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[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(242)期报道,日本青山学院大学理工学部安住壮纪等人采用LTCC工艺设计制作了小型超宽带(UWB)带通滤波器(BPF)。According to “Letters Scienc...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Portable Design》2010年第6期报道,TriQuint公司日前推出射频前端解决方案支持Qualcomm的3 G芯片。方案包括用于WCDMA的TRITON PAModule和用于GSM/EDGE的HADRON 2 PA Mo...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(210)期报道,日本电气通信大学采用串联负荷型GaN HEMT开发了微波多蒂尔功率放大器。1.9 GHz的放大器与原来的推挽式放大器相比,在输出功率24 dB...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,北海道大学量子集成电子研究中心采用周期性台面结构的多台面型沟道(MMC,Multi Mesa Channel)技术开发了AlGaN/GaN HMET,与一般的平...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年110-14期报道,日本NTT公司开发了3D结构的准毫米波RF前端MMIC。该3D MMIC尺寸为3mm×3mm。发射采用上变频器,IF频带和RF频带分别具有增益控制功能,...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(25)期报道,日本北海道大学量子集成电子研究中心针对双栅结构AlGaN/GaN HEMT器件异质结构的AlGaN表面电流According to “Letters Science an...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《i-Micronews》May25th.2010报道,德国Fraunhofer大学采用390μm的SiC衬底开发了Ka波段AlGaN/GaN HEMT大功率MMIC。该HPA MMIC采用共面波导(CPW)工艺,芯片尺寸为2.75×3.2...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Simeconductor FPD World》2009年第12期报道,日本Dow Corning公司从2009年10月开始量产功率半导体应用的4英寸SiC圆片。Dow Corning公According to “Simeconductor F...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本住友电工采用圆片级芯片尺寸封装(WLCSP)技术,在GaAs衬底上形成PHEMT有源层,并在其上面设置4层OA-OD布线层构成三维MMIC。AlGaAs...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
《信学技报》(日)2010年109-431期报道了2009年欧洲微波会议的大致情况,除会议概况外,涉及的技术内容包含无源电路、天线、传输、雷达、有源电路、滤波器和无线系统等。本稿...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《东芝レビュ一》2010年第3期报道,日本东芝公司开发了固态放大器应用的50 W级GaN HEMT系列产品。主要形成系列的是10 GHz和11 GHz高频的50 W产品。他们采用两个14 GHz频率...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年110-25期报道,日本三菱电机公司采用GaNHEMT开发了C-X波段的宽带大功率放大器。小信号S参数在2.3倍频带内获得8.9dB以上的小信号增益。X波段宽带放...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《i-Micronews》May25th.2010报道,美国Cree公司发布了该公司最新几种型号GaN HEMT MMIC放大器的研制成果。CMPA2060025D,2~6GHzMMIC PA25W;CMPA2735075D,2.7~3.5GHz大功率...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本三菱电机开发了All-Pass/BPF切换型MMIC移相器。该MMIC移相器工作于C波段,具有45°移相量,芯片尺寸为0.8 mm×0.6 mm。在4～8 GHz...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《Simeconductor FPD World》2010年第2期报道,世界半导体调查公司iSuppli披露,09年下半年NAND闪存世界市场比前期上升39.0%,仅第三季度就达到了39亿4200万美元。增长特别...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本大阪大学纳米材料微器件研究中心采用ZnO宽禁带半导体材料制作了具有微波特性的HFET器件。ZnMgO/ZnO异质结构形成了高迁移率、高...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年110-96期报道,日本佐贺大学开发了低成本、具有高频应用的Push-Push振荡器阵列。采用X波段HEMT器件和2个Push-Push振荡器阵列化设计,在Ku波段的14.7...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年110-14期报道,日本NTT公司研发了多个RF MEMS开关与CMOS控制电路进行单片集成的RF CMOS-MEMS开关。该开关是一个输入,八个输出的SP8T开关。在CMOS控...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本NTT近日开发了插入AlGaN层的InAlN/AlGaN/GaN增强型场效应晶体管。In组分由0.245增加到0.325,二维电子气浓度由6.5×10~(12)降低...
[期刊论文] 作者：孙再吉,,
来源：半导体信息 年份：2010
据《信学技报》(日)2009年109(158)期报道,日本三菱电机情报综合研究所采用GaN HEMT混合集成电路(HIC)研制了C～Ku波段3.1倍带宽的高效大According to “Letters Science and...
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