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[期刊论文] 作者:宋炳文,,
来源:红外与激光技术 年份:1990
本文把各种碲镉汞晶体生长技术分成体晶体生长和薄膜晶体生长两大类.着重叙述了一些目前采用较多的体晶体生长技术,简要说明组分均匀度、电学特性等参数已达到的水平和这些方...
[期刊论文] 作者:宋炳文,
来源:红外技术 年份:1989
在简要回顾了我国红外探测器材料的发展历史后,着重叙述了近十多年来作为两种主要探测器材料的锑化铟和碲镉汞的研制概况,尤其后者,介绍了它的主要研制技术和国外的研制水平,...
[期刊论文] 作者:宋炳文,
来源:第五届全国分子束外延学术会议 年份:1999
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[期刊论文] 作者:宋炳文,
来源:激光与红外 年份:1998
回顾了金属有机化合物汽相外延碲镉汞薄膜的发展历程,简要叙述了MOVPEHgCdTe薄膜的三种主要技术,与HgCdTe晶格匹配和失配的衬底材料,各种金属有机物源和掺杂研究的新近进展。还介绍了MOVPE-HgCdTe薄膜和探测器......
[期刊论文] 作者:宋炳文,
来源:红外技术 年份:1999
简要介绍了主要的红外探测器材料,包括半导体光电探测器材料,热释电材料和热敏电阻材料,回顾了HgCdTe材料的发展历史和现状,液相外延,分子束外延和金属有机物汽相外延是目前生长HgCdTe薄膜的3种......
[期刊论文] 作者:宋炳文,,
来源:红外技术 年份:1987
本文回顾了制备碲镉汞块晶的主要技术及与晶体品质密切相关的杂质、掺杂和缺陷研究的概况。This paper reviews the main techniques for the preparation of HgCdTe bulk...
[期刊论文] 作者:M.W.Kcott,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1982
随着研究生产高质量HgCdTe晶体的工作日益增多,HgCdTe作红外探测器材料用的潜力正在被越来越多的认识到。因为存在高的汞蒸汽压、大的熔体分凝效应,以及晶体的密度会随熔体...
[期刊论文] 作者:王跃,宋炳文,
来源:半导体光电 年份:2000
金属有机化合物汽相沉积(MOCVD)技术是制备用于红外焦平面阵列(IRFFPA)的高质量碲镉汞(HgCdTe)薄膜材料的重要手段。文中讨论了汞源温度、生长温度、衬底材料及互扩散多层工艺(IMP)等因素在MOCVD外延生长碲镉汞......
[期刊论文] 作者:唐小惠,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1990
第四届国际Ⅱ-Ⅵ族化合物会议于1989年9月17日至22日在联邦德国西柏林的柏林技术大学举行,这是一次大型的国际学术会议,约有20个国家和地区的300余人参加。会议交流的论文约2...
[期刊论文] 作者:王跃,宋炳文,,
来源:红外技术 年份:1987
利用热壁外延技术在CdTe衬底的(111)A面和B面生长了CdTe薄膜。源温度和衬底温度分别在670~800℃和600~760℃之间,生长速率为0.8~1.3μm/h。X射线衍射和荧光分析表明,CdTe外延层...
[期刊论文] 作者:王跃,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1986
近年来,虽然有越来越多的研究者在努力寻找适合外延Hg_(1-∞)Cd_∞Te(简写MCT)的衬底材料,然而,由于CdTe晶体和MCT都是闪锌矿结构,其晶格常数相当匹配,这样,CdTe块晶仍是外...
[期刊论文] 作者:杨彦,宋炳文,
来源:红外研究(A辑) 年份:1986
为了从富碲的碲镉汞[(Hg_(1-z)Cd_(?))_(1-y)Te_v,y>0.5]熔体中用液相外延法生长碲镉汞薄膜,研究富碲的碲镉汞合金的相图是十分必要的。本文用适合于富碲碲镉汞合金体系的规...
[期刊论文] 作者:杨彦,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1986
对碲镉汞这种重要的红外探测器材料的相图已进行了很多研究工作,其中大多是出于液相外延工艺的需要研究富碲的碲镉汞合金的相图。然而,到目前为止,很少见到冷却速率对凝固点...
[期刊论文] 作者:王跃,宋炳文,
来源:人工晶体 年份:1985
Hg_(1-x)Cd_xTe(简写 MCT)是一种重要的红外材料。由于具有特殊的半导体性能,优质MCT 材料的制备是人们所关心的主要问题。本文报道在 CdTe 衬底上用单一的 MCT 源生长MCT...
[期刊论文] 作者:刘朝旺,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1995
用XPS研究了多晶纯镉置于空气中形成的表面化学态。结果表明,Cd表面上除有大量吸附碳、氧外,还形成了CdO和Cd(OH)2。O1s谱的最佳曲线拟合表明有三个O1s分量存在,其结合能分别为532.7eV,529.6eV,531.3eV。他们分别是吸附氧,CdO和Cd(OH)2中......
[期刊论文] 作者:唐家钿,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1994
采用扫描电子显微术对布里奇曼法、固态再结晶法和碲溶剂法生长的Hg1-xCdxTe晶体的结构性质进行了研究,结果表明位错和亚晶界是三种方法所得晶体的主要缺陷,而位错和亚晶界的形态与分布则......
[期刊论文] 作者:李全葆,宋炳文,,
来源:红外技术 年份:1992
通过实验证实了Hg_(1-x)Cd_xTe熔体中存在HgTe与CdTe之间的重力分离。理论分析表明,Hg_(1-x)Cd_xTe熔体中的HgTe粒子服从玻尔兹曼分布律,HgTe粒子的质量为4.07×10~(-18)...
[期刊论文] 作者:李全荷,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1991
根据半导体光学常数间的关系,通过测量Hg_(1-x)Cd_xTe晶片不同厚度时的透射比,求得了Hg_(1-x)Cd_xTe的光学常数。本文采用迭代法精确求解有关方程组,避免了计算过程引入的误...
[期刊论文] 作者:李全葆,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1990
根据Hg_(1-x)Cd_xTe吸收系数与光子能量之间的指数关系和文献[3]的实验结果,推导出由透射光谱求组分x的表达式。该式的使用不受测量温度和晶片厚度的限制。实验结果表明,用本...
[期刊论文] 作者:刘朝旺,宋炳文,
来源:红外技术 年份:1994
用XPS化学位移和定量分析方法,研究了露于室温空气中的CdTe(111)面的化学特征。首次报道了经机械抛光表面上形成的表面化合物为TeO2(Te3d5/2575.8eV,O1s530.1eV)和Cd(OH)2(Cd3d5/24051eV.O1s531.4eV)。并与基体里的CdTe共存;经2%Br-乙醇溶液化学抛光,表面上形成的化合物......
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