发展,创造了人间奇迹.作...
[会议论文] 作者：陈宝钦[1]赵珉[2]王其祥[3]顾长志[4]杨海方[4]牛洁斌[1]吴璇[1]朱效立[1],
来源：第二届全国纳米材料与结构、检测与表征研讨会 年份：2010
文章重点介绍应用于标准参考物质样品制造的线曝光图形处理技术、电子束与光学曝光混合光刻技术、高反差高分辨率电子抗蚀剂HSQ工艺技术、邻近效应校正技术等，同时介绍探索性...
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