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[期刊论文] 作者：董四华,梁璐,杨光晖,,
来源：半导体技术 年份：2014
随着第三代半导体GaN器件技术的不断发展,GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)功率器件在电子系统中逐步得到了广泛应用。GaN功率器件具有工作效率高、功率密度大和击穿场强高的特点...
[期刊论文] 作者：董四华,刘英坤,冯彬,孙艳玲,,
来源：半导体技术 年份：2007
介绍了一种基于TRL法的提取管芯S参数的方法。该方法从TRL校准出发,实际测量得到封装器件的S参数;管芯以外的参量(管壳及键和线)用等效电路表示,最后用微波仿真软件模拟得到...
[期刊论文] 作者：梁勤金,董四华,郑强林,余川,,
来源：电讯技术 年份：2013
研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W...
[期刊论文] 作者：黄雒光,董四华,刘英坤,郎秀兰,,
来源：半导体技术 年份：2009
Si微波功率器件应用十分广泛,其可靠性直接影响使用设备的性能。以L波段Si微波脉冲功率晶体管为例,提出了一种基于Arrhenius模型的Si微波功率晶体管可靠性寿命评价方案。采用...
[期刊论文] 作者：冯彬,刘英坤,孙艳玲,段雪,董四华,
来源：半导体技术 年份：2007
利用工艺仿真软件Tsuprem4，针对氧化、退火等工艺进行仿真及校准，并据此对LDMOSFET进行了设计及工艺仿真。结合Medici得到LDMOSFET的结构参数以及相应电学参数，与研制结果进行了...
[期刊论文] 作者：苏延芬,刘英坤,邓建国,胡顺欣,冯彬,董四华,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
在国内首次研制出了一种采用条状元胞结构、特殊的栅槽刻蚀条件、特殊的栅介质生长前处理工艺及多晶硅栅的射频功率Trench MOSFET器件。该器件漏源击穿电压大于62V、漏极电流...
[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,
来源：微纳电子技术 年份：2008
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿（SEGR）和单粒子烧毁（SEB）的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。通过...
[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,冯,
来源：微纳电子技术 年份：2020
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[期刊论文] 作者：段雪,郎秀兰,刘英坤,董四华,崔占东,刘忠山,孙艳玲,胡顺欣,冯彬,,
来源：微纳电子技术 年份：2008
阐述了空间辐射环境下n沟功率VDMOSFET发生单粒子栅穿(SEGR)和单粒子烧毁(SEB)的物理机理。研究了多层缓冲局部屏蔽抗单粒子辐射的功率VDMOSFET新结构及相应硅栅制作新工艺。...
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