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[期刊论文] 作者：文杰,陈挺,冉广照,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2009
硅光子学中的关键问题是研制高效率的硅基光源，文章为此提出了一种实现硅基发光的方法。采用共溅射的方法在n＋型重掺杂硅衬底上制备了富硅氧化硅（SiO2∶Si）薄膜，然后用热扩散法进......
[期刊论文] 作者：尤力平,冉广照,
来源：电子显微学报 年份：2005
Si3N4是一种用途广泛的功能材料,Si3N4纳米线有望在电子、光学和机械领域展现其特殊性能.在没有催化剂情况下,我们在硅衬底上直接合成了Si3N4/SiO2同轴纳米线....
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,等,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在n^+ -Si衬底上用磁控溅射演积掺Er氧化硅（SiO2:Er)薄膜和掺Er富硅氧化硅（SixO2:Er,x>1)薄膜，薄膜经适当温度退火后，蒸上电极，形成发光二极管（LED）。室温下在大于4V反偏电压下发射......
[期刊论文] 作者：孙凯,徐万劲,冉广照,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2010
采用反应磁控溅射技术沉积了掺Er的富硅氮化硅（SRN：Er）薄膜和SRN：Er/Ni3个周期的超晶格,两种薄膜都在1100℃进行退火实验。SRN：Er薄膜的光致发光谱为一个峰位在665～750nm的发光带和......
[期刊论文] 作者：屈海京,陶利,王维,冉广照,
来源：红外与毫米波学报 年份：2014
自行设计了基于8-羟基喹啉铒（ErQ）为发射层（EMLs）和二硝酰胺铵（ADN）为蓝光主体材料的近红外有机发光二级管.器件的基本结构为（p-Si/NPB/EML/Bphen/Bphen∶ Cs2CO3/Sm/Au）,设计并比较...
[期刊论文] 作者：冉广照,文杰,尤力平,徐万劲,,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2011
利用磁控溅射和热退火在硅衬底上制备了Ag纳米颗粒镶嵌的氧化硅薄膜（SiO2：Ag），制作了电致发光结构ITO／SiO2：Ag／p-Si，观测到了可见区的电致发光。发现薄膜中的Ag纳米颗粒不仅成倍地提......
[期刊论文] 作者：李艳平,陶利,冉广照,陈娓兮,,
来源：实验技术与管理 年份：2016
为了解决制约硅基光电集成技术发展的硅基激光器等硅基光源的制备问题,提出了一种新颖的选区金属键合方法,解决了传统金属键合方法中光吸收损耗严重的问题,并实现了直接键合方法中的高效率光耦合。该方法具有工艺简单,环境要求低,电、热和机械性能优越,键合温度......
[期刊论文] 作者：陈挺,冉广照,尤力平,赵华波,秦国刚,
来源：ChineseOpticsLetters 年份：2009
Electroluminescence peaking at 1.3 \mum is observed from high concentration boron-diffused silicon p -n junctions. This emission is efficient at low temperature with a quantum efficiency 40 times higher than that of the band-to-band emissio......
[期刊论文] 作者：冉广照,陈源,陈开茅,张晓岚,刘鸿飞,,
来源：物理学报 年份：2004
发展了恒温电容瞬态数据处理方法,称新方法为恒温电容瞬态时间积谱(ICTTS).用ICTTS方法测量分析了C70固体/p-GaAs异质结的深能级,结果发现在C70固体中存在两个很深的空穴陷阱...
[期刊论文] 作者：袁放成, 冉广照, 陈源, 张伯蕊, 乔永平, 付济时, 秦国刚,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
...
,Dependence of 1.54 μm Photoluminescence on Excess-Si Degrees of Er-Doped Si-Rich SiO2 Films Deposit
[期刊论文] 作者：冉广照,陈源,秦国刚,马振昌,宗婉华,谢立青,郭春刚,
来源：中国物理快报(英文版) 年份：2001
Room-temperature 1.54 μm photoluminescence (PL) is observed from Er-doped Si-rich SiO2 (SiO2:Si:Er) films deposited by using the magnetron sputtering technique...
[期刊论文] 作者：谷永涛,魏峰,孙拓,徐万劲,冉广照,章勇,牛巧利,秦国刚,,
来源：北京大学学报(自然科学版) 年份：2012
分别以p型体硅和p型薄膜微晶硅为阳极,以掺入MEH-PPV的PFO为发光层,以透明金属Sm/Au为阴极,制作了顶发光白光器件。器件结构是:硅阳极/PEDOT:PSS/MEH-PPV:PFO/Cs2CO3/Sm/Au。...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜,室温下测量这四种薄膜的光致发光(PL)谱,观察到这四种薄膜都具有1.54 μm的峰位,其强度与薄膜...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,付济时,秦国刚,马振昌,
来源：光谱学与光谱分析 年份：2001
用磁控溅射淀积掺Er氧化硅、掺Er富硅氧化硅、掺Er氮化硅和掺Er富硅氮化硅薄膜 ,室温下测量这四种薄膜的光致发光 (PL)谱 ,观察到这四种薄膜都具有 1 5 4μm的峰位 ,其强度与...
[期刊论文] 作者：陈源,冉广照,戴 伦,袁放成,秦国刚,马振昌,宗婉华,吴正龙,
来源：红外与毫米波学报 年份：2002
用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,戴伦,乔永平,张伯蕊,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
在 n+ -Si衬底上用磁控溅射淀积掺 Er氧化硅 (Si O2 :Er)薄膜和掺 Er富硅氧化硅 (Six O2 :Er,x>1 )薄膜 ,薄膜经适当温度退火后 ,蒸上电极 ,形成发光二极管 (LED)。室温下在...
[期刊论文] 作者：袁放成,冉广照,陈源,张伯蕊,乔永平,傅济时,秦国刚,马振昌,宗婉华,
来源：物理学报 年份：2001
用磁控溅射淀积不同富Si程度的掺Er富Si氧化硅薄膜 .室温下测量其光致发光谱 ,观察到各谱中都含有 1.5 4和 1.38μm两个发光峰 ,其中 1.5 4和 1.38μm的光致发光峰分别来自Er...
[期刊论文] 作者：RAN Guang-Zhao(冉广照),SUN Yong-Ke(孙永科),CHEN Yuan(陈源),DAI Lum(戴伦),CUI Xiao-Ming(崔晓明),ZHANG Bo-Rui(张伯蕊),QIAO,
来源：中国物理快报（英文版） 年份：2003
Electroluminescence (EL) is observed from the Au/Si-rich SiO2 film/p-Si diodes, in which the Si-rich SiO2 films are scored deliberately by a diamond tip. The EL...
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