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腐蚀si时工艺顺序不同，得到的si片表面状态也不同，导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究，获得了优化的腐蚀si工艺条件，得到了平整的si表面，从而提高了器件的可靠性与生产的成品率。
Si腐蚀工艺的优化
【摘 要】
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腐蚀si时工艺顺序不同，得到的si片表面状态也不同，导致器件的反向泄漏电流不同。通过工艺试验研究，获得了优化的腐蚀si工艺条件，得到了平整的si表面，从而提高了器件的可靠性与生产
【机 构】
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南京电子器件研究所
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2014年2期
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