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[期刊论文] 作者：马灵芝,
来源：中外房地产导报 年份：1995
【正】 宝龙工业城是深圳市龙岗区重点投资开发的工业区,位于龙岗区龙岗镇、坪山镇之间。宝龙工业城是深圳二十一世纪工业大基地中四个工业翼中的重要一翼,位于大工业区的西...
[期刊论文] 作者：马灵芝,
来源：中国临床医学影像杂志 年份：2002
高频彩色多普勒可清晰显示甲状腺内部有无肿块,肿块的大小、形态,肿块内部的细微结构,肿块内部及周边血流分布的状况....
[会议论文] 作者：马灵芝,
来源：全国铁路第二届胸心外科学术会议 年份：2002
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[期刊论文] 作者：马灵芝,朱杰,
来源：现代医学 年份：2002
目的 了解二维超声及彩色多普勒对乳腺良恶性肿瘤诊断的应用价值及相关因素。方法 应用二维超声及彩色多普勒了解病灶的大小，形态，边界，内部回声，后方回声，纵横比，观察肿瘤内部及......
[期刊论文] 作者：石文星,马灵芝,
来源：天津商学院学报 年份：1999
阐述了冰温技术的基本原理和发展历程，介绍了冰温贮藏、冰温后熟、冰温干燥的应用效果，说明了冰温技术是长期保存食品新鲜度、风味和口感的有效方法...
[期刊论文] 作者：刘占成,马灵芝,
来源：东南文化 年份：2000
二十五年前，几位打井农民的铁镢，唤醒了沉睡于地下两千余年的秦始皇军团。这的确是充满神奇和惊喜的重大发现，随着考古工作者的探索和实践，8000余件陶俑、4万多件兵器将相继出现......
[期刊论文] 作者：牛德芳,马灵芝,
来源：仪表技术与传感器 年份：1994
本文通过对单晶硅，多晶硅力敏元件复合结构的对比分析，及优化多晶生长条件的选择探讨研制高稳定的多晶力敏元件的理论根据。...
[期刊论文] 作者：马灵芝,闫卫平,
来源：仪表技术与传感器 年份：1994
本文研究了不同掺杂浓度下多晶硅薄膜的迁移率、应变系数等电学参数与温度的关系。通过霍尔迁移率的测试，给出了硼掺杂多晶硅薄膜电阻在２５～１５０℃温度下的电阻率、霍尔迁移率、应变系......
[期刊论文] 作者：马灵芝,唐祯安,
来源：仪表技术与传感器 年份：1993
MgCr_2O_4-Bi_2O_3是一种复合型半导体陶瓷。通过适当选择二者成分的配比,便可获得较为理想的湿敏材料。利用这种湿敏材料制作的湿敏器件,不仅具有耐高温、抗腐蚀、使用范围...
[期刊论文] 作者：马灵芝,王岚,等,
来源：功能材料 年份：2001
测试纳米晶体SnO2、ZnO材料的热稳定性对于提高气体传感器的可行性是十分重要的。本文对纳米晶本SnO2、ZnO分别在80－370K和298－1773K温区进行了低温热容和热稳定性测量。利用热...
[期刊论文] 作者：许新友,马灵芝,
来源：重庆医学 年份：1996
我院自1990年5月～1995年4月用外套管针行颈内静脉插管100例,现报告如下。...
[期刊论文] 作者：蒋国平,马灵芝,
来源：大连理工大学学报 年份：1993
分绍一种利用厚膜工艺制作的ＳｎＯ２乙醇敏感器件。重点介绍实验方法；分析了该器件的灵敏度、选择性的特点。证实该方法可制得较高电参数一致的，高灵敏度、选择性的乙醇敏感器件。......
[期刊论文] 作者：马灵芝,唐祯安,
来源：传感器技术 年份：1993
1 前言 目前国内外烧结气敏器件虽然商品化,但由于器件电参数离散性大,对满足传感仪器探头的互换和大批量生产还有困难,为此厚膜敏感器件的研究与应用更被人们所重视,厚...
[会议论文] 作者：马灵芝,蒋国平,
来源：第二届全国敏感元件传感器学术会议 年份：1991
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[期刊论文] 作者：陈海军,马灵芝,唐祯安,
来源：功能材料 年份：2002
介绍了交流量热法测量薄膜热扩散率的原理和系统组建.用脉宽为纳秒级的超短激光脉冲作为热源,测量了Si衬底上厚度为100nm和500nm的SiO2薄膜水平方向上的热扩散率.实验结果表...
[期刊论文] 作者：刘雅菊,马灵芝,钱力,
来源：中国临床康复 年份：2002
采用多普勒超声诊断仪对85例高血压不同时期病人运动前后进行左心室收缩与舒张功能的测定.认为高血压病经运动疗法病人收缩功能及舒张功能有所改善....
[期刊论文] 作者：闫卫平,马灵芝,牛德芳,
来源：传感技术学报 年份：1995
多晶硅薄膜的性质与膜的结构有密切关系.界面结构主要指晶粒尺寸、择优取向及其结构,多晶硅薄膜的结构主要由沉积条件、膜厚、掺杂条件和后来的退火温度和退火时间所决定.本...
[期刊论文] 作者：马灵芝,闫卫平,牛德芳,
来源：仪表技术与传感器 年份：1994
本文研究了不同掺杂浓度下多晶硅薄膜的迁移率、应变系数等电学参数与温度的关系。通过霍尔迁移率的测试,给出了硼掺杂多晶硅薄膜电阻在25～150℃温度下的电阻率、霍尔迁移率、...
[期刊论文] 作者：牛德芳,马灵芝,闫卫平,
来源：仪表技术与传感器 年份：1994
本文通过对单晶硅、多晶硅力敏元件复合结构的对比分析,及优化多晶生长条件的选择探讨研制高稳定的多晶力敏元件的理论根据In this paper, by comparing the composite str...
[期刊论文] 作者：牛德芳,闫卫平,马灵芝,
来源：仪表技术与传感器 年份：1994
本文是利用多晶硅压阻效应,研制出数字输出式压力传感器,并利用软、硬件技术进行温漂和非线性补偿,经A/D转换,实现数字量输出。This article is the use of polysilicon pi...
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