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[期刊论文] 作者：庸安明,王佃利,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
提出了在SF6／CHF3等离子中反应离子刻蚀WN金属层的方法，通过对各工艺参数（功率、压力、流量配比等）对WN刻蚀钻蚀量影响的研究，优化了工艺参数，获得了易于控制的侧向钻蚀量小于0．1μm......
[期刊论文] 作者：吕勇,王佃利,盛国兴,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
腐蚀si时工艺顺序不同，得到的si片表面状态也不同，导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究，获得了优化的腐蚀si工艺条件，得到了平整的si表面，从而提高了器件的可靠性与生产......
[期刊论文] 作者：钱伟,严德圣,丁晓明,周德红,刘雪,高群,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
硅微波功率管在生产过程中随机发生大量的键合失效。分析表明,这种硅功率管管芯的焊盘与有源区的连接处介质层容易在键合过程中因为受到金丝的振动冲击而毁坏,因此键合完成后...
[期刊论文] 作者：刘洪军,王建浩,丁晓明,高群,冯忠,庸安明,严德圣,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
通过进一步优化芯片设计与工艺设计,研制出L波段370W硅双极型功率晶体管。该器件在42V工作电压下,脉宽150μs,占空比10%,频率1.2~1.4GHz全带内,输出功率可达370 W以上,增益达...
[期刊论文] 作者：王佃利,李相光,严德圣,应贤炜,丁晓明,梅海,刘洪军,蒋幼泉,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2014
南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构,通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等,突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计...
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