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[会议论文] 作者：林郭强,曾一平,王晓亮,刘宏新,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
使用NH3源MBE在Si(111)衬底上生长了(0001)面的六方GaN外延层.插入不同层数和组分的AlzGa1-xN缓冲层后,发现AlxGa1-xN层的组分变化越平滑,GaN外延层中的张应力就越小,同时微...
[会议论文] 作者：王保柱,刘宏新,李晋闽,王晓亮,王晓燕,王新华,郭伦春,肖红领,王翠梅,冉军学,王军喜,
来源：第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 年份：2006
利用射频等离子体辅助分子束外延(RF-MBE)技术在蓝宝石衬底上外延了铟铝镓氮(InAlGaN)薄膜.研究了生长温度对RF-MBE外延InAlGaN的影响.X射线衍射测量结果表明,不同生长温度下外延生长的InalGaN薄膜均为单一晶向.卢瑟福背散射(RBS)测量结果表明,随着生长温度的提......
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