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[期刊论文] 作者：顾聪,
来源：铁道标准设计 年份：2000
为贯彻落实部领导关于改革设计思想、修订设计规范的指示精神 ,建立起与铁路改革和发展相匹配的铁路工程建设标准体系 ,以促进铁路两个根本性转变 ,提高投资效益和建设水平 ,...
[期刊论文] 作者：顾聪,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2001
采用一种直接估算微波GaAs MESFET源电阻Rs的方法.理论根据是反馈导纳的实部主要是由源电阻和栅电阻引起的,由此推导出Rs相关的解析表达式.可在任何测量频率下采用解析方法计...
[期刊论文] 作者：顾聪,李雨,
来源：中国卫生监督杂志 年份：2002
通过对西安市街道豆浆店的监督检查和抽样化验，发现存在诸多卫生问题，其中豆浆脲酶试验的阳性率达40％，存在引发食物中毒的隐患。主要原因是豆浆的加热温度和加热时间均不充分。建......
[期刊论文] 作者：王月,顾聪,
来源：腐蚀科学与防护技术 年份：1994
用电化学阻抗法研究铜在强酸中添加ＢＴＡ（苯并三唑）及铜表面预覆ＢＴＡ薄膜后在强酸中的耐蚀行为和机理。研究表明：在强酸溶液中，ＢＴＡ与二价铜离子形成不同配位数的Ｃｕ—ＢＴＡ配合物，在硫酸中抑制阳极反应......
[期刊论文] 作者：顾聪,高一凡,
来源：微电子学 年份：1999
介绍了单管５Ｗ大栅宽多胞微波砷化镓ＭＥＳＦＥＴ器件的优化设计、关键工艺的创新、器件特性测试等，特别是器件具有高反向击穿电压和耐大电流的特性和并结合器件结构特点和Ｉ－Ｖ特性，建立了该器件的......
[期刊论文] 作者：顾聪,高一凡,
来源：微电子学 年份：2000
提出了一种计算ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ器件小信号等效电路的简单方法。本征元件由传统解析参数变换技术计算，且作为非本征元件的函数。高效电路由集中元件构成，在整个测量频率范围内适用。非本征元......
[期刊论文] 作者：顾聪,高一凡,
来源：微电子学 年份：2001
采用多节平调阻抗变换器技术制作5～10GHz15WGaAsMESFET功率放大器。阻抗变换器的长度设计为最高频率的1／4波长，实现宽频带内稳定的增益和输出功率。采用这种阻抗变换器，放大器在5......
[期刊论文] 作者：顾聪,高一凡,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2002
提出了一种分析和了解微波功率GaAsMESFET非线性效应的方法，主要是采用解析优化方法，提取MESFET器件在不同偏置点下的本征元件，并结合器件的应用类型，对本征元件与偏置的关系进行......
[期刊论文] 作者：顾聪,王德宁,
来源：电子科学学刊 年份：1992
本文用有限元法对 i-GaAlAs/GaAs HIGFETs的稳态特性进行了二维数值模拟和分析。为了在有限内存的微机中,进行快速计算,在程序中,对边界条件,网格剖分和初值选取等方面进行了...
[期刊论文] 作者：王德宁,顾聪,
来源：电子科学学刊 年份：1991
本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管（HIGFETs）的ID-VD-VG,IDS-VG,G...
[期刊论文] 作者：顾聪,刘佑宝,
来源：微电子学与计算机 年份：2001
文章主要介绍了已研制的C波段5.2～5.8GHz 4W GaAs MESFET功率管制作技术,包括将匹配网络等效电路元件参数换算成集总和分布式元件的方法,及匹配网络工艺制作技术,最后,获得的...
[期刊论文] 作者：黄辉,顾聪求,
来源：统计与决策 年份：1998
...
[期刊论文] 作者：顾聪,王德宁,
来源：半导体学报 年份：1990
本文在改进型电荷控制模型基础上,结合GSW速度场特性,提出了适用于HIGFETs器件的新的高场区(I_D>I_(Ds))的静态特性模型,从而导出了I-V,I_(Ds)-V_(Ds),g_(ms),g_D和C_G等参数...
[期刊论文] 作者：顾聪,刘佑宝,
来源：微波学报 年份：2000
提出了计算功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ小信号模型参数的一些改进方法，包括计算Ｈｅｓｓｅ矩阵本征值和本征向量，确定各元件对总误差的敏感度、目标函数的优化顺序和优化方向，以及稳定的计算方法，计算结果与器件......
[期刊论文] 作者：顾聪,刘佑宝,
来源：微电子学 年份：2001
采用自行研制的两只C波段5.2～5.8 GHz 4 W以上的GaAs MESFET功率管芯，通过设计适当的匹配网络、优化网络元件参数，结合工艺制作技术，实现了C波段5.2～5.8 GHz 8 W GaAs MESFET功率...
[期刊论文] 作者：顾聪,刘佑宝,
来源：微电子学与计算机 年份：2000
文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法，着重论述二种改进的算法，并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电路１３只元件参数计算，计算得出的Ｓ参数与实验数据......
[期刊论文] 作者：顾聪,刘佑宝,
来源：微电子学与计算机 年份：2000
文章提出一种Ｓｔａｔｚ ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法，并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据，判定提取的电容模型参数的正确性。计......
[期刊论文] 作者：顾聪,刘佑宝,
来源：电力电子技术 年份：2000
提出一种适用于漏电流２．０Ａ以上的大功率ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ沟道电流Ｉｄｓ的改进型模型，新模型综合了Ｍａｔｅｒｋａ模型和Ｓｔａｔｚ模型的优点，改进模型与管芯测量值拟合精度高于常用模型。......
[期刊论文] 作者：顾聪,刘佑宝,,
来源：电力电子技术 年份：2000
提出一种适用于漏电流2.0A以上的大功率GaAsMESFET沟道电流Ids的改进型模型,新模型综合了Materka模型和Statz模型的优点,改进模型与管芯测量值拟合精度高于常用模型....
[期刊论文] 作者：李雨,顾聪,孟茜,
来源：职业与健康 年份：2002
目的了解西安市大型商场、超市熟食部即食食品的卫生状况.方法对7家大型商场、超市进行现场检查和抽样化验微生物指标.结果共采集试样164份,合格94份,合格率仅为57.32%.结论...
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