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[会议论文] 作者：尹扬,冉广照,秦国刚,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
由于近些年来光电子发展的迫切需要，研究和开发能够与微电子领域现有S技术兼容的硅基光互连和硅基光电集成变得越来越重要。同时，由于Si本身是非直接带隙半导体材料，其发光效率......
[会议论文] 作者：江得福;冉广照;阚强;陈弘达;,
来源：2011年全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2011
随着通讯技术的快速发展，光互连已经成为当前世界上的热门研究项目和重大的开发领域。为了解决目前光互连与微电子线宽尺寸不匹配的问题，表面等离极化激元(SPP)波导将是比较合......
[会议论文] 作者：侯瑞祥,李磊,徐万劲,冉广照,秦国刚,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
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[会议论文] 作者：张连学,葛超洋,方鑫,翟文豪,田程,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
电磁场的"热点(hot spot)"是电磁场强烈增强的区域,通常形成于耦合结构尤其是金属颗粒之间或者金属颗粒与金属薄膜之间的纳米间隙中.近年来,多个研究组报道了三角棱柱尖端耦合的金属蝶形纳米天线.设计了一种高折射率的全介质蝶形纳米阵列结构，在去除金属的本征损......
[会议论文] 作者：秦璐,许兴胜,徐波,张连学,葛超洋,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
设计并生长了发光波长1200-1300纳米GaAs基量子点材料,制作了利用ITO透明导电层作为N型电极InAs/GaAs量子点激光器结构,利用金属In与SOI波导材料辅助键合,测量了器件的电学和光学特性....
[会议论文] 作者：姚利,余婷,巴理想,孟虎,方鑫,冉广照,皮孝东,秦国刚,
来源：第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2016
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[会议论文] 作者：葛超洋,张连学,方鑫,翟文豪,田程,李艳平,冉广照,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
由于Ⅲ-Ⅴ族材料的能带特点,无应变或压应变量子阱激光器发出的通常为TE模式的光,而TM模式的光有包括偏振复用在内的多种应用前景.为此,采用了表面等离基元超材料,基于一种全新的偏振转换原理,制作了以TM偏振模式为主要输出的Ⅲ-Ⅴ/Si混合激光器.利用成熟的选区......
[会议论文] 作者：秦国刚,罗剑兴,孟虎,孙拓,李延钊,戴伦,冉广照,徐万劲,
来源：第七届全国暨华人有机分子和聚合物发光与光电特性学术会议 年份：2011
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[会议论文] 作者：侯瑞祥,李磊,方鑫,孙国胜,徐万劲,肖池阶,冉广照,秦国刚,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
掺杂在半导体工业中具有非常重要的意义.传统的半导体掺杂方法有两种,即热扩散和离子注入.热扩散通常需要高温和很长时间,能耗巨大、效率低,而且高温加热过程中半导体材料很容易受到来自周围环境中杂质的玷污.本文延续上述工作，对上述等离子体室温掺杂方法的物理......
[会议论文] 作者：陈开茅,冉广照,陈源,付济时,张伯蕊,朱美栋,乔永平,武兰青,
来源：第八届全国固体薄膜学术会议 年份：2002
固体C(或C)是碳元素除石墨,金刚石之外的第三种同素异构体,它具有若干重要性质,比如它可以被做成超导体,其超导温度高于50K,又如可以做成半导体,它易于和多种重要半导体(Si,GaAs,GaN,InP)形成良好的异质结,其整流比高达10~10.十多年来,固体C(C)一直是被众多的物......
[会议论文] 作者：李延钊,王子龙,罗恒,王彦哲,徐万劲,冉广照,秦国刚,赵伟强,刘慧,
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
本文报道了一种采用纳米厚度(～10 nm)的镍硅化合物/p型多晶硅复合薄膜为阳极的有机磷光发光二极管,器件结构是：Al反射镜/玻璃衬底/Si隔离层/镍硅化合物/p型多晶硅/V2O5/NPB/CBP：(ppy)2Ir(acac)/Bphen/Bphen：Cs2CO3/Sm/Au/BCP.复合薄膜阳极中的镍诱导晶化p型多晶硅向......
[会议论文] 作者：戴兴,葛超洋,李梦珂,李召松,李稚博,周旭亮,陈娓兮,冉广照,于红艳,潘教青,
来源：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会 年份：2017
硅与Ⅲ-Ⅴ族激光器混合集成是目前实现硅基激光最有效且最有可能实现实用化的方案之一.本课题组和北京大学合作,采用选区金属键合的方案已经实现了几种硅基激光器,其中最具代表性的结构是掩埋脊波导(Buried Ridge Waveguide:BRS)硅基键合激光器,并通过在硅波导......
[会议论文] 作者：李延钊[1]王子龙[1]罗恒[1]王彦哲[1]徐万劲[1]冉广照[1]秦国刚[1]赵伟强[2]刘慧[2],
来源：第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 年份：2010
本文报道了一种采用纳米厚度(～10 nm)的镍硅化合物/p型多晶硅复合薄膜为阳极的有机磷光发光二极管,器件结构是：Al反射镜/玻璃衬底/Si隔离层/镍硅化合物/p型多晶硅/V2O5/NPB...
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