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[期刊论文] 作者：刘广思,
来源：时代教育 年份：2004
你中有我,和光明一般古老,嘶啸在岩画上;我中有你,像黑暗一样年轻,沉默在星空下。是命运,让我和你同下一盘棋……围棋的棋盘上有九颗星,就像个宇宙。下棋的老者将棋子一个个...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《科技开发动态》2003年第1期报导,该制备工艺包括前处理一形成等离子体球调整压力—生长金刚石膜—后处理等过程。该工艺先将硅片表面在金刚石纳米粉溶液中磨研;之后在H_...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
日本物质材料研究机构和早稻田大学联合研究小组近日发现,添加硼的金刚石薄膜在极低温状态下可进入超导状态,这一新的超导材料有望用于开发新型超导薄膜和超导元件。据报道,...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《科技开发动态》2003年第10期报导,该发明专利是利用注氧隔离(SIMDX)技术制备全介质隔离的硅量子线的方法。其特征是:将SOI衬底材料的制备工艺与其后形成硅量子线的牺牲...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《科技开发动态》2003年第4期报导,该项目提出并验证了全新的隧道级联大光腔光耦合的物理思想和高效、高亮度隧道再生多有源发光机理,并申请专利两项。它成功制备了大功率...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
英特尔公司在日本京都举行的“2003 symposia of VLsI Technology”会议上宣布,已成功地将非平面3栅极晶体管的栅极长度由原来的60纳米减少至30纳米。Intel Corporation a...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
具有我国自主知识产权的植入式多程控心脏起搏器专用电路,日前在西安交通大学医学院研制成功。该电路采用通用微处理器设计,研发成本低、周期短,极大地降低了投资风险,性能...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
瑞士科学家通过高能电子照射使碳纳米管束强度大大提高。这一成果突破了制约碳纳米管基材料实际应用的瓶颈,将对超强纳米管基结构的成型产生重大影响。单壁碳纳米管是目前所...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
日本电报和电话公司(NTT)日前开发成功了采用电子束蚀刻法的三维微加工技术,加工精度实现了全球最小的线宽(10纳米),并利用此技术加工出了直径60微米的全球最小的地球仪。 N...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
上海敏勤电子技术有限公司正式宣布其自主知识产权的专用集成电路芯片《卤素灯电子变压器控制器》MQL8002A研制成功并进入市场。卤素灯是国际上极为流行的电光源,随着我国绿...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
经国家知识产权局唯一授权,上海硅知识产权交易中心现已建成全国第一个国家级集成电路行业专利数据库,日前已投入使用。该数据库覆盖集成电路技术相关的IC、IT等主要高新技...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
浙江大学硅材料国家重点实验室传来消息,该实验室不久前成功“拉”出了一条具有我国自主知识产权的12英寸掺氮硅单晶。硅单晶是计算机、通信和网络等信息微电子产业的基础材...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
美国科学技术人员最近制造出电子流动性比现有半导体材料高25%、比硅晶体管高70%的碳纳米晶体管,该碳纳米管成为新一代功能更强大、尺寸更小的电子产品。半导体碳纳米管在室...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《世界发明》2003年第6期报导,美国发明了一种超微型无线传输芯片,它能以移动通讯系统频率工怍。它属于美国“聪明灰尘”计划的一部分,在该计划范围内,科学家正在抓紧研制...
[期刊论文] 作者：刘广实,
来源：集邮博览 年份：2004
五、全张中的其它版模特征以上所讲的各种可以表现在单枚或双连票中的版模特征,都是因制版的技术关系而产生的必然现象。除此之外,在全张中还可见有另一大类有助于子模定位...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
日前,上海申和热磁电子公司投资3亿元人民币,在上海宝山城市工业园区建成单晶硅片厂。该厂到2004年底月产5英寸硅片将达40万片,成为中国最大硅片生产厂家。上海申和是日本Fe...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
上海先进半导体公司(ASMC)近日宣布,总投资额达6.87亿美元的8英寸0.25微米集成电路芯片生产线首期开始试生产。这条生产线建成后,月产达到3万片。据先进半导体总裁刘幼海透...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
中国科学院微电子研究所不断在器件微型化方面取得突破性进展。近来,该所成功研制出栅长27nm CMOS器件,栅长36nm CMOS 32分频器电路和栅长27nm CMOS器件的透射电镜(TEM),这...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
皇家飞利浦电子宣布其位于法国Crolles的Crolles 2晶圆厂的CMOS生产线和台积电晶圆厂生产出了首批硅芯片,开创了90nm CMOS芯片投产的先河,具有里程碑意义。飞利浦CMOS 090LP...
[期刊论文] 作者：刘广荣,,
来源：半导体信息 年份：2004
据《科技开发动态》2003年第8期报导,该单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备技术,采用位向分别为(100)及(111)的两种单晶硅片为载膜衬底,通过磁控溅射沉积25～150nm...
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